imec Patente
🇧🇪 Belgien
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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2.629 gesamt| Patent | |||
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10.04.2024
Verfahren zum Waferbonden
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.10.2022
Anhängig
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10.04.2024
Zustandsübergangstemperatur von Resiststrukturen
Optik & Fototechnik
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10.04.2024
Integrierte 3D-Schaltung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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03.04.2024
Vorrichtung zum Nachweis von Partikeln in der Luft
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Optik & Fototechnik
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03.04.2024
Eingangssystem für Funkvorrichtungen
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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03.04.2024
Verfahren zur Herstellung Nichtflacher Vorrichtungen
Kunststoff- & Polymertechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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03.04.2024
Ladepaketprogrammierung für Nichtflüchtigen Nand-Flash-Speicher
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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27.03.2024
Dynamische Direktzugriffspeichervorrichtung und Verfahren
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
A memory device (100) for a DRAM is provided, comprising a first semiconductor device layer (10) comprising a first DRAM bit cell (110) and a second semiconductor device layer (20) comprising a second DRAM bit cell (120). Further, at least one of a first and second interconnecting structure (130, 140) is provided, the first interconnecting structure (130) extending vertically between the first and second semiconductor device layer and being arranged to form a write word line (WWL) common to the gate terminal (113, 123) of the write transistors of the first and second bit cells, and the second interconnecting structure (140) extending vertically between the first and second semiconductor device layer and being arranged to form a read word line (RWL) common to a first source/drain terminal (117, 127) of the read transistors of the first and second bit cells. |
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27.03.2024
Multimode-Interferenz-Basierte Vpin-Dioden-Wellenleiter
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.12.2017
Erteilt am 27.03.2024
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20.03.2024
Vorrichtung zum Nachweis von Partikeln in der Luft
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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20.03.2024
Modulation von Lumineszenten Farbstoffen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 30.06.2016
Erteilt am 20.03.2024
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20.03.2024
Vorrichtung und Verfahren zum Sortieren von Biologischen Zellen
Verfahrens- & Trenntechnik
Pharma & Biotechnologie
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20.03.2024
Verfahren zur Verarbeitung von Sensordaten in einer Nervensonde
Medizintechnik & Gesundheit
Software & Datenverarbeitung
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13.03.2024
Vorrichtung und Verfahren zur Nichtinvasiven Messung von Analyten
Medizintechnik & Gesundheit
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Status
Angemeldet am 03.12.2014
Erteilt am 13.03.2024
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13.03.2024
Pellikel und Verfahren zur Bildung des Pellikels zur Verwendung in einer Lithografischen Vorrichtung
Optik & Fototechnik
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13.03.2024
Vorrichtung zum Nachweis von Partikeln in der Luft
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Optik & Fototechnik
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06.03.2024
Bildsensor und Verfahren zum Auslesen von Bildinformationen
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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06.03.2024
Mikrofluidisches Routing
Verfahrens- & Trenntechnik
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 22.12.2017
Erteilt am 06.03.2024
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28.02.2024
Bildsensor mit Gestapelten Lichtempfindlichen Vorrichtungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.02.2024
Probensammler
Medizintechnik & Gesundheit
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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21.02.2024
Verfahren zum Kontinuierlichen Aufreihen von Fotovoltaischen Zellen und Zusammenbau von Fotovoltaischen Zellen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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21.02.2024
Verfahren zum Erzeugen eines Modells zum Erzeugen eines Synthetischen Ekg sowie Verfahren und System zum Analysieren der Herzaktivität
Medizintechnik & Gesundheit
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21.02.2024
Verfahren zur Herstellung einer Mtj-Vorrichtung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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21.02.2024
Verfahren zum Schneiden eines Halbleitersubstrats in eine Vielzahl von Plättchen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
