imec Patente
🇧🇪 Belgien
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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2.629 gesamt| Patent | |||
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05.04.2023
Ein-Photonen-Lawinendiode und Sensoranordnung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.04.2023
Dotiertes Titanat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.12.2016
Erteilt am 05.04.2023
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05.04.2023
Verfahren zur Herstellung Formbeständiger Nichtflacher Vorrichtungen
Elektronik & Schaltungstechnik
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30.03.2023
Method for manufacturing a non-flat device by deformation of a flat device laminate
Kunststoff- & Polymertechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 20.09.2022
Anhängig
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29.03.2023
Verfahren zur Bestimmung der Räumlichen Verteilung der Elektrischen Stromdichte in einer Vorrichtung mit einem Zweidimensionalen Material
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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29.03.2023
Selbstheilende Systemarchitektur basierend Reversibler Logik
Software & Datenverarbeitung
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29.03.2023
Grossflächige Linsenfreie Bildgebungsvorrichtung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 04.02.2016
Erteilt am 29.03.2023
Vertretung
DenK iP · Boortmeerbeek
DenK iP bv · Boortmeerbeek
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22.03.2023
Verfahren zum Erhalt von über ein Trägersubstrat Rekonstituierten Leuchtdioden
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.12.2018
Erteilt am 22.03.2023
Vertretung
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22.03.2023
Mikrofluidische Vorrichtung
Verfahrens- & Trenntechnik
Energie- & Antriebstechnik (Kraftmaschinen)
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Status
Angemeldet am 20.09.2021
Anhängig
Vertretung
Winger · Boortmeerbeek
DenK iP bv · Boortmeerbeek
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22.03.2023
Kompensierung des Spannungsverlusts in Stromversorgungsleitungen für Aktivmatrixanzeigen
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
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Status
Angemeldet am 03.11.2016
Erteilt am 22.03.2023
Vertretung
Winger · Boortmeerbeek
DenK iP bv · Boortmeerbeek
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15.03.2023
Dualkammsystem mit Modengekoppeltem Halbleiterlaser
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 07.05.2021
Anhängig
Vertretung
Winger · Boortmeerbeek
DenK iP bv · Boortmeerbeek
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15.03.2023
Lichtfelddarstellung
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 05.05.2021
Anhängig
Vertretung
Winger · Boortmeerbeek
DenK iP bv · Boortmeerbeek
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15.03.2023
Monolithische Integration von Halbleitermaterialien
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.07.2017
Erteilt am 15.03.2023
Vertretung
DenK iP · Boortmeerbeek
DenK iP bv · Boortmeerbeek
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08.03.2023
Versetzte Verbindungsstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
A method for forming an interconnection structure (100) for a semiconductor device is disclosed, comprising forming a conductive layer (110) on an insulating layer (120), etching the conductive layer to form a first set of conductive lines (101), forming a first set of spacer lines (130) on sidewalls of the first set of conductive lines, and forming a second set of conductive lines (102) in trenches (140) defined by the first set of spacer lines, wherein a bottom (142) of the trenches is recessed into the insulating layer, or formed by a spacer material (150) arranged on the insulating layer, such that a bottom portion of the first set of conductive lines and a bottom portion of the second set of conductive lines are arranged on different vertical levels (H1, H2). |
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08.03.2023
Monolithischer Iii-V-On-Silizium-Optoelektronischer Phasenmodulator mit einem Stegwellenleiter
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 08.07.2020
Erteilt am 08.03.2023
Vertretung
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08.03.2023
Lichtemitter und Detektoren mit Kolloidalem Quantenpunkt
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.04.2021
Anhängig
Vertretung
Winger · Boortmeerbeek
DenK iP bv · Boortmeerbeek
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08.03.2023
Gate für einen Selbstsperrenden Transistor
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.08.2017
Erteilt am 08.03.2023
Vertretung
DenK iP · Boortmeerbeek
DenK iP bv · Boortmeerbeek
Zusammenfassung
A method for forming a gate of an enhancement-mode transistor comprising: a. providing a p-doped Al x Ga y In z N gate layer (2), consisting of a first (2a) and a second part (2b) on top of one another, above a p-doped Al x' Ga y' In z' N channel layer (4) of an enhancement-mode transistor under construction, and b. providing a metal gate layer (1) on the top surface of the second part, the metal gate layer being formed of a material such as to form a Schottky barrier with the second part, wherein providing the p-doped Al x Ga y In z N gate layer comprises the steps of: a1. growing the first part above the p-doped Al x' Ga y In z' N channel layer of the enhancement-mode transistor under construction, the first part having an average Mg concentration of at most 3x10 19 atoms/cm 3 and a2. growing a second part having an average Mg concentration higher than 3x10 19 atoms/cm 3 and having a top surface having a Mg concentration higher than 6x10 19 atoms/cm 3 , on the first part. |
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22.02.2023
Geschichtete Hybride Organische-Anorganische Perowskitmaterialien
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 24.07.2018
Erteilt am 22.02.2023
Vertretung
Winger · Boortmeerbeek
DenK iP bv · Boortmeerbeek
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15.02.2023
Speichervorrichtung mit einer Ferroelektrischen Ladungseinfangschicht
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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01.02.2023
Herstellungsverfahren einer Gan-Basierten Elektronischen Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.01.2023
Lichtkoppler
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 28.12.2015
Erteilt am 25.01.2023
Vertretung
Winger · Boortmeerbeek
DenK iP bv · Boortmeerbeek
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25.01.2023
Halbleiterstruktur mit Epitaxialem Schichtstapel zur Herstellung von Rückseitenkontakten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.01.2023
Ofdm-Basierte Radardetektion
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 22.09.2018
Erteilt am 25.01.2023
Vertretung
IP HILLS NV · Gent
Ipsilon Belgium · Gent
Zusammenfassung
