Freescale Semiconductor Patente
🇺🇸 USA
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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2.392 gesamt| Patent | |||
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20.11.2024
Taktsignalausrichtung für System-In-Paket (sip)-Vorrichtungen
Software & Datenverarbeitung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 11.05.2016
Erteilt am 20.11.2024
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Lee, Candice Jane · Redhill
Terblanche, Candice Jane · Redhill
Zusammenfassung
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09.08.2023
Ladezustandsausgleichssystem für Batteriezellen
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 15.06.2011
Erteilt am 09.08.2023
Vertretung
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
Wray, Antony John · Basingstoke
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Zusammenfassung
A method of operating a battery system includes a plurality of battery cells (24,26,28,30) coupled in series. The plurality of cells (24,26,28,30) includes at least three battery cells coupled in series. The method includes determining a cell with the greatest charge excess of the plurality of battery cells (24,26,28,30). The method further includes determining a cell with the greatest charge deficit of the plurality of battery cells (24,26,28,30). The method further includes discharging the cell with the greatest charge excess to charge, with a voltage converter, the cell with the greatest charge deficit. |
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19.07.2023
Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines Temperaturabhängigen Steuersignals
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Steuerungs- & Regelungstechnik
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Status
Angemeldet am 22.11.2013
Erteilt am 19.07.2023
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse
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01.03.2023
Integrierte Schaltung mit Kanalschätzungsmodul und Verfahren dafür
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 29.06.2009
Erteilt am 01.03.2023
Vertretung
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19.10.2022
Aktive Selbstheilung von Ankleben mittels Querkraft für mikroelektromechanische Systemvorrichtungen
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Status
Angemeldet am 15.05.2014
Erteilt am 19.10.2022
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Optimus Patents Ltd · Basingstoke
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18.05.2022
Datenverarbeitungssystem mit Schaltung zur Sprühentladungsdetektion
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 19.01.2011
Erteilt am 18.05.2022
Vertretung
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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20.04.2022
Steuereinheit für eine Segmentierte Flüssigkristallanzeige und Verfahren dafür
Optik & Fototechnik
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
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Status
Angemeldet am 21.10.2013
Erteilt am 20.04.2022
Vertretung
Schmütz, Christian Klaus Johannes · Hamburg
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse
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09.02.2022
Leiterplatte mit reduzierter Emission von elektromagnetischer Strahlung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 25.10.2013
Erteilt am 09.02.2022
Vertretung
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29.09.2021
Niederspannungsausgangsdetektor, Fehlerdetektor, Sichere Niederspannungssteuerung, Verfahren zur Erkennung von Büschelentladung und Selbstwiederherstellungsverfahren für Büschelentladung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 04.10.2010
Erteilt am 29.09.2021
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
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16.06.2021
Vorrichtung zur Bestimmung einer Position eines Rotors eines Mehrphasigen Elektromotors
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 09.01.2013
Erteilt am 16.06.2021
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse
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26.05.2021
Halbleitervorrichtung und Treiberschaltung mit Abfluss- und Isolationsstruktur, die miteinander durch eine Diodenschaltung verbunden sind, und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.06.2013
Erteilt am 26.05.2021
Vertretung
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
Potts, Susan Patricia · Basingstoke
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Zusammenfassung
Embodiments of semiconductor devices (200, 600, 700, 1100, 1300) and driver circuits (110) include a semiconductor substrate (210, 610, 710, 1110, 1310) having a first conductivity type, an isolation structure (including a sinker region (222, 622, 722, 1122, 1322, 1610, 1710) and a buried layer (220, 620, 720, 1120, 1320)), an active device within an area (230, 630, 730, 1130, 1330, 1520, 1620, 1720, 1820) of the substrate contained by the isolation structure, and a diode circuit (160). The buried layer is positioned below the top substrate surface (212, 612, 712, 1112, 1312), and has a second conductivity type. The sinker region extends between the top substrate surface and the buried layer, and has the second conductivity type. The active device includes a drain region (236, 636, 736, 1136, 1336) of the second conductivity type, and the diode circuit is connected between the isolation structure and the drain region. The diode circuit may include one or more Schottky diodes (346, 446, 546, 1245, 1445) and/or PN junction diodes (846, 946, 1046, 1246, 1446, 1447). In further embodiments, the diode circuit may include one or more resistive networks (410, 510, 910, 1010) in series and/or parallel with the Schottky and/or PN diode(s). |