According to an aspect of the present inventive concept there is provided a method for dicing a semiconductor substrate (100) into a plurality of dies (170), wherein the semiconductor substrate having a front side (101) provided with a plurality of device areas (110), a back side (103), and a plurality of through substrate vias (130). The method comprises defining, from the front side (101) of the semiconductor substrate (100), at least one trench (140) to be formed between adjacent device areas (110a, 110b), forming the at least one trench (140), from the front side (101) of the semiconductor substrate (100), arranging a protective layer (150) on the front side (101) of the semiconductor substrate (100), thinning the semiconductor substrate (100) from the back side (103) to reduce the thickness (106) of the semiconductor substrate (100), processing the back side (103) of the semiconductor substrate 100 to form at least one contact (160), the contact (160) contacting at least one through substrate via (130), etching, from the back side (103) of the semiconductor substrate (100), through the minor portion (106b) of the thickness (106) of the semiconductor substrate (100) underneath the at least one trench (140), and dicing the semiconductor substrate (100) into the plurality of dies (170). |
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14.02.2024
Verfahren zur Herstellung einer Verbindungsstruktur und Resultierende Verbindungsstruktur für ein Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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14.02.2024
Reduzierung des Übersprechens in Radarsysteme
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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14.02.2024
Schützen eines Substratbereichs Während der Herstellung eines Fet-Sensors
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.12.2017
Erteilt am 14.02.2024
Zusammenfassung
A method for forming an intermediate (100) in the fabrication of a field-effect transistor sensor, the method comprising:a. providing a substrate having a substrate region (210) comprising a gate dielectric (211) thereon and optionally a nanocavity therein (212),b. providing a sacrificial element (310) over the substrate region (210),c. providing one or more layers (400) having a combined thickness of at least 100 nm over the sacrificial element (310),d. opening an access (500) to the sacrificial element (310) through the one or more layers (400), ande. optionally selectively removing the sacrificial element (310), thereby opening a sensor cavity (300) over the substrate region (210);wherein the sacrificial element (310) is removable by oxidation and wherein, if step e is performed, selectively removing the sacrificial element (310) comprises an oxidative removal. |
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07.02.2024
Computerimplementiertes Verfahren zum Transformieren eines Vortrainierten Neuronalen Netzes und Vorrichtung dafür
Software & Datenverarbeitung
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24.01.2024
Speichervorrichtung unter Verwendung eines Bandes zum Speichern von Daten
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 10.12.2019
Erteilt am 24.01.2024
Vertretung
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24.01.2024
Aktivmatrixanzeige und Verfahren zum Ansteuern einer Aktivmatrixanzeige
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
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Zusammenfassung
A method for driving an active matrix display comprising a plurality of pixels (110), wherein each pixel (110) comprises a drive transistor (120) having a driver gate (122) and a calibration gate (129), is disclosed. The method comprises: receiving information of a desired image to be displayed; determining a compensated voltage for the driver gate (122) for each pixel (110) based on calibration data; and outputting the compensated voltage for the driver gate for each of the pixels. The calibration data comprises a set of individual calibration values applying to different pixels (110), wherein said compensated voltage compensates for differences between pixels affecting a relation of an intensity of light output by the pixel (110) as function of a difference between the voltage applied to the driver gate (122) and a threshold voltage of the drive transistor (120). |
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24.01.2024
Schnelle und Robuste Fourier-Domänenbasierte Zelldifferenzierung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 24.12.2018
Erteilt am 24.01.2024
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24.01.2024
Verfahren zur Steuerung der Breite von Rippenförmigen Merkmalen im Nanomassstab auf einem Halbleitersubstrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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24.01.2024
Nichtflüchtige Sram-Vorrichtung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 22.11.2019
Erteilt am 24.01.2024
Vertretung
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24.01.2024
Transistorvorrichtung mit einer Reduzierten Injektionswirkung von Heissen Ladungsträgern
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.12.2015
Erteilt am 24.01.2024
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24.01.2024
Spiegelsystem für eine Projektionsvorrichtung
Optik & Fototechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 30.09.2020
Erteilt am 24.01.2024
Vertretung
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18.01.2024
A method for tracking objects in a flow channel
Verfahrens- & Trenntechnik
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 04.07.2023
Anhängig
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17.01.2024
Spannungssensor für Halbleiterbauelemente
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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17.01.2024
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdurchkontaktierung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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17.01.2024
Chiral Schaltende, Angetriebene Spin-Torque-Logikgatter
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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17.01.2024
Verfahren zur Verfolgung von Objekten in einem Strömungskanal
Verfahrens- & Trenntechnik
Software & Datenverarbeitung
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Wer vertritt imec?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die imec vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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