Example embodiments describe an orthogonal frequency-division multiplexing, OFDM, based radar signal (101, 107, 127) comprising Q sub-carriers (210-212, 230-232) adapted to push an IQ-imbalance component out of a subset (240) of L contiguous range bins (241) of range profiles (137) derived out of the received (127) radar signal; and wherein L is at most Q/2. |
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25.01.2023
Verfahren zur Herstellung eines Gruppe Iii-V Bipolaren Heteroübergangstransistors auf einem Substrat der Gruppe Iv und Entsprechende Bipolare Heteroübergangstransistorvorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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18.01.2023
Verbindung, Elektronische Anordnung und Verfahren zur Herstellung einer Elektronischen Anordnung
Elektronik & Schaltungstechnik
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18.01.2023
Verbesserungen bei oder im Zusammenhang mit Bildgebungssensoren
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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18.01.2023
Personenerkennung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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11.01.2023
Abbildungssystem und Verfahren zur Abbildung einer Probe
Optik & Fototechnik
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Zusammenfassung
According to an aspect of the present inventive concept there is provided an imaging system (1a, 1 b, 1c, 1d) for imaging of a sample (4), comprising (1a, 1b, 1c, 1d) a light source (2, 2d), an interference filter (8a, 8b, 8c, 8d) and a detector (9), the light source (2, 2d) generates illumination light of a single wavelength (3, 3c, 3d, 3e) to induce elastic scattering of the light (3, 3c, 3d, 3e) by the sample (4), the interference filter (8a, 8b, 8c, 8d) selectively reduces transmittance of light having an incident angle (θa, θb) on the interference filter (8a, 8b, 8c, 8d) corresponding to non-scattered light (7, 7c, 7d, 7e), the detector (9) is configured to detect a two-dimensional representation (10) of the elastically scattered light (6, 6c, 6d, 65) transmitted by the interference filter (8a, 8b, 8c, 8d). |
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11.01.2023
Mischmetalloxid
Anorganische Chemie & Werkstoffe
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 31.05.2022
Anhängig
Vertretung
Winger · Boortmeerbeek
DenK iP bv · Boortmeerbeek
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11.01.2023
Halbleiterstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 08.07.2021
Anhängig
Vertretung
Winger · Boortmeerbeek
DenK iP bv · Boortmeerbeek
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04.01.2023
Bereitstellung von Unterschiedlichen Mustern auf einem Einzigen Substrat
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 29.06.2021
Anhängig
Vertretung
Winger · Boortmeerbeek
DenK iP bv · Boortmeerbeek
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04.01.2023
Gasgefüllte Mikroblase und Verfahren zur Herstellung einer Gasgefüllten Mikroblase
Medizintechnik & Gesundheit
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Zusammenfassung
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04.01.2023
Integrierte Photonische Vorrichtung, Sensorsystem und Verfahren
Optik & Fototechnik
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28.12.2022
Spektralsensor zur Multispektralen Bildgebung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Zusammenfassung
The present disclosure relates to a spectral sensor for acquiring spectral information of an object. The spectral sensor comprises an array of photo-sensitive areas forming pixels, a first type of interference filter comprising at least two reflective multilayers of a first type, wherein the multilayers are separated by an intermediate layer configured to give a constructive interference for a wavelength in a first wavelength range and a second type of interference filter comprising at least two reflective multilayers of a second type, wherein the multilayers are separated by an intermediate layer configured to give a constructive interference for a wavelength in a second wavelength range other than the first wavelength range. The sensor further comprises a first type of filter stack configured to selectively transmit light in the first wavelength range to a first photo-sensitive area and comprising the first type of interference filter and a second type of dielectric mirror, wherein the second type of dielectric mirror is reflective in the second wavelength range and comprises at least two reflective multilayers of the second type separated by an intermediate layer configured to give a destructive interference for a wavelength in the second wavelength range. The sensor further comprises a second type of filter stack configured to selectively transmit light in the second wavelength range to a second photo-sensitive area and comprising the second type of interference filter and a first type of dielectric mirror, wherein the first type of dielectric mirror is reflective in the first wavelength range and comprises at least two multilayers of the first type separated by an intermediate layer configured to give a destructive interference for a wavelength in the first wavelength range |
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28.12.2022
Mach-Zehnder-Modulator
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 19.02.2021
Anhängig
Vertretung
Winger · Boortmeerbeek
DenK iP bv · Boortmeerbeek
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21.12.2022
Iii-V-Halbleiter Feldeffekttransistor
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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14.12.2022
Phasenkontraströntgenabbildungssystem zur Erlangung eines Dunkelfeldbildes und Verfahren dafür
Medizintechnik & Gesundheit
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14.12.2022
Verfahren zur Übertragung einer Schicht auf ein Substrat
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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07.12.2022
Herstellung von Übergangsmetallnitrid
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.08.2016
Erteilt am 07.12.2022
Vertretung
Winger · Boortmeerbeek
DenK iP bv · Boortmeerbeek
Zusammenfassung
In a first aspect, the present invention relates to a use of an amine-containing silane for forming a transition metal nitride. In this use, the amine of the amine-containing silane is the source of at least some, preferably most and most preferably all of the nitrogen present in the transition metal nitride. |
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07.12.2022
Logische Gates auf Basis von Phasenschiebern
Elektronik & Schaltungstechnik
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Angemeldet am 04.06.2021
Anhängig
Vertretung
DenK iP bv · Boortmeerbeek
Winger · Boortmeerbeek
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Wer vertritt imec?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die imec vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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