Infineon Technologies Patente
🇩🇪 Deutschland
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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4.872 gesamt| Patent | |||
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25.12.2024
Kombiniertes Schallwandler- und Drucksensorgehäuse
EP4480897
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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25.12.2024
Druckwandlerverpackung mit einem Starren Übertragungsblock und einem Montagetoleranzabschnitt
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25.12.2024
Mems-Vorrichtung und Verfahren zum Betrieb einer Mems-Vorrichtung
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Status
Angemeldet am 20.06.2023
Anhängig
Vertretung
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25.12.2024
Hochfrequenzhalbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Hochfrequenzhalbleiterbauelements
EP4481812
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.12.2024
Vorrichtung und Verfahren zur Os-Cfar-Detektion und Radarsystem
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25.12.2024
Vorrichtung und Verfahren zur Os-Cfar-Detektion und Radarsystem
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25.12.2024
Slaveeinrichtung, Bussystem und Verfahren
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25.12.2024
Hemt-Gehäuse mit Bonddrahtfreien Verbindungen
EP4447102
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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19.12.2024
Gesicherter Zugang zu Fahrzeuginternen Endknoten und Wege zur Verbesserung der Fahrzeugfunktionalität
WO2024256428
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 12.06.2024
Anhängig
Vertretung
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19.12.2024
Effizienter und Gesicherter Zugang zu Fahrzeuginternen Endknoten über eine Fahrzeugflotte Hinweg
WO2024256368
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 11.06.2024
Anhängig
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18.12.2024
Adaptive Leistungsregelung für Indirekten Leistungsmodus
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Status
Angemeldet am 06.01.2021
Erteilt am 18.12.2024
Vertretung
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18.12.2024
Vorrichtung zur Messung der Winkelstellung einer Welle
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Status
Angemeldet am 04.08.2020
Erteilt am 18.12.2024
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
Zusammenfassung
Im Folgenden wird eine Vorrichtung zur Messung der Winkelstellung oder der Drehbewegung einer Welle beschrieben. Gemäß einem Ausführungsbeispiel weilst die Vorrichtung ein erstes Gehäuseteil sowie eine in dem ersten Gehäuseteil angeordnete und um eine Rotationsachse drehbare Welle auf. Die Welle weist eine Bohrung auf, die sich von einer Stirnseite der Welle entlang der Rotationsachse in die Welle hinein erstreckt. Die Vorrichtung umfasst weiter eine Magneteinheit mit mindestens einem Permanentmagneten, der innerhalb der Bohrung angeordnet und an der Welle befestigt ist, ein zweites Gehäuseteil mit einem Vorsprung, der sich entlang der Rotationsachse in die Bohrung hinein erstreckt, sowie ein im Inneren des Vorsprungs des zweites Gehäuseteils angeordnetes Magnetfeld-Sensorelement. |
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18.12.2024
Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Erhöhung der Pin-Ausrichtungsgenauigkeit für Leistungshalbleitermodule
EP4478408
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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11.12.2024
Mems-Vorrichtung mit einem Passiven Akustischen Dämpfungsfilter
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Status
Angemeldet am 11.05.2021
Erteilt am 11.12.2024
Vertretung
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11.12.2024
Vorrichtung und Verfahren zur Gestenerkennung, Radarsystem und Elektronische Vorrichtung
EP4474855
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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04.12.2024
Schnittstellenmaterial mit einer Polymeren Keramik
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Status
Angemeldet am 15.01.2019
Erteilt am 04.12.2024
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04.12.2024
Startkalibrierung und Digitale Temperaturkompensation für eine Low-Loop-Vco-Basierte Adc-Architektur
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Status
Angemeldet am 24.05.2024
Anhängig
Vertretung
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04.12.2024
Halbleitermodul mit Schmelzbaren Verkapselungszonen
EP4471845
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.11.2024
Flugzeitsensorvorrichtung und Flugzeitsensoranordnung
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Status
Angemeldet am 04.03.2019
Erteilt am 27.11.2024
Vertretung
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27.11.2024
Klassifizierungssystem und Verfahren zur Klassifizierung eines Externen Aufpralls auf ein Fenster oder auf eine Zugangsöffnung einer Geschlossenen Struktur
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Status
Angemeldet am 22.01.2020
Erteilt am 27.11.2024
Vertretung
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20.11.2024
Temperatursensoranordnung in einem Halbleitermodul
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Status
Angemeldet am 28.03.2023
Erteilt am 20.11.2024
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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20.11.2024
Antennenvorrichtung und Herstellungsverfahren
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Status
Angemeldet am 27.07.2021
Erteilt am 20.11.2024
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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13.11.2024
Verfahren zur Herstellung eines Grabenoxids in einem Graben für eine Gate-Struktur in einem Halbleitersubstrat
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Status
Angemeldet am 28.12.2018
Erteilt am 13.11.2024
Vertretung
Zusammenfassung
A method of manufacturing a trench oxide in a trench for a gate structure in a semiconductor substrate is described. The method comprises generating the trench (110) in the semiconductor substrate (101); generating an oxide layer (120) over opposing sidewalls (110A, 110B) of the trench; damaging at least a portion (121) of the oxide layer by ion implantation; coating the oxide layer with an etching mask (130); generating at least one opening (131) in the etching mask adjacent to one of the opposing sidewalls; and partly removing the oxide layer by etching the oxide layer beneath the etching mask down to an etching depth (ED) at the one of the opposing sidewalls (110A) by introducing an etching agent into the opening. |
