Renesas Electronics Patente
🇯🇵 Japan
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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1.103 gesamt| Patent | |||
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01.03.2017
Steuerungssystem
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
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01.03.2017
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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23.02.2017
Semiconductor device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.08.2015
Anhängig
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22.02.2017
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Ansteuerung eines Halbleiterbauelements
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
A first potential and a second potential lower than the first potential are applied to a first end of a memory gate electrode part of the nonvolatile memory and to a second end of the memory gate electrode part, respectively, so that a current is caused to flow in a direction in which the memory gate electrode part extends, then, a hole is injected from the memory gate electrode part into a charge accumulating part below it, therefore, an electron accumulated in the charge accumulating part is eliminated. By causing the current to flow through the memory gate electrode part of a memory cell region as described above, Joule heat can be generated to heat the memory cell. Consequently, in the erasing by a FN tunneling method in which the erasing characteristics degrade at a low temperature, the erasing speed can be improved by heating the memory gate electrode part. |
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22.02.2017
Netzwerksystem für Zeitraumreservierung, Frameübertragungsverfahren und Netzwerkgerät
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 26.03.2009
Erteilt am 22.02.2017
Vertretung
Nicholls, Michael John · London
J A Kemp LLP · London
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22.02.2017
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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15.02.2017
Ein Halbleiterbauelement und ein Herstellungsverfahren dafür
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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15.02.2017
Soi Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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08.02.2017
Halbleiterbauelement, Vorschreibprogramm und Wiederherstellungsprogramm
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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08.02.2017
Stromversorgungssystem und Stromversorgungssteuerungsverfahren
Software & Datenverarbeitung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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01.02.2017
Halbleitervorrichtung und Einstellverfahren einer Filterschaltung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 13.12.2013
Anhängig
Vertretung
Calderbank, Thomas Roger · London
Betten & Resch · München
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01.02.2017
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.01.2017
Semiconductor device and method for manufacturing same
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.07.2015
Anhängig
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18.01.2017
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.03.2013
Anhängig
Vertretung
Addiss, John William · London
Calderbank, Thomas Roger · London
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05.01.2017
Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 02.07.2015
Anhängig
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04.01.2017
Halbleitervorrichtung und Diagnostisches Testverfahren
Software & Datenverarbeitung
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29.12.2016
Electronic device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.06.2015
Anhängig
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14.12.2016
Videocodierer und Verfahren zum Betrieb davon
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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07.12.2016
Halbleiterfestwertspeicher-Bauelement
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.07.2002
Erteilt am 07.12.2016
Vertretung
Strehl Schübel-Hopf & Partner · München
Strehl & Partner mbB · München
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16.11.2016
Diagnoseprogramm, Diagnoseverfahren und Halbleiterbauelement
Software & Datenverarbeitung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 07.01.2016
Anhängig
Vertretung
Addiss, John William · London
Betten & Resch · München
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16.11.2016
Photolithographisches Verfahren für die Herstellung eines Halbleiterbauelements
Optik & Fototechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.04.2016
Anhängig
Vertretung
Moore, Graeme Patrick · London
Betten & Resch · München
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09.11.2016
Datenverarbeitungsvorrichtung, Datenverarbeitungssystem und Verfahren dafür
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 12.03.2015
Anhängig
Vertretung
Addiss, John William · London
Mewburn Ellis LLP · München
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02.11.2016
Dynamische Spannungsklemmschaltung für ein Halbleiterelement
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 05.04.2016
Anhängig
Vertretung
Addiss, John William · London
Mewburn Ellis LLP · München
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26.10.2016
Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
The ringing of a switching waveform of a semiconductor device is restrained. For example, an interconnect (L5) is laid which functions as a source of a power transistor (Q3) and a cathode of a diode (D4), and further functioning as a drain of a power transistor (Q4) and an anode of a diode (D3). In other words, a power transistor and a diode coupled to this power transistor in series are formed in the same semiconductor chip; and further an interconnect functioning as a drain of the power transistor and an interconnect functioning as an anode of the diode are made common to each other. This structure makes it possible to decrease a parasite inductance between the power transistor and the diode coupled to each other in series. |
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26.10.2016
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.10.2015
Anhängig
Vertretung
Calderbank, Thomas Roger · London
Betten & Resch · München
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19.10.2016
Halbleitervorrichtung und Temperaturdatenerzeugungsverfahren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Steuerungs- & Regelungstechnik
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Status
Angemeldet am 23.03.2012
Erteilt am 19.10.2016
Vertretung
Addiss, John William · London
Calderbank, Thomas Roger · London
Zusammenfassung
Improvement in the accuracy of a temperature sensor is aimed at, suppressing the number of the test temperature in a test process. The semiconductor device comprises a coefficient calculation unit which calculates up to the N-th order coefficient (N is an integer equal to or greater than one) of a correction function as an N-th order approximation of a characteristic function indicating correspondence relation of temperature data measured by a temperature sensor unit and temperature, based on N+1 pieces of the temperature data including a theoretical value at a predetermined temperature in the characteristic function and N measured values of the temperature data measured by the temperature sensor unit at N points of temperature; and a correction operation unit which generates data including information on temperature, by performing calculation using the correction function to which the coefficients calculated are applied, based on temperature data measured by the temperature sensor unit. |
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19.10.2016
Analog-Digital-Wandler und Verfahren zu dessen Kalibrierung
Elektronik & Schaltungstechnik
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19.10.2016
Halbleiterbauelement und Schaltungsanordnung damit
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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06.10.2016
Data transfer apparatus and microcomputer
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 30.03.2015
Anhängig
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06.10.2016
Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.03.2015
Anhängig
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06.10.2016
Analysis device and analysis method
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 27.03.2015
Anhängig
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06.10.2016
Semiconductor device
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 31.03.2015
Anhängig
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06.10.2016
Semiconductor device, and method for manufacturing same
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.03.2015
Anhängig
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06.10.2016
Semiconductor device and method for manufacturing same
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.03.2015
Anhängig
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05.10.2016
Kommunikationsvorrichtung, Verfahren zur Steuerung einer Kommunikation zwischen Fahrzeugen und System zur Kommunikation zwischen Fahrzeugen
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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05.10.2016
Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.11.2013
Anhängig
Vertretung
Addiss, John William · London
Mewburn Ellis LLP · München
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05.10.2016
Halbleiterbauelement
Software & Datenverarbeitung
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05.10.2016
Ein Halbleiterbauelement und ein Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.09.2016
Halbleiterbauelement
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 19.06.2012
Erteilt am 28.09.2016
Vertretung
Calderbank, Thomas Roger · London
Addiss, John William · London
Zusammenfassung
In a semiconductor device, memory modules each having a low power consumption mode that is enabled and disabled by a control signal belong to a memory block. A transmission path of the control signal is provided such that the control signal is inputted in parallel to the memory module via an inside-of-module path, and such that the control signal is outputted by a particular memory module of the memory modules via the inside-of-module path to a downstream outside-of-module path. The particular memory module in the memory block is selected such that it has a greater storage capacity than the other memory modules belonging to this same memory block have. |
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28.09.2016
Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Angemeldet am 01.03.2016
Anhängig
Vertretung
Addiss, John William · London
Mewburn Ellis LLP · München
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Wer vertritt Renesas Electronics?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Renesas Electronics vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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