imec Patente
🇧🇪 Belgien
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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2.648 gesamt| Patent | |||
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22.10.2025
Verfahren zur Herstellung einer Integrierten Schaltungsvorrichtung und Integrierte Schaltungsvorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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15.10.2025
Künstliche Iris, Verfahren zur Steuerung einer Künstlichen Iris und Verfahren zur Bestimmung eines Benutzerspezifischen Profils für eine Künstliche Iris
Medizintechnik & Gesundheit
Optik & Fototechnik
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15.10.2025
Multiplexing für Verbindungsreparatur
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
An integrated circuit (1) comprising: a plurality of interconnects (2) forming at least four repair chains (A, B, C, D), each repair chain (A, B, C, D) comprising: a plurality of primary interconnects (21) for providing a signal path (3), a spare interconnect (22), and circuitry (4) configured for offsetting, within each repair chain, signal paths (3) so as to avoid the use of a defective primary interconnect (23), when present, within the repair chain (A, B, C, D), wherein one signal path (3) is offset to the spare interconnect (22), wherein the plurality of interconnects (2) is arranged so that spatially neighbouring interconnects (2) belong to different repair chains (A, B, C, D). |
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15.10.2025
Ic-Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung eines Grundrisses für eine Ic-Vorrichtung
Optik & Fototechnik
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 12.04.2024
Anhängig
Vertretung
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08.10.2025
Speichervorrichtung
Verfahrens- & Trenntechnik
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 23.12.2020
Erteilt am 08.10.2025
Vertretung
DenK iP bv · Boortmeerbeek
Winger · Boortmeerbeek
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08.10.2025
S-Haltiger Ovonischer Schwellwertschalter
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
A device (1) comprising an ovonic threshold switch (2) formed of a mixture consisting of at least 0.90 parts by mole of a composition of three chemical elements consisting of 0.15 to 0.70 parts by mole of one or two chemical elements selected from Si, Ge, and Sn, 0.15 to 0.70 parts by mole of S, and optionally 0.05 to 0.45 parts by mole of one chemical element selected from N, Sb, and P, wherein each of the three chemical elements is present in an amount of at least 0.05 parts by mole, and at most 0.10 parts by mole of chemical elements different from said three chemical elements, wherein the parts by mole of the mixture add up to 1.00. |
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08.10.2025
Mimcap-Anordnung und Verfahren zu dessen Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
The invention is related to semiconductor components such as integrated circuit chips, comprising a multilayer structure such as a back end of line portion, with a plurality of MIM capacitors integrated between two levels of the multilayer structure. The capacitors are realized as an assembly of capacitors, in the form of a stack of at least three electrically conductive layers (20,21,22;50-53) , separated by dielectric layers (23,24,54-56), and formed conformally on a topography defined by a plurality of dielectric pillars (13) distributed on a bottom conductive plate (10) formed on a first level (Mn) of the multilayer interconnect structure. By realizing a height difference between different pillars or different groups of pillars, the intermediate conductive layers of the stack become available for contacting said layers by via connections (5,8,35,60-63,70-72) of the next level of the interconnect structure. In this way, a circuit comprising multiple parallel capacitors can be realized, which significantly increases the capacitance of the overall assembly. The method of the invention includes the deposition of a thick dielectric layer (11a) and one or more additional dielectric layers (11a,11b, 11c, 11d) thereon. Openings (30,40,41) are produced in the additional layers before patterning the layers to form the pillars, so that the thicknesses of the additional layers determine the height differences between the pillars. By carefully controlling said thicknesses in relation to the thicknesses of the layers of the capacitor assembly, contacting of the intermediate conductive layers of the stack is enabled. |
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08.10.2025
Ladungssensorschaltung, Detektoranordnung und Verfahren zur Ladungsbasierten Erfassung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Software & Datenverarbeitung
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Zusammenfassung
A charge sensor circuitry (110; 210; 310; 410) comprises: a detector element (112; 212; 312; 412) configured to generate a charge signal at an internal node (114; 214; 314; 414); wherein the charge sensor circuitry comprises a first transistor (118; 218; 318; 418) comprising a gate (122; 222; 322; 422) for receiving a first control signal and at least one second transistor (124, 126; 224, 226; 324; 424) comprising a first gate (128; 228; 328; 428) connected to the internal node and a second gate (130; 230; 330; 430) for receiving a second control signal; wherein the charge sensor circuitry is configured to, in a first mode, output a first output signal through the first transistor; wherein the charge sensor circuitry is configured to, in a second mode, reset the internal node through the first transistor and output a second output signal through the at least one second transistor. |
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08.10.2025
Vorrichtung und Verfahren zur Modulation eines Optischen Signals
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.10.2025
Method of forming a photovoltaic device and the photovoltaic device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.03.2025
Anhängig
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01.10.2025
Speichervorrichtung und Verfahren zum Zerstörungsfreien Auslesen einer Ferroelektrischen Speicherzelle
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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01.10.2025
Verfahren und Speichervorrichtung zum Symmetrischen Zerstörungsfreien Auslesen einer Ferroelektrischen Speicherzelle
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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01.10.2025
Werkzeug zur Analyse der Chemischen Zusammensetzung und Struktur von Nanoschichten
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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01.10.2025
