Shin-Etsu Handotai Patente
🇯🇵 Japan
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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1.022 gesamt| Patent | |||
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11.02.2026
Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats, Halbleitersubstrat und Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.02.2024
Anhängig
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28.01.2026
Epitaktischer Wafer, Soi-Wafer und Verfahren zur Herstellung davon
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 02.02.2024
Anhängig
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21.01.2026
Halbleitersubstratherstellungsverfahren, Halbleitersubstrat und Halbleiterbauelement
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.01.2024
Anhängig
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10.12.2025
Elektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Elektronischen Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.05.2020
Erteilt am 10.12.2025
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26.11.2025
Verfahren zur Herstellung eines Epitaktischen 3C-Sic-Einkristallsubstrats, Verfahren zur Herstellung eines Epitaktischen 3C-Sic-Substrats und Epitaktisches 3C-Sic-Einkristallsubstrat
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 03.10.2023
Anhängig
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05.11.2025
Verfahren zur Herstellung eines Epitaktischen Substrats und Epitaktisches Substrat
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.12.2023
Anhängig
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22.10.2025
Vorrichtung zur Züchtung eines Silicumcarbid-Einkristalls sowie Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbid-Einkristalls
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 29.05.2019
Erteilt am 22.10.2025
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15.10.2025
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.05.2021
Erteilt am 15.10.2025
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15.10.2025
Beurteilungsverfahren und Beurteilungsvorrichtung der Kantenform eines Siliciumwafers, Siliciumwafer und Auswahlverfahren und Herstellungsverfahren dafür
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.07.2018
Erteilt am 15.10.2025
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08.10.2025
Verfahren zur Herstellung eines Heteroepitaktischen Substrats
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 29.08.2023
Anhängig
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08.10.2025
Mikro-Led-Element
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.09.2023
Anhängig
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01.10.2025
Mikro-Led-Strukturkörper und Herstellungsverfahren dafür
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 07.11.2023
Anhängig
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17.09.2025
Substrat für Hochfrequenzanordnungen und Verfahren zu dessen Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.09.2023
Anhängig
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27.08.2025
Verfahren zur Herstellung eines Epitaktischen Nitridhalbleiterwafers und Verbundsubstrat für Epitaktischen Nitridhalbleiterwafer
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 31.08.2023
Anhängig
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20.08.2025
Verfahren zur Entfernung von Bonddefekten für Bondierte Wafer und Verfahren zur Herstellung eines Bondierten Wafers
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 29.08.2023
Anhängig
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20.08.2025
Verfahren zur Herstellung eines Gebondeten Lichtemittierenden Elementwafers
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.08.2023
Anhängig
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06.08.2025
Wafer zur Beurteilung von Mikro-Led-Eigenschaften und Verfahren zur Beurteilung von Mikro-Led-Eigenschaften
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.07.2023
Anhängig
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23.07.2025
Einkristall-Siliciumsubstrat mit Nitrid-Halbleiterschicht und Verfahren zur Herstellung eines Einkristall-Siliciumsubstrats mit Nitrid-Halbleiterschicht
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.07.2023
Anhängig
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02.07.2025
Nitridhalbleitersubstrat und Verfahren zur Herstellung davon
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.06.2023
Anhängig
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18.06.2025
Verfahren zur Herstellung eines Siliziumsubstrats für Quantencomputer, Siliziumsubstrat für Quantencomputer und Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.07.2023
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18.06.2025
Verfahren zur Herstellung eines Gebondeten Wafers für Mikro-Leds
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.08.2023
Anhängig
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11.06.2025
Verfahren zur Herstellung eines 3C-Sic-Verbundsubstrats, 3C-Sic-Verbundsubstrat und 3C-Sic-Unabhängiges Substrat
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 20.06.2023
Anhängig
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07.05.2025
Element mit Wärmeverteilungsstruktur und Verfahren zur Herstellung davon
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.04.2023
Anhängig
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30.04.2025
Wafer mit Gebondetem Lichtemittierendem Element und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.06.2023
Anhängig
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30.04.2025
Verfahren zur Herstellung eines Lichtempfangselements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.06.2023
Anhängig
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30.04.2025
Verfahren zum Aufwachsen einer Diamantschicht und Mikrowellenplasma-Cvd-Vorrichtung
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 08.05.2023
Anhängig
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23.04.2025
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterwafers und Halbleiterwafer
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 24.05.2023
Anhängig
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23.04.2025