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05.05.2021
Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.02.2011
Erteilt am 05.05.2021
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
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14.04.2021
Verfahren und Systeme zur Anpassung der Zellenvorspannungszustände für Programmierungs-/Löschvorgänge eines nichtflüchtigen Speichers basierend auf der Betriebstemperatur zur Verringerung von Leistungsverschlechterung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 19.07.2013
Erteilt am 14.04.2021
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
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07.04.2021
Vorrichtung für Schnelle Fourier-Transformationen und Verfahren zur Durchführung einer Schnellen Fourier-Transformation
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 06.11.2013
Erteilt am 07.04.2021
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Bradler, Carola Romana · Hamburg
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse
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17.02.2021
Analog-Digital-Umsetzer mit Verstärker
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 27.02.2008
Erteilt am 17.02.2021
Vertretung
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
Wray, Antony John · Basingstoke
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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13.01.2021
Ansteuerungsschaltung zum Empfang einer Geregelten Versorgungsspannung der Voransteuerung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 18.04.2016
Erteilt am 13.01.2021
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse
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02.12.2020
Fehlerdetektionsvorrichtung und -Verfahren
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 18.07.2013
Erteilt am 02.12.2020
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Bradler, Carola Romana · Hamburg
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse
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21.10.2020
Flash Speicher mit Bias-Vorspannung für Wortzeilen-/-Spaltentreiber
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 09.01.2014
Erteilt am 21.10.2020
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Optimus Patents Ltd · Basingstoke
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21.10.2020
Universelles SPI (serielle Peripherieschnittstelle)
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 04.09.2014
Erteilt am 21.10.2020
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Optimus Patents Ltd · Basingstoke
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21.10.2020
Erzeugung Negativer Spannung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 26.02.2010
Erteilt am 21.10.2020
Vertretung
Wray, Antony John · Basingstoke
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
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14.10.2020
Informationsverarbeitungsvorrichtung und Verfahren zum Schutz von Daten in einem Aufrufstapel
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 20.04.2012
Erteilt am 14.10.2020
Vertretung
Bradler, Carola Romana · Hamburg
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse
Optimus Patents Ltd · Basingstoke
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07.10.2020
Schaltung zur Charakterisierung der Ungleichheit von MOSFETs
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.08.2012
Erteilt am 07.10.2020
Vertretung
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
Bradler, Carola Romana · Hamburg
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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23.09.2020
Bandbreitenschätzungsschaltung, Computersystem, Verfahren zur Schätzung und Vorhersage einer Bandbreite und Computerlesbares Programmprodukt
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 05.12.2013
Erteilt am 23.09.2020
Vertretung
Bradler, Carola Romana · Hamburg
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse
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23.09.2020
Schutzvorrichtung und zugehörige Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.07.2014
Erteilt am 23.09.2020
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Optimus Patents Ltd · Basingstoke
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23.09.2020
Halbleiterbauelement und Verfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 16.02.2011
Erteilt am 23.09.2020
Vertretung
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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19.08.2020
Elektronische Hochfrequenzvorrichtung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.01.2013
Erteilt am 19.08.2020
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse
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12.08.2020
Ansteuerschaltung und Verfahren für verbesserte transiente Immunität
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 12.11.2013
