IHP – Innovations for High Performance Microelectronics Patente
🇩🇪 Deutschland
Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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69 gesamt| Patent | |||
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09.08.2023
Fan-Out-Gehäuse auf Waferebene
EP4199072
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.07.2023
Ladungsverteilungsbasierter Vektormatrixmultiplizierer
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05.07.2023
Diode mit Lichtempfindlichem Intrinsischem Bereich
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21.06.2023
Auffächerungsgehäuse auf Waferebene
EP4199071
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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10.05.2023
Paralleler Fractional-N-Phasenregelkreis
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22.02.2023
Schaltbare Kombinator- Und/oder Splitterschaltung mit Wilkinson-Elementen
EP4138209
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
A switchable combiner and/or splitter circuit comprising at least two Wilkinson elements is suggested. The switchable circuit comprises one first terminal and for each Wilkinson element one pair of second terminals associated with the corresponding Wilkinson element. Each Wilkinson element connects the first terminal with the associated pair of second terminals. Each Wilkinson element includes a switchable component enabling selectively activating the associated pair of second terminals. The proposed solution combines a Single-Pole-Double-Through switch and a Wilkinson element and, thus, reduces the chip area required for integrating the circuit. |
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01.02.2023
Verfahren zum Glühen von Gebondeten Wafern
EP4125114
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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09.11.2022
Halbleiter Vorrichtung mit Rückseitenschutzmechanismus
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Zusammenfassung
The invention relates to a semiconductor device (100) comprising:a substrate stack (122) comprising two permanently bonded semiconductor bodies (102, 104), which are stacked in a depth direction that points perpendicularly from a front side (108) towards a back side (110) of the substrate stack, and which share a buried bonding interface (106) that extends at a respective distance from the front and back sides and parallel thereto; wherein:- a first of the two bodies, hereinafter the protection body (104), comprises an active region (113) with one or more light emitters (112) at the buried bonding interface, and a light absorption region (114), which follows the active region in the depth direction and is opaque for light emitted from the one or more light emitters;- a second of the two bodies, hereinafter the circuit body (102), extends from the buried bonding interface to the front side of the substrate stack, is transmissive for the light emitted from the one or more light emitters, and comprises at least one light detector (118, 120) at the front side of the substrate stack, which is configured to provide a detector signal indicative of a detected light intensity of light emitted from the one or more light emitters and transmitted through the circuit body.The semiconductor device further comprises a driver unit that is configured to drive operation of the light emitters using predetermined operation parameters. |
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26.10.2022
Substrat und Verfahren zur Monolithischen Integration von Elektronischen und Optoelektronischen Vorrichtungen
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03.08.2022
Verfahren zur Herstellung eines Elektrooptischen Phasenschiebers auf Basis von Ferroelektrischen Materialien
EP4036639
Optik & Fototechnik
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29.06.2022
Schlitzwellenleiter für einen Phasenschieber basierend auf Ferroelektrischen Materialien
EP4020068
Optik & Fototechnik
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08.06.2022
Elektrooptische Vorrichtung
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Zusammenfassung
The invention relates to an electrooptical device, comprising:- a semiconductor substrate having a front side and a back side;- at least one photonic component arranged on the front side of the semiconductor substrate, the photonic component comprising an active layer made of a non-linear optical material; wherein- at least one cavity, extends through the semiconductor substrate and connects the active layer on the front side of the semiconductor substrate with the back side of the semiconductor substrate. |
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11.05.2022
Diode mit Lichtempfindlichem Intrinsischem Bereich
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Zusammenfassung
The present invention relates to a diode (300) comprising a p-doped region (312), an n-doped region (314), and a light-sensitive intrinsic region (310) sandwiched laterally between the p-doped region (312) and the n-doped region (314) in a direction transverse to a direction of light propagation in the diode (300). The p-doped region (312) is made of a first material doped with a first type of dopant and the n-doped region (314) is made of a third material doped with a second type of dopant. The first material includes Si or SiGe. The third material includes Si or SiGe. The intrinsic region (310) is made of a second material different to at least one of the first material and the second material. The second material includes Ge, GeSn, or SiGe. The intrinsic region (310) has a maximal lateral extension between two lateral ends (318, 320) of the intrinsic region (310) of equal to or below 400 nm. The intrinsic region (310) is produced such that it (310) is not doped when the diode (300) is produced. |
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30.03.2022
Korrigierbarer Komparator für Dreifach Modulare Redundanzzelle
EP3975424
Elektronik & Schaltungstechnik
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09.03.2022
Echte Einphasige Taktspeichereinheit für Dreifache Modulare Redundanzzelle
EP3965296
Elektronik & Schaltungstechnik
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09.03.2022
Selbstkorrigierende Modular-Redundanz-Speichervorrichtung
EP3965294
Elektronik & Schaltungstechnik
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22.09.2021
Verstärkungsreglungsschaltung für einen Verstärker mit Variabler Verstärkung
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11.08.2021
Inhalatorsteuerungsclip und Inhalatorsteuerungsanordnung
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23.06.2021
Substrat und Verfahren zur Monolithischen Integration von Elektronischen und Optoelektronischen Bauelementen
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26.08.2020
Verfahren und System zum Überabtasten einer Wellenform mit Variablem Überabtastungs-Faktor
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01.07.2020
Identifizierung und Zählung von Partikeln mittels Dielektrophorese
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01.07.2020
Vorrichtung und Verfahren zur Analyse Biochemischer Flüssigkeiten
EP3674685
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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01.07.2020
Psss Funkkommunikationstechnologie für Hohe Datenraten
EP3675397
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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24.06.2020
Photonischer Sensorchip, Verpackte Photonische Sensorvorrichtung und Anordnung
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29.04.2020
Eingangsstromanpassung für Komplett Differentielle Transimpedanzverstärker
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01.04.2020
Auf Unter-Thz und Mittel-Infrarot Abstimmbare Halbleiter-Plasmonik
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26.02.2020
Verstärkungsschaltung mit Schreib/lese-Schaltung
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08.01.2020
Synchronisierungsvorrichtung und -Verfahren
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The invention relates to a synchronization device (22) for synchronizing on a received signal (RS). The synchronization device (22) comprises: an auto-correlator (31) for determining for each of consecutive positions of the received signal (RS) an auto-correlation value (NAC) representing the auto-correlation between a portion of the received signal (RS) and a corresponding portion of a delayed version of the received signal (RS); a threshold comperator (33) for determining for each of a plurality of pre-defined threshold values ( X 1 , X 2 , ..., X N ) a reach position of the received signal (RS) at which the corresponding auto-correlation value (NAC) reaches the pre-defined threshold value ( X 1 , X 2 , ..., X N ); and a synchronizer (34) for synchronizing on the received signal (RS) based on a relation between the reach positions. |
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06.11.2019
Verfahren zum Ätzen von Silizium-Durchkontaktierungen und Zugehöriges Halbleiterbauelement
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14.08.2019
Mos-Transistor für Strahlentolerante Digitale Cmos-Schaltungen
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29.05.2019
Elektronische Schaltung mit Strahlungsgeschütztem Tmr-Flip-Flop
EP3490149
Elektronik & Schaltungstechnik
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17.01.2018
Richtfunksystem und Verfahren zur Automatischen Antennenausrichtung
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11.10.2017
Verfahren zur Automatischen Antennenausrichtung und Sendeleistungsregulierung und Richtfunksystem
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Wer vertritt IHP – Innovations for High Performance Microelectronics?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die IHP – Innovations for High Performance Microelectronics vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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