Infineon Technologies Patente
🇩🇪 Deutschland
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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4.872 gesamt| Patent | |||
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09.10.2024
Schalterbauelement mit U-Förmigem Phasenwechselmaterial und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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09.10.2024
Strukturen und Verfahren zur Verbesserung der Lesbarkeit eines Substratstrichcodes
Optik & Fototechnik
Software & Datenverarbeitung
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02.10.2024
Substratanordnung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 29.03.2023
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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02.10.2024
Synchronisation für Lichtquellentreiberschaltung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 21.04.2017
Erteilt am 02.10.2024
Vertretung
Jaumann, Paolo · Milano
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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02.10.2024
Gasempfindliche Vorrichtung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 20.11.2020
Erteilt am 02.10.2024
Vertretung
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25.09.2024
Lineare Verlaufsanordnung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 09.08.2013
Erteilt am 25.09.2024
Vertretung
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25.09.2024
Mems-Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung davon
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Status
Angemeldet am 15.03.2019
Erteilt am 25.09.2024
Vertretung
Zusammenfassung
A MEMS device comprises a first electrode structure and a second electrode structure forming a capacitive sensing arrangement. The MEMS device comprises a plurality of anti-stiction bumps arranged between the first electrode structure and the second electrode structure at a corresponding plurality of locations. The plurality of locations being projected into a main surface of the second electrode structure is distributed so as to comprise a first distribution density in a first main surface region of the main surface and so as to comprise second, different distribution density in a second main surface region of the main surface, the second main surface region being delimited from the first main surface region. |
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25.09.2024
Lautsprechervorrichtung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 23.03.2023
Anhängig
Vertretung
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25.09.2024
Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur dessen Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.01.2018
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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18.09.2024
Verfahren zur Herstellung eines Metall-Keramik-Substrats und Metall-Keramik-Substrat
Anorganische Chemie & Werkstoffe
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Status
Angemeldet am 30.09.2016
Erteilt am 18.09.2024
Vertretung
Zusammenfassung
The invention relates to a method for producing a metal-ceramic substrate (1, 11, 12), in which at least one metal layer (3) is attached to at least one surface side of a ceramic layer (2), which metal layer (3) is structured into several metallization regions (5, 6) respectively separated from one another by at least one trench-shaped intermediate space (4) to form conductive paths and/or connective surfaces and/or contact surfaces, wherein at least the intermediate space (4) is filled with an electrically insulating filler material (7). First edges (8) of the metallization regions (5, 6) facing and adjoining the surface side of the ceramic layer (2) in the intermediate space (4), as well as at least one second edge (9) of the metallization regions (5, 6) facing away from the surface side of the ceramic layer (2) in the intermediate space (4), are covered by the filler material (7). Furthermore, the invention relates to an associated metal-ceramic substrate (1, 11, 12). |
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18.09.2024
Schaltungsanordnung mit einem Ersten Transistor und einem Zweiten Transistor, der ein Gemeinsames Gate-Signal Empfängt
Elektronik & Schaltungstechnik
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18.09.2024
Pixelselektionsverfahren für einen Lichtquellenmatrixtreiber
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 21.04.2017
Erteilt am 18.09.2024
Vertretung
Jaumann, Paolo · Milano
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
Zusammenfassung
In some examples, a device includes at least two light sources, buffer circuitry configured to receive a bit stream, and driver circuitry configured to receive the bit stream from the buffer circuitry and to drive the at least two light sources based on the bit stream. In some examples, the device further includes monitor circuitry configured to determine a voltage drop across each light source of the at least two light sources and snooping circuitry configured to read an inactive bit of the bit stream. In some examples, the snooping circuitry is further configured to read an active bit of the bit stream after reading the inactive bit and based on a value of the inactive bit and to cause the monitor circuitry to determine a voltage drop across a light source of the at least two light sources based on a value of the active bit. |
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11.09.2024
Volladaptiver Radar für Ubiquitine Menschliche Messanwendungen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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11.09.2024
Phasenwechselschalter mit Selbstausrichtendem Heizelement und Hf-Anschlüssen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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11.09.2024
Vorrichtung, Radarsystem, Elektronische Vorrichtung und Verfahren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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11.09.2024
Leistungshalbleitermodulanordnung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.03.2023
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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04.09.2024
Vorrichtung mit einem Laufzeitsensor und Verfahren zur Charakterisierung eines Laufzeitsensors
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 20.07.2020
Erteilt am 04.09.2024
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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04.09.2024
Integration der Verfolgung mit einem Klassifizierer in Millimeterwellenradar
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 22.10.2020
Erteilt am 04.09.2024
