Infineon Technologies Austria Patente
🇦🇹 Österreich
Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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703 gesamt| Patent | |||
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06.08.2025
Verfahren zur Ausbildung einer Verbundschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.04.2018
Erteilt am 06.08.2025
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
Zusammenfassung
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06.08.2025
Schaltvorrichtungen und Anordnungen für eine Elektrode einer Ionenfalle
Software & Datenverarbeitung
Elektrische Energietechnik
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Zusammenfassung
A mechanism for maintaining a capacitance seen by one or more signal lines of an ion trap device. For each controllable connection between a signal line and an electrode of the ion trap device, a switching device or switching arrangement selectively couples the signal line to a capacitance for the electrode or to a dummy capacitance, to thereby maintain a similar output capacitance for the signal line. |
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23.07.2025
Effizientes Konzept zur Ansteuerung einer Pmos- und Nmos-Vollbrückenleistungsstufe
Elektrische Energietechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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Zusammenfassung
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23.07.2025
Ladungsumverteilung zur Versorgung eines Angetriebenen Schalters
Elektronik & Schaltungstechnik
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Zusammenfassung
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16.07.2025
Steuerung eines Asymmetrischen Halbbrückenwandlers
Elektrische Energietechnik
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Zusammenfassung
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09.07.2025
Kaskadierte Gate-Treiberausgänge für Stromwandlerschaltungen
Elektrische Energietechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 23.03.2022
Erteilt am 09.07.2025
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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09.07.2025
Bidirektionaler Sperrschicht-Feldeffekttransistor
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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02.07.2025
Halbleiteranordnung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 24.01.2023
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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02.07.2025
Verfahren zum Betrieb einer Superjunction-Transistorvorrichtung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 05.03.2021
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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02.07.2025
Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.12.2018
Erteilt am 02.07.2025
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
Zusammenfassung
A method comprises forming a layer stack with a plurality of first layers (110) of a first doping type and a plurality of second layers (120) of a second doping type complementary to the first doping type on top of a carrier (200). Forming the layer stack comprises forming a plurality of epitaxial layers (140<sub>n</sub>) on the carrier (200). Forming each of the plurality of epitaxial layers (140<sub>n</sub>) comprises depositing a layer of semiconductor material, forming at least two first implantation regions of one of a first type or a second type at different vertical positions of the respective layer of semiconductor material, and forming at least one second implantation region of a type that is complementary to the type of the first implantation regions, wherein the first implantation regions and the second implantation regions are arranged alternatingly. |
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02.07.2025
Elektronische Schaltung mit einer Kaskodenschaltung mit Zwei Transistorvorrichtungen
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 30.12.2023
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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25.06.2025
Halbleiterchip mit Vertikaler Transistorvorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 21.05.2021
Erteilt am 25.06.2025
Vertretung
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25.06.2025
Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.08.2020
Erteilt am 25.06.2025
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
Zusammenfassung
A semiconductor device comprises a semiconductor body (100) comprising a first surface (101), a second surface (102) opposite to the first surface (101) in a vertical direction (y), an active region (220), and a sensor region (230) arranged adjacent to the active region (220) in a first horizontal direction (x). The semiconductor device further comprises a plurality of transistor cells (30<sub>1</sub>, 30<sub>2</sub>) at least partly integrated in the active region (220), each transistor cell (30<sub>1</sub>, 30<sub>2</sub>) comprising a source region (31), a body region (32), a drift region (35) separated from the source region (31) by the body region (32), and a gate electrode (33) dielectrically insulated from the body region (32). The semiconductor device further comprises at least one sensor cell (30<sub>s</sub>) at least partly integrated in the sensor region (230), each of the at least one sensor cell (30<sub>s</sub>) comprising a source region (31), a body region (32), a drift region (35) separated from the source region (31) by the body region (32), and a gate electrode (33) dielectrically insulated from the body region (32). The source regions (31) of the plurality of transistor cells (30<sub>1</sub>, 30<sub>2</sub>) are coupled to a first source electrode (411), and the source regions (31) of the at least one sensor cell (30<sub>s</sub>) are coupled to a second source electrode (412) separate and distant from the first source electrode (411). At least one of the plurality of transistor cells (30<sub>1</sub>, 30<sub>2</sub>) directly adjoins one of the at least one sensor cells. |
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25.06.2025
Halbleitertransistorvorrichtung und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.07.2019
Erteilt am 25.06.2025
Vertretung
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18.06.2025
Halbleitersubstrat und Verfahren zur Herstellung eines N-Dotierten Gruppe-Iii-Nitrid-Kontakts
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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18.06.2025
Iii-V Halbleiteranordnung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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18.06.2025
Dynamische Gleichtaktsteuerung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 29.06.2020
