Shin-Etsu Handotai Patente
🇯🇵 Japan
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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1.022 gesamt| Patent | |||
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06.02.2025
Reinigungsprozessvorrichtung
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.07.2024
Anhängig
Vertretung
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05.02.2025
Verfahren zur Herstellung von Lichtemittierenden Elementen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.03.2023
Anhängig
Vertretung
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15.01.2025
Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleiterwafer und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 02.03.2023
Anhängig
Vertretung
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09.01.2025
Herstellungsverfahren für Gan-Epitaxialfilm und Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement
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Status
Angemeldet am 18.06.2024
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
The present invention is a method for producing a GaN epitaxial film, the method including the steps of providing a support substrate having a diameter of 150 mm or more and a thickness of less than 1 mm, in which the support substrate includes a core composed of nitride ceramic enclosed by an encapsulating layer, producing a substrate in which a planarization layer and a seed crystal layer composed of SiC single crystal are sequentially laminated on the support substrate to obtain a substrate for epitaxial growth, and epitaxially growing a GaN epitaxial film having a thickness of 7 µm or more on the substrate for epitaxial growth, by which the GaN epitaxial film having a dislocation density of 1.0×10<sup>6</sup> / cm<sup>2</sup> or less is produced. This provides the method for producing a thick GaN film having a dislocation density of 1.0×10<sup>6</sup> / cm<sup>2</sup> or less, in which the film has a large diameter without warping and cracking at low cost using a simple process. |
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09.01.2025
Herstellungsverfahren für Gan-Epitaxialfilm und Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.06.2024
Anhängig
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01.01.2025
Hochfrequenzvorrichtungssubstrat und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.12.2022
Anhängig
Vertretung
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26.12.2024
Verfahren zur Herstellung eines Sic-Substrats, Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, Sic-Substrat und Halbleiterbauelement
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.06.2024
Anhängig
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25.12.2024
Verfahren zum Züchten von Diamant auf einem Siliziumsubstrat und Verfahren zum Selektiven Züchten von Diamant auf einem Siliziumsubstrat
Anorganische Chemie & Werkstoffe
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 26.01.2023
Anhängig
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05.12.2024
Verfahren zur Herstellung eines Nitridhalbleitersubstrats, Verfahren zur Herstellung einer Hybrid-Ic und Nitridhalbleitersubstrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.05.2024
Anhängig
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28.11.2024
Substrat mit Hoher Mobilität mit Delta-Dotierter Schicht und Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit Hoher Mobilität
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.02.2024
Anhängig
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20.11.2024
Wafer mit Mikro-Led-Struktur, Herstellungsverfahren für Wafer mit Mikro-Led-Struktur und Herstellungsverfahren für einen Verbindungshalbleiterwafer mit Mikro-Led-Struktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.12.2022
Anhängig
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13.11.2024
Nitridhalbleitersubstrat und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.12.2022
Anhängig
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30.10.2024
Nitridhalbleitersubstrat und Verfahren zur Herstellung eines Nitridhalbleitersubstrats
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 08.11.2022
Anhängig
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30.10.2024
Nitridhalbleitersubstrat und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.12.2022
Anhängig
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09.10.2024
Substrat für eine Elektronische Vorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 31.10.2022
Anhängig
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09.10.2024
Nitridhalbleitersubstrat und Verfahren zur Herstellung davon
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 25.10.2022
Anhängig
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09.10.2024
Verfahren zur Herstellung einer Monokristallinen Diamantschicht
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 31.10.2022
Anhängig
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09.10.2024
Verfahren zur Herstellung eines Gebondeten Halbleiterwafers
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.11.2022
Anhängig
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02.10.2024
Verfahren zur Herstellung eines Soi-Wafers
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.08.2017
Erteilt am 02.10.2024
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02.10.2024
Verfahren zur Auswahl eines Siliziumeinkristallsubstrats
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.10.2018
Erteilt am 02.10.2024
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25.09.2024
Nitridhalbleitersubstrat und Verfahren zur Herstellung des Nitridhalbleitersubstrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 17.10.2022
Anhängig
Vertretung
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18.09.2024
Verfahren zur Herstellung eines Heteroepitaktischen Wafers
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 01.10.2022
Anhängig
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04.09.2024
Verfahren zur Herstellung eines Gebondeten Halbleiterwafers
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.10.2022
Anhängig
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28.08.2024
Verfahren zur Herstellung eines Verbindungshalbleiterwafers
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 13.10.2022
Anhängig
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21.08.2024
Auswahlverfahren eines Silizium-Einkristallsubstrats
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.03.2019
Erteilt am 21.08.2024
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14.08.2024
Verfahren zur Herstellung einer Heteroepitaktischen Schicht
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 25.08.2022
Anhängig
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07.08.2024
Nitridhalbleiterwaferherstellungsverfahren und Nitridhalbleiterwafer
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 02.09.2022
Anhängig
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07.08.2024
Epitaktischer Wafer und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.09.2022
Anhängig
Vertretung
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07.08.2024
Verfahren zur Trennung eines Gebondeten Wafers
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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31.07.2024
Verfahren zur Herstellung eines Heteroepitaktischen Wafers
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.06.2022
Anhängig
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31.07.2024
Nitridhalbleitersubstrat und Verfahren zur Herstellung davon
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.08.2022
Anhängig
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17.07.2024
Verfahren zur Herstellung eines Nitridhalbleitersubstrats
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.08.2022
Anhängig
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03.07.2024
Nitridhalbleitersubstrat und Verfahren zur Herstellung davon
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.08.2022
Anhängig
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26.06.2024
Provisorisch Verklebter Wafer und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.08.2022
Anhängig
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19.06.2024
Nitridhalbleitersubstrat und Verfahren zur Herstellung davon
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.07.2022
Anhängig
Vertretung
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05.06.2024
Substrat für Halbleiterbauelemente und Verfahren zu Seiner Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.06.2022
Anhängig
Vertretung
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29.05.2024
Gebondeter Wafer und Verfahren zur Herstellung eines Gebondeten Wafers
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.06.2022
Anhängig
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22.05.2024
Steuerungsverfahren für Rekombinationslebensdauern
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.12.2018
Erteilt am 22.05.2024
Vertretung
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22.05.2024
Epitaxialwafer für ein Ultraviolettlichtemittierendes Element und Verfahren zur Herstellung davon
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.06.2022
Anhängig
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01.05.2024
Verfahren zur Halbleiterwaferreinigung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 20.12.2017
Erteilt am 01.05.2024
Vertretung
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Wer vertritt Shin-Etsu Handotai?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Shin-Etsu Handotai vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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