Verfahren zur Herstellung eines Gebondeten Lichtemittierenden Elementwafers und Verfahren zur Übertragung von Mikro-Led
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 08.05.2023
Anhängig
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23.04.2025
Verfahren zur Herstellung eines Heteroepitaktischen Wafers
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.05.2023
Anhängig
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09.04.2025
Substrat für eine Elektronische Vorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.05.2023
Anhängig
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19.03.2025
Epitaxialwafer
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.04.2023
Anhängig
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06.03.2025
Einkristall-Siliciumsubstrat und Verfahren zur Herstellung des Einkristall-Siliciumsubstrats
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.07.2024
Anhängig
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06.03.2025
Einkristall-Siliciumsubstrat und Verfahren zur Herstellung des Einkristall-Siliciumsubstrats
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Status
Angemeldet am 12.07.2024
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
The present invention is directed to a silicon single-crystal substrate having a plane orientation of (110), in which a surface of the silicon single-crystal substrate in a room temperature environment has a surface stable structure 1×1. This provides a silicon single-crystal substrate that has reduced haze of the silicon (110) substrate and thus has a stable surface structure, and a method for manufacturing the silicon single-crystal substrate. |
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05.03.2025
Lichtemittierendes Element und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.04.2023
Anhängig
Vertretung
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27.02.2025
Verfahren zur Herstellung eines Epitaktischen Wafers
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Status
Angemeldet am 30.07.2024
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
The present invention is a method for manufacturing an epitaxial wafer by forming a single-crystal silicon layer on a single-crystal silicon wafer via an oxygen-atom layer, the method including the steps of removing a native oxide film, forming a thermal oxide film on a surface of the single-crystal silicon wafer from which the native oxide film has been removed, thinning the thermal oxide film, and after thinning the thermal oxide film, epitaxially growing single-crystal silicon to form an epitaxial wafer in which the single-crystal silicon layer is formed on the single-crystal silicon wafer via the oxygen-atom layer. This provides the method for manufacturing an epitaxial wafer, in which, when manufacturing a silicon epitaxial wafer, the oxygen-atom layer can be introduced into an epitaxial layer stably and easily. |
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27.02.2025
Soi-Wafer und Verfahren zu Seiner Herstellung
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Status
Angemeldet am 06.08.2024
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
The present invention is an SOI wafer including, in this order, a silicon epitaxial film having a carbon concentration of 2×10<19> atoms/cm<3> or more and less than 3×10<20> atoms/cm<3> and containing carbon defects, a dielectric layer, and a silicon single crystal film on a silicon single crystal substrate having a resistivity of 10 Ω·cm or more and 5000 Ω·cm or less, in which a thickness of the silicon epitaxial film satisfies 6.6 × 10<20> × exp{-1.6 × [the thickness of the epitaxial film (µm)]} > [the carbon concentration of the epitaxial film (atoms/cm<3>) ]. This provides the SOI wafer employing an epitaxial wafer having the silicon epitaxial film containing a high concentration of carbon formed on a standard resistivity substrate, the SOI wafer having superior harmonic reduction capability compared with a conventional SOI wafer that employs a polysilicon layer as a trap-rich layer, and being excellent in terms of ease of processing for use as a substrate for a high-frequency integrated circuit, as well as a method for manufacturing the same. |
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27.02.2025
Method for manufacturing epitaxial wafer
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.07.2024
Anhängig
Vertretung
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27.02.2025
Epitaktischer Wafer und Herstellungsverfahren dafür
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Status
Angemeldet am 06.08.2024
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
The present invention is an epitaxial wafer including, in this order, a silicon epitaxial film having a carbon concentration of 2×10<19> atoms/cm<3> or more and less than 3×10<20> atoms/cm<3> and containing carbon defects and a dielectric layer on a silicon single crystal substrate having a resistivity of 10 Ω·cm or more and 5000 Ω·cm or less, in which a thickness of the silicon epitaxial film satisfies 6.6 × 10<20> × exp{-1.6 × [the thickness of the epitaxial film (µm)]} > [the carbon concentration of the epitaxial film (atoms/cm<3>)]. This provides the silicon epitaxial wafer in which the silicon epitaxial film is formed on a standard-resistivity silicon substrate, the silicon epitaxial wafer having superior capability of reducing harmonics, and excellent processability for use as a substrate for a high-frequency integrated circuit, and further provides the method for manufacturing the same. |
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19.02.2025
Substrat für Elektronische Vorrichtungen und Verfahren zur Herstellung davon
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.02.2023
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
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06.02.2025
Reinigungsprozessvorrichtung
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 03.07.2024
Anhängig
Vertretung
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Wer vertritt Shin-Etsu Handotai?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Shin-Etsu Handotai vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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