IHP – Innovations for High Performance Microelectronics Patente
🇩🇪 Deutschland
Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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150 gesamt| Patent | |||
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09.08.2023
Fan-Out-Gehäuse auf Waferebene
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.07.2023
Ladungsverteilungsbasierter Vektormatrixmultiplizierer
Software & Datenverarbeitung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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05.07.2023
Diode mit Lichtempfindlichem Intrinsischem Bereich
Optik & Fototechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.06.2023
Inhomogene Übertragungsleitung zur Positionsaufgelösten Permittivitätsbestimmung eines Messobjektes
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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21.06.2023
Auffächerungsgehäuse auf Waferebene
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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10.05.2023
Paralleler Fractional-N-Phasenregelkreis
Elektronik & Schaltungstechnik
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22.02.2023
Schaltbare Kombinator- Und/oder Splitterschaltung mit Wilkinson-Elementen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
A switchable combiner and/or splitter circuit comprising at least two Wilkinson elements is suggested. The switchable circuit comprises one first terminal and for each Wilkinson element one pair of second terminals associated with the corresponding Wilkinson element. Each Wilkinson element connects the first terminal with the associated pair of second terminals. Each Wilkinson element includes a switchable component enabling selectively activating the associated pair of second terminals. The proposed solution combines a Single-Pole-Double-Through switch and a Wilkinson element and, thus, reduces the chip area required for integrating the circuit. |
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01.02.2023
Verfahren zum Glühen von Gebondeten Wafern
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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23.11.2022
Elektronisch Schwenkbare Gruppenantenne
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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09.11.2022
Halbleiter Vorrichtung mit Rückseitenschutzmechanismus
Software & Datenverarbeitung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
The invention relates to a semiconductor device (100) comprising:a substrate stack (122) comprising two permanently bonded semiconductor bodies (102, 104), which are stacked in a depth direction that points perpendicularly from a front side (108) towards a back side (110) of the substrate stack, and which share a buried bonding interface (106) that extends at a respective distance from the front and back sides and parallel thereto; wherein:- a first of the two bodies, hereinafter the protection body (104), comprises an active region (113) with one or more light emitters (112) at the buried bonding interface, and a light absorption region (114), which follows the active region in the depth direction and is opaque for light emitted from the one or more light emitters;- a second of the two bodies, hereinafter the circuit body (102), extends from the buried bonding interface to the front side of the substrate stack, is transmissive for the light emitted from the one or more light emitters, and comprises at least one light detector (118, 120) at the front side of the substrate stack, which is configured to provide a detector signal indicative of a detected light intensity of light emitted from the one or more light emitters and transmitted through the circuit body.The semiconductor device further comprises a driver unit that is configured to drive operation of the light emitters using predetermined operation parameters. |
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26.10.2022
Substrat und Verfahren zur Monolithischen Integration von Elektronischen und Optoelektronischen Vorrichtungen
Optik & Fototechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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03.08.2022
Verfahren zur Herstellung eines Elektrooptischen Phasenschiebers auf Basis von Ferroelektrischen Materialien
Optik & Fototechnik
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27.07.2022
Halbleiterstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.12.2019
Erteilt am 27.07.2022
Vertretung
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29.06.2022
Schlitzwellenleiter für einen Phasenschieber basierend auf Ferroelektrischen Materialien
Optik & Fototechnik
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08.06.2022
Elektrooptische Vorrichtung
Optik & Fototechnik
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Zusammenfassung
The invention relates to an electrooptical device, comprising:- a semiconductor substrate having a front side and a back side;- at least one photonic component arranged on the front side of the semiconductor substrate, the photonic component comprising an active layer made of a non-linear optical material; wherein- at least one cavity, extends through the semiconductor substrate and connects the active layer on the front side of the semiconductor substrate with the back side of the semiconductor substrate. |
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11.05.2022
Diode mit Lichtempfindlichem Intrinsischem Bereich
Optik & Fototechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
The present invention relates to a diode (300) comprising a p-doped region (312), an n-doped region (314), and a light-sensitive intrinsic region (310) sandwiched laterally between the p-doped region (312) and the n-doped region (314) in a direction transverse to a direction of light propagation in the diode (300). The p-doped region (312) is made of a first material doped with a first type of dopant and the n-doped region (314) is made of a third material doped with a second type of dopant. The first material includes Si or SiGe. The third material includes Si or SiGe. The intrinsic region (310) is made of a second material different to at least one of the first material and the second material. The second material includes Ge, GeSn, or SiGe. The intrinsic region (310) has a maximal lateral extension between two lateral ends (318, 320) of the intrinsic region (310) of equal to or below 400 nm. The intrinsic region (310) is produced such that it (310) is not doped when the diode (300) is produced. |