Erteilt am 12.08.2020
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
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22.07.2020
Halbleitervorrichtung und Treiberschaltung mit einem stromführenden Bereich und Isolationsstruktur, die durch einen Widerstand miteinander verbunden sind, und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.06.2013
Erteilt am 22.07.2020
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Bradler, Carola Romana · Hamburg
Potts, Susan Patricia · Basingstoke
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08.07.2020
Zugriff auf Integrierte Schaltung
Software & Datenverarbeitung
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
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Status
Angemeldet am 29.04.2016
Erteilt am 08.07.2020
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Bradler, Carola Romana · Hamburg
Miles, John Richard · Romsey
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03.06.2020
Verfahren zum Galvanisieren von Anschlusskontaktflächen auf eine Halbleiterscheibe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.07.2012
Erteilt am 03.06.2020
Vertretung
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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13.05.2020
Vorrichtung und Verfahren zur Berechnung eines Funktionswertes einer Funktion
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 21.01.2011
Erteilt am 13.05.2020
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Bradler, Carola Romana · Hamburg
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
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29.04.2020
Winkelgeschwindigkeitssensor mit Quadraturfehlerkompensation
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 21.06.2013
Erteilt am 29.04.2020
Vertretung
Ferro, Frodo Nunes · Toulouse
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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08.04.2020
Verfahren und Einrichtung zur Bereitstellung einer einen Sicherheitsverstoss Anzeigenden Audiowarnung
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 13.06.2006
Erteilt am 08.04.2020
Vertretung
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08.04.2020
MEMS-Vorrichtung mit variabler Spaltbreite und Herstellungsverfahren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 07.02.2012
Erteilt am 08.04.2020
Vertretung
Wray, Antony John · Basingstoke
Bradler, Carola Romana · Hamburg
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25.03.2020
LDMOS-Anordnung mit hoher Durchbruchspannung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.06.2013
Erteilt am 25.03.2020
Vertretung
Zusammenfassung
A multi-region (81, 83) lateral-diffused-metal-oxide-semiconductor (LDMOS) device (40) has a semiconductor-on-insulator (SOI) support structure (21) on or over which are formed a substantially symmetrical, laterally internal, first LDMOS region (81) and a substantially asymmetric, laterally edge-proximate, second LDMOS region (83). A deep-trench isolation (DTI) wall (60) substantially laterally terminates the laterally edge-proximate second LDMOS region (83). Electric field enhancement and lower source-drain breakdown voltages (BVDSS) exhibited by the laterally edge-proximate second LDMOS region (83) associated with the DTI wall (60) are avoided by providing a doped SC buried layer region (86) in the SOI support structure (21) proximate the DTI wall (60), underlying a portion of the laterally edge-proximate second LDMOS region (83) and of opposite conductivity type than a drain region (31) of the laterally edge-proximate second LDMOS region (83). |
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25.03.2020
Slave-Vorrichtung für ein Verteiltes Echtzeitnetzwerk, Verteiltes Echtzeitnetzwerk und Verfahren dafür
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 04.11.2011
Erteilt am 25.03.2020
Vertretung
Bradler, Carola Romana · Hamburg
Optimus Patents Ltd · Basingstoke
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18.03.2020
Baugruppe mit integrierter Antenne
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 17.10.2011
Erteilt am 18.03.2020
Vertretung
Wray, Antony John · Basingstoke
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
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18.03.2020
Phasenkorrektur in einem Doherty-Leistungsverstärker
Elektronik & Schaltungstechnik
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Zusammenfassung
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18.03.2020
Komplementäre integrierte Galliumnitrid-Schalter und Verfahren zu deren Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.08.2014
Erteilt am 18.03.2020
Vertretung
Hardingham, Christopher Mark · Hamburg
Optimus Patents Ltd · Basingstoke
Zusammenfassung
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11.03.2020
Paketverarbeitungsarchitektur und Verfahren dafür
Software & Datenverarbeitung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 10.01.2013
Erteilt am 11.03.2020
Vertretung
Bradler, Carola Romana · Hamburg
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse
Zusammenfassung
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Wer vertritt Freescale Semiconductor?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Freescale Semiconductor vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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