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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04.09.2024
Aktiv Nachführung der Schaltgeschwindigkeit eines Leistungstransistors
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 07.07.2021
Erteilt am 04.09.2024
Vertretung
Infineon Patent Department · München
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04.09.2024
Halbleiteranordnung und Halbleitermodulanordnung
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.03.2023
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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04.09.2024
Gehäuse für eine Leistungshalbleitermodulanordnung
Maschinenelemente & Fluidtechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 07.12.2021
Erteilt am 04.09.2024
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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04.09.2024
Photonischer Säulenkristall
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 03.04.2019
Erteilt am 04.09.2024
Vertretung
Zusammenfassung
There are disclosed techniques (e.g., implemented in devices, methods and/or in non-transitory storage units) for confining wavelengths, e.g., using a pillar photonic crystal. A semiconductor device (10, 10a) may comprise: a pillar photonic crystal (11) including a structure (13, 13a) and a plurality of pillars (12) extending from the structure (13, 13a) in a height direction (z), wherein the plurality of pillars (12) form at least one waveguide (15) for electromagnetic radiation at a specific wavelength, the at least one waveguide (15) extending in at least one planar direction, wherein the structure (13, 13a) includes a confining layer (14) in doped semiconductor material to support propagation of surface plasmon polaritons. |
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04.09.2024
Anordnungen und Verfahren zur Bereitstellung einer Drahtbondverbindung
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.04.2018
Erteilt am 04.09.2024
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
Zusammenfassung
A method comprises heating a first electrically conductive layer (14) that is to be electrically contacted, and that is arranged on a first element (10), and pressing a first end (22) of a bonding wire (20) on the first electrically conductive layer (14) by exerting pressure to the first end (22) of the bonding wire (20), and further by exposing the first end (22) of the bonding wire (20) to ultrasonic energy, thereby deforming the first end (22) of the bonding wire (20) and creating a permanent substance-to-substance bond between the first end (22) of the bonding wire (20) and the first electrically conductive layer (14). The bonding wire (20) either comprises a rounded cross section with a diameter (d1) of at least 125µm or a rectangular cross section with a first width (w1) of at least 500µm and a first height (h1) of at least 50µm. |
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04.09.2024
Mems-Kompensationsschleife
Elektronik & Schaltungstechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 21.02.2024
Anhängig
Vertretung
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04.09.2024
Leistungshalbleitermodulanordnung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 14.12.2017
Erteilt am 04.09.2024
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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04.09.2024
Reflektanzmessung mit Flugzeitkameras
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 14.05.2020
Erteilt am 04.09.2024
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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28.08.2024
Überwachungsvorrichtung für ein Hochvolt-Bordnetz und Verfahren zum Betreiben einer Überwachungsvorrichtung
Fahrzeugtechnik (Automobil, Bahn & Schiff)
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 15.09.2022
Anhängig
Vertretung
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28.08.2024
Vorrichtung zum Schutz vor Elektrostatischer Entladung für eine Usb-Schnittstelle
Software & Datenverarbeitung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 02.07.2020
Erteilt am 28.08.2024
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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28.08.2024
Herstellung und Wiederverwendung von Halbleitersubstraten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.08.2024
Mems-Schallwandlerelement
Verfahrens- & Trenntechnik
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Status
Angemeldet am 15.07.2019
Erteilt am 28.08.2024
Vertretung
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28.08.2024
Radiofrequenzhalbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Radiofrequenzhalbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.08.2024
Substrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 23.02.2023
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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21.08.2024
Abschwächung von Interferenzen in einer Vorrichtung mittels Sensorfusion
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 24.06.2020
Erteilt am 21.08.2024
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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14.08.2024
Einpressstiftkonfigurationen für Leistungshalbleitermodule
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 02.02.2024
Anhängig
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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14.08.2024
Lötbare Elektronische Vorrichtung und Verfahren zu Ihrer Herstellung
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 07.02.2023
Anhängig
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14.08.2024
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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07.08.2024
Leistungshalbleitermodul mit Risserkennung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 16.11.2023
Anhängig
Vertretung
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31.07.2024
Mems-Vorrichtung mit Membran mit Laserstrukturierten Nanostrukturen und Verfahren zur Herstellung davon
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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31.07.2024
Vorrichtungen Einschliesslich Hochfrequenzvorrichtungen und -Verfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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31.07.2024
Sensor und Verfahren zur Durchführung einer Messung mit Geführter Wärmestrahlung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Angemeldet am 01.06.2021
Erteilt am 31.07.2024
Vertretung
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Wer vertritt Infineon Technologies?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Infineon Technologies vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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