Verfahren zur Herstellung einer 2D-Kanal-Feldeffekt-Transistorvorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.03.2024
Anhängig
Vertretung
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01.10.2025
Verfahren zum Integrieren einer Elektronischen Schaltung in oder an einem Stent
Medizintechnik & Gesundheit
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01.10.2025
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.03.2024
Anhängig
Vertretung
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01.10.2025
Verfahren zur Herstellung einer Tmd-Schichtstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.03.2024
Anhängig
Vertretung
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01.10.2025
Cfet-Struktur und Verfahren zur Herstellung einer Cfet-Struktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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01.10.2025
Verfahren zur Herstellung einer Fotovoltaischen Vorrichtung und Fotovoltaische Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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01.10.2025
Quantenvorrichtung und Verfahren zum Betrieb einer Quantenvorrichtung
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 27.03.2024
Anhängig
Vertretung
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01.10.2025
Werkzeug zur Analyse der Chemischen Zusammensetzung und Struktur von Nanoschichten
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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01.10.2025
Matrix-Vektor Multiplikationen Basiert auf Ladungsbeschleimung von Speicherzellenketten
Software & Datenverarbeitung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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01.10.2025
Optischer Symmetrischer Homodynempfänger
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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24.09.2025
Digital Gesteuerter Verstärker mit Variabler Verstärkung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 12.11.2019
Erteilt am 24.09.2025
Vertretung
Ipsilon Belgium · Gent
IP HILLS NV · Gent
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24.09.2025
Quantenbit-Chip mit Gestapelten Wafern und Verfahren zu dessen Herstellung
Software & Datenverarbeitung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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24.09.2025
Verfahren zur Markierung von Nukleinsäuren
Pharma & Biotechnologie
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 12.04.2022
Erteilt am 24.09.2025
Vertretung
Winger · Boortmeerbeek
DenK iP bv · Boortmeerbeek
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24.09.2025
Instrument, System und Verfahren zur Tröpfchenmanipulation
Verfahrens- & Trenntechnik
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24.09.2025
Entfernen eines Organischen Opfermaterials aus einem 2D-Material
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.11.2018
Erteilt am 24.09.2025
Zusammenfassung
In a first aspect, the present invention relates to a method for removing an organic sacrificial material (301) from a 2D material (200), comprising: (a) providing a target substrate (120) having thereon the 2D material (200) and a layer of the organic sacrificial material (301) over the 2D material (200), (b) infiltrating the organic sacrificial material (301) with a metal or ceramic material (311), and (c) removing the organic sacrificial material (301). |
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24.09.2025
Verfahren zur Herstellung eines Kontakts für ein Halbleiterbauelement und Kontakt für ein Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
The present invention provides a method for forming a contact (100) for a semiconductor device, the method comprising: forming a first layer (102) comprising at least one of: a silicon layer doped with phosphorus, Si:P layer; a silicon layer doped with antimony, Si:Sb layer; a silicon layer doped with arsenic, Si:As layer; forming a second layer (104) on top of the first layer (102), the second layer (104) comprising a silicon layer doped with phosphorus, Si:P layer, a phosphorus concentration of the second layer (104) being at least 4%; forming a third layer (106) on top of the second layer (104), the third layer (106) comprising scandium; forming a capping layer (108) above the third layer (106), the capping layer (108) being configured to prevent oxidation of the third layer (106); performing a first anneal. The present invention also provides a contact (100) for a semiconductor device. |
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24.09.2025
Halbleiteranordnung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.03.2024
Anhängig
Vertretung
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24.09.2025
Herstellung von Geteilten Leitenden Vias
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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24.09.2025
Verfahren zur Herstellung einer Verbindungsschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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24.09.2025
Verfahren und System zur Tröpfchenmanipulation
Verfahrens- & Trenntechnik
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18.09.2025
Clock and data recovery circuitry for sampling a burst serial data signal
Elektronik & Schaltungstechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 06.03.2025
Anhängig
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18.09.2025
Interconnecting integrated circuit modules of a semiconductor system
Optik & Fototechnik
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 13.02.2025
Anhängig
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17.09.2025
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Vergrabener Stromschiene
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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17.09.2025
Phasengesteuerte Ultraschallvorrichtung zur Erzeugung eines Druckfokuspunktes
Verfahrens- & Trenntechnik
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 29.11.2019
Erteilt am 17.09.2025
Vertretung
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17.09.2025
Verfahren zur Longitudinalen Magnetresonanzbildgebung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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17.09.2025
Integrierte Optische Struktur und Verfahren zur Herstellung einer Integrierten Optischen Struktur
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Optik & Fototechnik
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17.09.2025
Rekonstruktionsverfahren für Atomsondentomografie
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.07.2021
Erteilt am 17.09.2025
Vertretung
Winger · Boortmeerbeek
DenK iP bv · Boortmeerbeek
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