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13.11.2024
Applikationssystem mit Passivem Akustischem Filter
EP4462811
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 11.05.2023
Anhängig
Vertretung
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06.11.2024
Mems-Vorrichtungen
EP3772485
erteilt
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Status
Angemeldet am 06.08.2020
Erteilt am 06.11.2024
Vertretung
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06.11.2024
Verfahren zur Implantation von Spezies in ein Substrat in Verschiedene Tiefen
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Status
Angemeldet am 20.05.2019
Erteilt am 06.11.2024
Vertretung
Zusammenfassung
A method of implanting an implant species into a substrate at different depths is described. The method includes forming an implant mask over the substrate. The implant mask includes a first implant zone designed as an opening and a second implant zone designed as a block array. The implant species is implanted through the implant mask under an implant angle tilted against a block plane. Thereby, a first implant area is formed by the implant species at a first depth in the substrate beneath the first implant zone, and a second implant area is formed by the implant species at a second depth in the substrate beneath the second implant zone. The first depth is greater than the second depth. |
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30.10.2024
Führungssystem für einen Roboter, Basisstation mit einem Solchen Führungssystem und Verfahren zum Führen eines Roboters
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Status
Angemeldet am 15.09.2020
Erteilt am 30.10.2024
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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30.10.2024
Invertierte Doherty-Verstärkervorrichtung
EP4456419
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 28.04.2023
Anhängig
Vertretung
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30.10.2024
Verfahren zur Herstellung einer Elektronischen Modulanordnung und Elektronische Modulanordnung
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Status
Angemeldet am 23.12.2016
Erteilt am 30.10.2024
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
Zusammenfassung
One aspect relates to a method for producing an electronic module assembly. In that method, a curable first mass extending between a substrate assembly and a module housing is cured while a circuit carrier of the substrate assembly comprises at least a first temperature. Between a side wall of the module housing and the substrate assembly, an adhesive connection is formed by curing a curable second mass. Subsequent to curing the first mass, the circuit carrier is cooled down to below a second temperature lower than the first temperature. |
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30.10.2024
Leistungshalbleitermodulanordnung
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Status
Angemeldet am 24.09.2018
Erteilt am 30.10.2024
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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23.10.2024
Radarbasierte Zielsatzgenerierung
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Status
Angemeldet am 27.10.2021
Erteilt am 23.10.2024
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
Zusammenfassung
In an embodiment, a method for generating a target set using a radar includes: generating, using the radar, a plurality of radar images; receiving the plurality of radar images with a convolutional encoder; and generating the target set using a plurality of fully-connected layers based on an output of the convolutional encoder, where each target of the target set has associated first and second coordinates. |
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23.10.2024
Vorrichtung, Radarsystem, Elektronische Vorrichtung und Verfahren
EP4451001
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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23.10.2024
Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung eines Flugzeitsensors Und/oder einer Abdeckung des Flugzeitsensors
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Status
Angemeldet am 05.06.2020
Erteilt am 23.10.2024
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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23.10.2024
Monolithisches Fluidsensorsystem und Verfahren zur Herstellung des Monolithischen Fluidsensorsystems
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Status
Angemeldet am 10.02.2022
Erteilt am 23.10.2024
Vertretung
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16.10.2024
Effiziente Filterarchitektur mit Reduzierter Gruppenverzögerung zur Dekomprimierung mit einem Prädiktor
EP4436207
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 12.03.2024
Anhängig
Vertretung
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16.10.2024
Substratanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Substratanordnung
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Status
Angemeldet am 16.11.2022
Erteilt am 16.10.2024
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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09.10.2024
Benutzerauthentifizierung mittels Mm-Wellen-Sensor für Kraftfahrzeugradarsysteme
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Status
Angemeldet am 22.01.2020
Erteilt am 09.10.2024
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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09.10.2024
Strukturen und Verfahren zur Verbesserung der Lesbarkeit eines Substratstrichcodes
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09.10.2024
Schalterbauelement mit U-Förmigem Phasenwechselmaterial und Herstellungsverfahren dafür
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09.10.2024
Sensor Positioniert hinter einem Mikro-Led-Bereich Innerhalb eines Oled-Displays
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Angemeldet am 12.11.2020
Erteilt am 09.10.2024
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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Wer vertritt Infineon Technologies?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Infineon Technologies vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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