Erteilt am 18.06.2025
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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18.06.2025
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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18.06.2025
Ionenfalle mit einer Schaltvorrichtung
Software & Datenverarbeitung
Elektrische Energietechnik
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18.06.2025
Vorrichtungen zur Kontrolle von Gefangenen Atomen und Verfahren zur Herstellung davon
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 12.12.2023
Anhängig
Vertretung
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11.06.2025
Halbleitergehäuse mit Leiterrahmen mit einer Metallplattierten Bondfläche
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.12.2023
Anhängig
Vertretung
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11.06.2025
Mehrstufiger Leistungswandler und Steuerung
Steuerungs- & Regelungstechnik
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 07.10.2021
Erteilt am 11.06.2025
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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04.06.2025
Programmierbare Gate-Treiberschaltung für einen Integrierten Leistungsschalter
Elektronik & Schaltungstechnik
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28.05.2025
Vorrichtungen und Verfahren zur Periodischen Kühlung von Eingefangenen Ionen
Software & Datenverarbeitung
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 27.11.2023
Anhängig
Vertretung
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21.05.2025
Feldeffekttransistor mit Hoher Elektronenmobilität mit Kristallographisch Ausgerichteter Elektrodenbereichsstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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21.05.2025
Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.02.2020
Erteilt am 21.05.2025
Vertretung
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21.05.2025
Halbleitertransistorvorrichtung und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 07.02.2020
Erteilt am 21.05.2025
Vertretung
Zusammenfassung
The application relates to a semiconductor transistor device (1), having a source region (2), a body region (3) comprising a channel region (3.1) extending in a vertical direction (10), a drain region (4), a gate region (6) arranged aside the channel region (3.1) in a lateral direction (11), and a body contact region (7) made of an electrically conductive material (9), wherein the body contact region (7) forms a body contact area (8), the body contact region (7) being in an electrical contact with the body region (3) via the body contact area (8), and wherein the body contact area (8) is tilted with respect to the vertical direction (10) and the lateral direction (11). |
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21.05.2025
Gruppe-Iii-Nitrid-Transistorvorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Gruppe-Iii-Nitrid-Transistorvorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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14.05.2025
Motorantriebssystem und Entsprechendes Verfahren
Elektrische Energietechnik
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14.05.2025
Leiterrahmenpackung mit Erhöhter Routing-Fähigkeit
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 13.11.2023
Anhängig
Vertretung
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14.05.2025
Leistungsmodul mit Metallsubstrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.06.2021
Erteilt am 14.05.2025
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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07.05.2025
Fliegender Kondensatorausgleich
Elektrische Energietechnik
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30.04.2025
Schutzkappe für Gehäuse mit Wärmeschnittstellenmaterial
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.02.2020
Erteilt am 30.04.2025
Vertretung
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30.04.2025
Geformtes Leistungschipgehäuse mit Vertikaler Verbindung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.10.2023
Anhängig
Vertretung
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30.04.2025
Galvanischer Isolierter Gate-Treiber auf Basis eines Transformators Sowohl für Energieübertragung von Primär- zu Sekundärspule als Auch Datenübertragung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 01.03.2022
Erteilt am 30.04.2025
Vertretung
Infineon Patent Department · München
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30.04.2025
Vergossenes Leistungsgehäuse mit Vertikaler Verbindung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.10.2023
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
A molded power package includes a laser-activatable mold compound having a plurality of laser-activated regions which are plated with an electrically conductive material to form metal pads and/or metal traces at a first side of the laser-activatable mold compound. The package further includes a semiconductor power die embedded in the laser-activatable mold compound and having a plurality of bond pads and a bond pad interconnect electrically connecting the plurality of bond pads of the semiconductor power die to the metal pads and/or metal traces at the first side of the laser-activatable mold compound. A leadframe includes a carrier section on which the semiconductor power die is mounted and a carrier interconnect section integral with the carrier section. The carrier interconnect section electrically connects the carrier section to the metal pads and/or metal traces at the first side of the laser-activatable mold compound. An upper surface of the carrier interconnect section is at a height that is elevated relative to an upper surface of the carrier section. |
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23.04.2025
Inverswandler und Leistungswandler mit Inverswandler
Elektrische Energietechnik
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23.04.2025
Halbleiterschaltelement und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.12.2019
Erteilt am 23.04.2025
Vertretung
Zusammenfassung
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09.04.2025
Stromwandler und Verfahren zum Betrieb eines Stromwandlers
Elektrische Energietechnik
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Zusammenfassung
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03.04.2025
Method for forming electrodes and semiconductor device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.09.2024
Anhängig
Zusammenfassung
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Wer vertritt Infineon Technologies Austria?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Infineon Technologies Austria vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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