Infineon Technologies Austria Patente
🇦🇹 Österreich
Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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703 gesamt| Patent | |||
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10.12.2025
Mehrphasiger Resonanter Leistungswandler
Elektrische Energietechnik
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10.12.2025
Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung
Elektrische Energietechnik
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10.12.2025
Steuerung eines Stromwandlers
Elektrische Energietechnik
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10.12.2025
Stromversorgung und Emulierte Strommodussteuerung
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 05.10.2022
Erteilt am 10.12.2025
Vertretung
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03.12.2025
Verfahren zur Herstellung eines Superjunction-Transistorbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 13.06.2019
Erteilt am 03.12.2025
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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03.12.2025
Leistungswandlerschaltungen
Elektrische Energietechnik
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26.11.2025
Induktorvorrichtungen und Implementierungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.10.2020
Erteilt am 26.11.2025
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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26.11.2025
Stromüberwachung und Verstärkungsregelung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 21.09.2021
Erteilt am 26.11.2025
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
Zusammenfassung
An apparatus includes a controller that controls operation of an amplifier. The amplifier receives a sample voltage produced by a resistive path; the sample voltage from the resistive path is indicative of a magnitude of current through a motor winding. The controller selects a gain setting to apply to the amplifier based on one or more conditions. The selected gain setting is selected amongst multiple possible gain settings. Subsequent to selection, via application of the selected gain setting to the amplifier, and based on an output of the amplifier, the controller monitors a magnitude of the current through the motor winding. According to one configuration, the amplifier adjusts the magnitude of the selected gain setting depending on one or more parameters such as the magnitude of the current through the motor winding, a selected operational range of controlling current through the motor winding, etc. |
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12.11.2025
Schaltnetzteilvorrichtung und Verfahren zum Betreiben einer Schaltnetzteilvorrichtung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 08.05.2024
Anhängig
Vertretung
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12.11.2025
Halbleiteranordnung und Verfahren zur Überwachung einer Halbleiteranordnung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 09.05.2024
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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05.11.2025
Magnetische Strukturen und Anordnung von Induktiven Pfaden
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.11.2025
Halbleiterscheibe und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 17.04.2018
Erteilt am 05.11.2025
Vertretung
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05.11.2025
Transistorgehäuse mit Innerer Flächenverbindung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.05.2024
Anhängig
Vertretung
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05.11.2025
Halbleiterbauelement mit Bodykontakten mit Dielektrischen Abstandshaltern und Zugehörige Verfahren zur Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.01.2019
Erteilt am 05.11.2025
Vertretung
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05.11.2025
Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.02.2019
Erteilt am 05.11.2025
Vertretung
Infineon Patent Department · München
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05.11.2025
Ionenfallenvorrichtungen und Zugehörige Herstellungsverfahren
Software & Datenverarbeitung
Elektrische Energietechnik
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Zusammenfassung
An ion trap device includes a dielectric substrate and a via hole extending through the dielectric substrate from a first main surface of the dielectric substrate to a second main surface of the dielectric substrate. The ion trap device further includes an electrically conductive etch stop layer arranged on the first main surface of the dielectric substrate, wherein the etch stop layer covers the via hole. The ion trap device further includes a metal layer of an ion trap at least partially arranged on the etch stop layer and an electrically conductive material arranged in the via hole, wherein the etch stop layer electrically couples the electrically conductive material and the metal layer. |
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29.10.2025
Vertikale Gan-Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.04.2024
Anhängig
Vertretung
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23.10.2025
Resistive current measurement device and method
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 17.04.2025
Anhängig
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15.10.2025
Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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15.10.2025
Ionenfalle
Software & Datenverarbeitung
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08.10.2025
Halbleitervorrichtung mit einer Substratschicht mit Schwebendem Basisbereich und Gate-Treiberschaltung
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 17.02.2022
Erteilt am 08.10.2025
Vertretung
Müller Hoffmann & Partner · München
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24.09.2025
Transistorvorrichtung mit Transistorzellengruppen mit Unterschiedlichen Mittleren Dotierungskonzentrationen im Körperbereich und Unterschiedlichen Quellenbereichsdichten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.04.2024
Erteilt am 24.09.2025
Vertretung
Infineon Patent Department · München
Zusammenfassung