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30.03.2022
Korrigierbarer Komparator für Dreifach Modulare Redundanzzelle
Elektronik & Schaltungstechnik
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09.03.2022
Selbstkorrigierende Modular-Redundanz-Speichervorrichtung
Elektronik & Schaltungstechnik
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09.03.2022
Echte Einphasige Taktspeichereinheit für Dreifache Modulare Redundanzzelle
Elektronik & Schaltungstechnik
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01.12.2021
Herstellung von Graphenelektronikbauelementen mittels Stufenoberflächenkontur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.08.2011
Erteilt am 01.12.2021
Vertretung
Eisenführ Speiser · München
Eisenführ, Speiser & Partner · Bremen
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22.09.2021
Verstärkungsreglungsschaltung für einen Verstärker mit Variabler Verstärkung
Elektronik & Schaltungstechnik
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11.08.2021
Inhalatorsteuerungsclip und Inhalatorsteuerungsanordnung
Medizintechnik & Gesundheit
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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23.06.2021
Substrat und Verfahren zur Monolithischen Integration von Elektronischen und Optoelektronischen Bauelementen
Optik & Fototechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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24.02.2021
Bipolartransistor mit selbstjustiertem Emitterkontakt und Verfahren zu dessen Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.08.2020
Verfahren und System zum Überabtasten einer Wellenform mit Variablem Überabtastungs-Faktor
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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19.08.2020
Vertikaler Bipolartransistor mit Lateralem Kollektor-Driftgebiet
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.08.2020
Individualisierte Spannungsversorgung von Bauelementen Integrierter Schaltungen als Schutzmassnahme gegen Seitenkanalangriffe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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08.07.2020
Intrinsische Authentifizierung von Programcode
Software & Datenverarbeitung
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
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01.07.2020
Psss Funkkommunikationstechnologie für Hohe Datenraten
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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01.07.2020
Vorrichtung und Verfahren zur Analyse Biochemischer Flüssigkeiten
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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01.07.2020
Identifizierung und Zählung von Partikeln mittels Dielektrophorese
Verfahrens- & Trenntechnik
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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24.06.2020
Photonischer Sensorchip, Verpackte Photonische Sensorvorrichtung und Anordnung
Verfahrens- & Trenntechnik
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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29.04.2020
Eingangsstromanpassung für Komplett Differentielle Transimpedanzverstärker
Elektronik & Schaltungstechnik
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01.04.2020
Auf Unter-Thz und Mittel-Infrarot Abstimmbare Halbleiter-Plasmonik
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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26.02.2020
Verstärkungsschaltung mit Schreib/lese-Schaltung
Elektronik & Schaltungstechnik
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08.01.2020
Synchronisierungsvorrichtung und -Verfahren
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Zusammenfassung
The invention relates to a synchronization device (22) for synchronizing on a received signal (RS). The synchronization device (22) comprises: an auto-correlator (31) for determining for each of consecutive positions of the received signal (RS) an auto-correlation value (NAC) representing the auto-correlation between a portion of the received signal (RS) and a corresponding portion of a delayed version of the received signal (RS); a threshold comperator (33) for determining for each of a plurality of pre-defined threshold values ( X 1 , X 2 , ..., X N ) a reach position of the received signal (RS) at which the corresponding auto-correlation value (NAC) reaches the pre-defined threshold value ( X 1 , X 2 , ..., X N ); and a synchronizer (34) for synchronizing on the received signal (RS) based on a relation between the reach positions. |
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06.11.2019
Verfahren zum Ätzen von Silizium-Durchkontaktierungen und Zugehöriges Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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14.08.2019
Mos-Transistor für Strahlentolerante Digitale Cmos-Schaltungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.06.2019
Empfänger, Anordnung und Verfahren für die Ultrabreitband-Übertragung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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29.05.2019
Elektronische Schaltung mit Strahlungsgeschütztem Tmr-Flip-Flop
Elektronik & Schaltungstechnik
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Wer vertritt IHP – Innovations for High Performance Microelectronics?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die IHP – Innovations for High Performance Microelectronics vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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