Renesas Electronics Patente
🇯🇵 Japan
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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1.103 gesamt| Patent | |||
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05.06.2019
Kommunikationssystem
Fahrzeugtechnik (Automobil, Bahn & Schiff)
Software & Datenverarbeitung
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05.06.2019
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.06.2019
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.06.2019
Halbleiterbauelement und Leistungsüberwachungsverfahren dafür
Steuerungs- & Regelungstechnik
Software & Datenverarbeitung
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29.05.2019
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
A memory gate electrode and a control gate electrode are formed to cover a fin projecting from the upper surface of a semiconductor substrate. A part of the fin which is covered by the memory gate electrode and the control gate electrode is sandwiched by a silicide layer as a part of a source region and a drain region of a memory cell. This silicide layer is formed as a silicide layer. |
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29.05.2019
Fahrzeuginterne Kommunikationsvorrichtung und Mauterfassungsverfahren
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
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23.05.2019
Semiconductor device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.11.2017
Anhängig
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22.05.2019
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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22.05.2019
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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22.05.2019
Halbleitervorrichtung, Ladungspumpenschaltung, Halbleitersystem, Fahrzeug, und Steuerungsverfharen einer Halbleitervorrichtung
Steuerungs- & Regelungstechnik
Elektrische Energietechnik
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22.05.2019
Simulationsvorrichtung, Simulationssystem , Simulationsverfahren und Simulationsprogramm
Software & Datenverarbeitung
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15.05.2019
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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08.05.2019
Halbleiterspeichervorrichtung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 04.03.2015
Erteilt am 08.05.2019
Vertretung
Addiss, John William · London
Betten & Resch · München
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08.05.2019
Simulationsvorrichtung und Simulationsprogramm zur Fehlerinjektion in einer Mehrzahl von Modellen
Software & Datenverarbeitung
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08.05.2019
Halbleitervorrichtung und Prozessorsystem damit
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 25.03.2014
Erteilt am 08.05.2019
Vertretung
Calderbank, Thomas Roger · London
Mewburn Ellis LLP · München
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01.05.2019
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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17.04.2019
Leistungsregelkreis
Steuerungs- & Regelungstechnik
Elektrische Energietechnik
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17.04.2019
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.03.2018
Anhängig
Vertretung
Betten & Resch · München
Mewburn Ellis LLP · München
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17.04.2019
Halbleiterbauelement, Temperatursensor und Leistungsversorgungsspannungsmonitor
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Zusammenfassung
According to one embodiment, a semiconductor device 1 includes a temperature sensor module 10 that outputs a non-linear digital value with respect to temperature and a substantially linear sensor voltage value with respect to the temperature, a storage unit 30 that stores the temperature, the digital value, and the sensor voltage value, and a controller 40 that calculates a characteristic formula using the temperature, the digital value, and the sensor voltage value stored in the storage unit 30, in which the temperature, the digital value, and the sensor voltage value stored in the storage unit 30 include absolute temperature under measurement of absolute temperature, the digital value at the absolute temperature, and the sensor voltage value at the absolute temperature. |
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10.04.2019
Pegelschieber
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 19.06.2014
Erteilt am 10.04.2019
Vertretung
Moore, Graeme Patrick · London
Mewburn Ellis LLP · München
Zusammenfassung
A level shifter includes high breakdown voltage first and second PMOS transistors (P1, P2), high breakdown voltage first and second depletion NMOS transistors (NA1, NA2) having gates respectively supplied with first and second control signals (IN1, IN2), low breakdown voltage first and second NMOS transistors (N1, N2) having gates respectively supplied with third and fourth control signals (IN3, IN4), and a timing control unit (12, 13) that generates the first control signal (IN1) and the third control signal (IN3) different from the inverted signal of an input signal (IN), and generates the second control signal (IN2) and the fourth control signal (IN4) different from the non-inverted signal of the input signal (IN). |
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10.04.2019
Halbleiterbauelement
Software & Datenverarbeitung
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10.04.2019
Auffüllen eines Cache in einer Bildverarbeitungsvorrichtung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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10.04.2019
Kommunikationssystem
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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10.04.2019
Halbleitervorrichtung und Verschlüsselungsschlüsselschreibverfahren
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 24.10.2013
Erteilt am 10.04.2019
Vertretung
Calderbank, Thomas Roger · London
Betten & Resch · München
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03.04.2019
Computer und Zusammenstellungsverfahren
Software & Datenverarbeitung
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27.03.2019
Halbleiterbauelement und Leistungssteuerungsvorrichtung
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.03.2019
Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.03.2019
Halbleiterbauelement, Stromversorgungssystem und Verfahren zur Steuerung eines Halbleiterbauelements
Elektrische Energietechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 13.07.2018
Anhängig
Vertretung
Betten & Resch · München
Mewburn Ellis LLP · München
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27.03.2019
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 16.07.2018
Anhängig
Vertretung
Betten & Resch · München
Mewburn Ellis LLP · München
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13.03.2019
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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06.03.2019
Halbleiterbauelement, Signalverarbeitungssystem und Signalverarbeitungsverfahren
Steuerungs- & Regelungstechnik
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Status
Angemeldet am 11.07.2018
Anhängig
Vertretung
Mewburn Ellis LLP · München
Betten & Resch · München
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06.03.2019
Detektionssystem, Sensor und Mikrocomputer
Elektronik & Schaltungstechnik
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06.03.2019
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.07.2018
Anhängig
Vertretung
Betten & Resch · München
Mewburn Ellis LLP · München
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27.02.2019
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.02.2018
Anhängig
Vertretung
Moore, Graeme Patrick · London
Betten & Resch · München
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27.02.2019
Verfahren zur Herstellung einer JFET Halbleitervorrichtung und JFET Halbleitervorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.03.2014
Erteilt am 27.02.2019
Vertretung
Calderbank, Thomas Roger · London
Mewburn Ellis LLP · München
Zusammenfassung
A manufacturing method of a junction field effect transistor includes the steps of: (a) forming an n + -type source layer on a surface of an n - -type drift layer formed on an n + -type SiC substrate; (b) forming a plurality of shallow trenches disposed at predetermined intervals by etching the surface of the n - -type drift layer with a silicon oxide film formed on the n - -type drift layer used as a mask; (c) forming an n-type counter dope layer by doping the n - -type drift layer below each of the shallow trenches with nitrogen by using a vertical ion implantation method; (d) forming a sidewall spacer on each sidewall of the silicon oxide film and the shallow trenches; and (e) forming a p-type gate layer by doping the n - -type drift layer below each of shallow trenches with aluminum by using the vertical ion implantation method. |
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20.02.2019
Kommunikationssystem
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 26.03.2010
Erteilt am 20.02.2019
Vertretung
Calderbank, Thomas Roger · London
Mewburn Ellis LLP · München
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20.02.2019
Halbleiterbauelement, Codierungssteuerungsverfahren und Kameravorrichtung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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20.02.2019
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.03.2018
Anhängig
Vertretung
Moore, Graeme Patrick · London
Betten & Resch · München
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14.02.2019
Hardware Circuit
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 07.08.2017
Anhängig
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13.02.2019
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Wer vertritt Renesas Electronics?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Renesas Electronics vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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