A transistor device includes: a plurality of transistor cells in a semiconductor substrate; and a source pad above the semiconductor substrate and electrically connected to a source region and a body region of the transistor cells. A first group of the transistor cells has a first body region average doping concentration. A second group of the transistor cells has a second body region average doping concentration higher than the first body region average doping concentration. The transistor cells of the first and second groups are interleaved. The transistor cells have a first source region density in a first area of the semiconductor substrate underneath a region of the source pad designated for clip contacting, and a second source region density lower than the first source region density in a second area of the semiconductor substrate outside the first area. |
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17.09.2025
Steuergerät für einen Vorwärtsmodus-Strominjektionswandler, Vorwärtsmodus-Strominjektionswandler und Entsprechendes Verfahren
Elektrische Energietechnik
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17.09.2025
Durchführung von Quantenverarbeitung
Software & Datenverarbeitung
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17.09.2025
Verfahren zum Anfahren eines Stromrichters
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 15.03.2024
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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17.09.2025
Resonanzwandler
Elektrische Energietechnik
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17.09.2025
Induktor
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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10.09.2025
Elektronisches Bauteil mit Spiegel und Elektronischer Schaltung
Software & Datenverarbeitung
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 08.03.2024
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
An electronic component includes a semiconductor substrate having a first major surface and a second major surface opposing the first major surface. The electronic component further includes an electronic circuit integrated into the semiconductor substrate and a mirror arranged over the semiconductor substrate, wherein at least a portion of the mirror is inclined with respect to the first major surface of the semiconductor substrate. The electronic component further includes at least one electrical contact configured to provide an electrical coupling between the electronic circuit and at least one electrode of an ion trap. |
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10.09.2025
Fliegender Kondensatorausgleich für Standby-Betrieb
Fahrzeugtechnik (Automobil, Bahn & Schiff)
Elektrische Energietechnik
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10.09.2025
Vorrichtungen zur Steuerung von Eingefangenen Ionen mit Spezifischen Elektrodeneigenschaften
Software & Datenverarbeitung
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 08.03.2024
Anhängig
Vertretung
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10.09.2025
Ausgangsspannungserfassungsschutzvorrichtung und -Verfahren
Elektrische Energietechnik
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03.09.2025
Umrichter mit Hilfsschaltkreis, der einen Hilfsschalter und einen Hilfskondensator Umfasst
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 29.02.2024
Anhängig
Vertretung
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27.08.2025
Ionenfallenvorrichtung mit einem Substrat mit einer Öffnung für Elektrische Kopplungselemente
Software & Datenverarbeitung
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 26.02.2024
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
A device (100) for controlling trapped ions includes a carrier (2) including a mounting surface (4). The device further includes a substrate (6) including a top surface (8), a bottom surface (10) and at least one opening (12) extending through the substrate from the top surface to the bottom surface, wherein the bottom surface of the substrate is arranged on the mounting surface of the carrier. The device further includes a structured electrode layer (14) arranged on the top surface of the substrate, wherein the structured electrode layer forms a plurality of electrodes (16) of an ion trap configured to trap ions in a zone above the structured electrode layer. The device further includes a plurality of electrical coupling elements (18) extending through the at least one opening of the substrate, wherein the electrical coupling elements electrically couple the electrodes of the ion trap with a plurality of first electrical contacts (20) arranged on the mounting surface of the carrier. |
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27.08.2025
Vertikale Gan-Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.02.2024
Anhängig
Vertretung
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27.08.2025
Graben-Feld-Elektrodenanordnung für Transistorvorrichtungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.09.2020
Erteilt am 27.08.2025
Vertretung
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27.08.2025
Verpackung für einen Lateralen Leistungstransistor
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.11.2022
Erteilt am 27.08.2025
Vertretung
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27.08.2025
Halbleiterbauelement mit Nadelförmigen Feldplattenstrukturen und einem Stromausbreitungsbereich
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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20.08.2025
Stromwandler, Steuerschaltung und Stromwandlungsverfahren
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 14.02.2024
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
Zusammenfassung
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20.08.2025
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips mit einer Seitenwandabdichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.06.2020
Erteilt am 20.08.2025
Vertretung
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13.08.2025
Halbleitergehäuse mit einem Elektrischen Kontaktelement zur Verbindung eines Kontaktpads mit einem Substrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 06.02.2024
Anhängig
Vertretung
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Wer vertritt Infineon Technologies Austria?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Infineon Technologies Austria vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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