Taiwan Semiconductor Manufacturing Patente
🇹🇼 Taiwan
Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC) ist der weltweit größte reine Halbleiter-Auftragsfertiger mit Sitz in Hsinchu, Taiwan. Der weit überwiegende Teil des Patentportfolios betrifft Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Datenspeicherung und Nachrichtentechnik. Anmeldungen laufen durchgehend von 2000 bis 2022.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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354 gesamt| Patent | |||
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12.01.2022
Halbleiterstruktur mit Eingebetteter Speichervorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.01.2022
Feldeffekttransistoren mit Negativen Kapazitiven Schichten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.01.2022
Sram-Entwurf mit Vier-Poly-Pitch
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.01.2022
Speicherarchitektur
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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12.01.2022
Zielsteuerung in Systemen zur Extremen Ultravioletten Lithografie unter Verwendung der Aberration des Reflexionsbildes
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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12.01.2022
Systeme und Verfahren zur Erzeugung von Synthetisierbaren Netzlisten aus Entwürfen auf Registertransferebene
Software & Datenverarbeitung
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12.01.2022
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und System dafür
Software & Datenverarbeitung
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12.01.2022
Kondensator, Speichervorrichtung und Verfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.01.2022
Halbleiterbauelement und Verfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.01.2022
Plasmaätzerkantenring mit Abgeschrägter Geometrie und Impedanzbeeinflussendem Design
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.01.2022
Integrierter Chip mit Hohlraumstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.01.2022
Verbindungsstruktur in Halbleitergehäuse und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.01.2022
Halbleiterbauelement mit Vergrabenen Vorspannungskissen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.01.2022
Herstellungsverfahren eines Halbleiterbauelements mit Reduziertem Loading-Effekt
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.01.2022
Speichervorrichtung, Halbleiterbauelement und Zugehöriges Verfahren
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.01.2022
System für eine Halbleiterherstellungsanlage
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.01.2022
Gehäuse
Optik & Fototechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.01.2022
Dünnfilmtransistoren mit Hybrider Kristalliner Halbleiterkanalschicht und Verfahren zu deren Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.01.2022
Reinigungswerkzeug für Wafer-Handler
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.01.2022
Designlösung mit Gemischter Poly-Schrittweite zur Optimierung des Stromverbrauchs
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.01.2022
Zweistufiger Fehlerkorrekturcode mit Gemeinsamen Prüfbits
Software & Datenverarbeitung
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05.01.2022
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und Mustererzeugungsverfahren
Optik & Fototechnik
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05.01.2022
Speichervorrichtung und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.01.2022
Replacement-Metal-Gate-Vorrichtungsstruktur und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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08.12.2021
Vorrichtung und Verfahren zur Formung einer Partikelabschirmung
Optik & Fototechnik
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17.11.2021
Überlastungsinduzierte Videoskalierung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 02.11.2012
Erteilt am 17.11.2021
Vertretung
Coyle, Philip Aidan · Dublin
FRKelly · Dublin
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17.11.2021
Shared-Bit-Leitungs-Smt-Mram-Array mit Sperrtransistoren zwischen den Bit-Leitungen
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 28.06.2011
Erteilt am 17.11.2021
Vertretung
Schuffenecker, Thierry · Cagnes-sur-Mer
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27.10.2021
Lesestörungsfreie Smt-Mram-Referenzzellenschaltung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 03.02.2011
Erteilt am 27.10.2021
Vertretung
Schuffenecker, Thierry · Cagnes-sur-Mer
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29.09.2021
Tv-White-Space-Geräte mit Strukturierten Datenbanken
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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29.09.2021
Keimschicht für eine Dünnschicht mit Senkrechter Magnetischer Anisotropie
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.04.2014
Erteilt am 29.09.2021
Vertretung
Schuffenecker, Thierry · Cagnes-sur-Mer
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15.09.2021
Verfahren zur Strukturierung einer Zielschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.10.2016
Erteilt am 15.09.2021
Vertretung
Awapatent AB · Helsingborg
AWA Sweden AB · Stockholm
Zusammenfassung
Methods for defining routing tracks in a target layer (100) above a standard cell semiconductor device (1) comprising a device layer (10) and routing tracks for contacting the device layer are disclosed, wherein mandrels (111, 112, 113) and a first and a second set of spacers (121, 122, 123, 124; 140) are used for defining the routing tracks. The routing tracks include at least two pairs of off-centre routing tracks (T1, T2; T3, T4), a central routing track (T5) arranged between the pairs of off-centre routing tracks, and at least two edge tracks (T6, T7) arranged on opposing sides of the at least two pairs of off-centre routing tracks, wherein a minimum distance (W3, W4) between an off-centre routing track and the central routing track next to the off-centre routing track, is smaller than a minimum distance (W2, W5) between adjacent off-centre routing tracks. |
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15.09.2021
Referenzzellenarchitekturen zur Aktivierung Kleiner Speicherarrayblöcke
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 20.10.2011
Erteilt am 15.09.2021
Vertretung
Schuffenecker, Thierry · Cagnes-sur-Mer
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23.06.2021
Herstellung von Metalldeckelektroden mit Grosser Höhe für Magnetische Tunnelübergangsbauelemente mit Breiten unter 60 Nm von Magnetoresistiven Direktzugriffsspeichervorrichtungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.02.2019
Erteilt am 23.06.2021
Vertretung
Schuffenecker, Thierry · Cagnes-sur-Mer
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19.05.2021
Magnetischer Tunnelübergang mit Niedriger Defektrate nach Hochtemperaturglühung für Anwendungen mit Magnetischen Vorrichtungen
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.07.2016
Erteilt am 19.05.2021
Vertretung
Schuffenecker, Thierry · Cagnes-sur-Mer
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28.04.2021
Tunnelfeldeffekttransistor
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.01.2015
Erteilt am 28.04.2021
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28.04.2021
Cmp-Stoppschicht und -Opferschicht für Vorrichtungen mit Kleinem Hochleistungs-Mram
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 07.02.2019
Erteilt am 28.04.2021
Vertretung
Schuffenecker, Thierry · Cagnes-sur-Mer
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14.04.2021
Austauschbare Leitungen mit Genauer Verfolgungsreferenz für Speicherprodukte
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 22.09.2011
Erteilt am 14.04.2021
Vertretung
Schuffenecker, Thierry · Cagnes-sur-Mer
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17.03.2021
Mikrospiegelvorrichtung enthaltendes dielektrophoretisches Flüssigkeit
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 30.09.2003
Erteilt am 17.03.2021
Vertretung
Schoppe, Fritz · Pullach
Schoppe, Fritz, Dipl.-Ing · München
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20.01.2021
Programmierung mit Geboosteter Gatespannung für ein Spin-Torque-Mram-Array
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 19.10.2009
Erteilt am 20.01.2021
Vertretung
Schuffenecker, Thierry · Cagnes-sur-Mer
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23.12.2020
Verbessertes Speicherelement für Stt-Mram-Anwendungen
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 13.09.2013
Erteilt am 23.12.2020
Vertretung
Schuffenecker, Thierry · Cagnes-sur-Mer
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Wer vertritt Taiwan Semiconductor Manufacturing?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Taiwan Semiconductor Manufacturing vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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