Infineon Technologies Patente
🇩🇪 Deutschland
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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4.872 gesamt| Patent | |||
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08.07.2026
Photoakustischer Gassensor, Leckagedetektionssystem für Kältemittel und Wärmepumpe
EP4772858
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Zusammenfassung
A photoacoustic gas sensor (100) comprises an emitter (110) configured to emit light, a sensor (120) configured to measure pressure variations and a measurement cell (130) enclosing the emitter and the sensor. At least a first ventilation opening (140a) and a second ventilation opening (140b) connect the measurement cell (130) with an environment (150). |
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27.05.2026
Halbleiterbauelement mit einem Ersten und einem Zweiten Halbleitersubstratabschnitt
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Zusammenfassung
A semiconductor device (100) is proposed. The semiconductor device includes a semiconductor substrate (102) including at least a first semiconductor substrate portion (1021) and a second semiconductor substrate portion (1022) separated from one another by a first part (1041) of an intermediate dielectric structure (104) along a first lateral direction (x1). The semiconductor device (100) further includes a patterned first metal layer (106) over a first surface (1081) of the semiconductor substrate (102), wherein a first part (1061) of the patterned first metal layer (106) electrically connects the first and second semiconductor substrate portions (1021, 1022) at the first surface (1081). Each of the first and second semiconductor substrate portions (1021, 1022) includes a main portion (1023) adjoining the first surface (1081) and an auxiliary portion (1024) adjoining a second surface (1082) opposite to the first surface (1081), and, with respect to each of the first and second semiconductor substrate portions (1021, 1022), a width (w12, w22) of the auxiliary portion (1024) along the first lateral direction (x1) is larger than a width (w11, w21) of the main portion (1023) along the first lateral direction (x1). |
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13.05.2026
Mems-Schalter, Verpacktes Mems-Schalterprodukt und Verfahren zum Betrieb davon
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Zusammenfassung
In accordance with an embodiment, a microelectromechanical system (MEMS) switch device includes: a substrate; a switching membrane disposed above the substrate; a pull-in electrode disposed above the switching membrane; a metal contact disposed on the switching membrane; and a pull-back electrode disposed below the switching membrane, wherein the switching membrane is movable between an open position and a closed position, and wherein in the closed position, the metal contact electrically connects two RF signal lines. |
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06.05.2026
Hochfrequenzschalter und Hochfrequenzvorrichtung
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Zusammenfassung
A radio frequency switch (100) is provided. The switch includes a first radio frequency terminal (106), a second radio frequency terminal (108), and a phase change material (114) electrically coupled between the first radio frequency terminal (106) and the second radio frequency terminal (108). The phase change material comprises an alloy of at least three different chemical elements, wherein the alloy contains at least one of In, Ag and Sn. |
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06.05.2026
Zweistufige Laserverarbeitung zur Herstellung eines Mems-Chips mit einer Umweltbarrierestruktur aus Polymernanofasern
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Zusammenfassung
A method for producing a MEMS chip (100) with an environmental barrier structure (150) made from polymer nanofibers (151), the method comprising providing a wafer substrate (110) having plurality of adjacent through holes (131, ..., 134). The environmental barrier structure (150) is created by applying polymer nanofibers (151) onto one of the front and back sides (111, 112) of the wafer substrate (110). A plurality of MEMS chips (100) are singulated from the wafer substrate (110) by applying a two-step laser process comprising: a first laser-processing step including guiding a laser beam (160) over the one side of the wafer substrate (110) at which the polymer nanofibers (151) are applied in order to locally remove the polymer nanofibers (151) from the wafer substrate (110) and to locally uncover an underlying surface, and a subsequent second laser-processing step including applying a stealth dicing process for singulating the MEMS chips (100) by guiding a stealth dicing laser beam over the locally uncovered surfaces. |
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29.04.2026
Vorrichtung zur Erkennung von Mikrobewegung, Radarsensor, Elektronische Vorrichtung, Verfahren, Nichttransitorisches Maschinenlesbares Medium und Programm
EP4733798
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Zusammenfassung
Provided is an apparatus for detecting micro motion in a scene sensed by a radar sensor having one or more receive channel. The apparatus includes processing circuitry configured to receive radar data outputted by the radar sensor for each receive channel, the radar data being arranged as frames for each receive channel. The processing circuitry is further configured to for each receive channel, for each frame and for each range bin of a plurality of range bins of the radar data, each range bin corresponding to a distance window relative to the radar sensor, extract micro motion information from the radar data of the considered range bin and generate a first value from said micro motion information. The processing circuitry is further configured to for each receive channel, for each frame, for each range bin, determine a second value based on the first value determined for the considered range bin at the considered frame and a prior first value determined for the considered range bin at a prior frame. The processing circuitry is further configured to for each range bin, determine a third value for the considered range bin based on the respective second values. The processing circuitry is further configured to determine occurrence of the micro motion in the scene based on the third values. |
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22.04.2026
Vorrichtung und Verfahren zur Steuerung einer oder mehrerer Funktionen einer Toilette
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Zusammenfassung
Provided is an apparatus for controlling one or more function of a toilet. The apparatus includes processing circuitry configured to receive radar data of a radar sensor integrated into the toilet and determine movement parameters of a user relative to the radar sensor based on the radar data. Furthermore, the processing circuitry is configured to determine, based on at least part of the movement parameters of the user, whether the user is within a predefined area. In response to determining that the user is within the predefined area, the processing circuitry is configured to determine a movement trajectory of the user based on the movement parameters of the user. In addition, the processing circuitry is configured to determine, based on the movement trajectory, whether the user is slowing down while approaching the toilet. In response to determining that the user is slowing down while approaching the toilet, the processing circuitry is configured to trigger the one or more function of the toilet. |
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01.04.2026
Mems-Druckwandlergehäuse auf Waferebene in Chipgrösse und Herstellungsverfahren dafür
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Zusammenfassung
The present disclosure concerns a MEMS pressure transducer Wafer-Level Chip-Scale Package (100) and a method for manufacturing the same. The method comprises a step of providing a MEMS wafer (110) comprising a plurality of adjacently arranged MEMS membrane structures (120). The method comprises a further step of providing an ASIC wafer (210) comprising a plurality of adjacently arranged integrated electronic components (220), and bonding the MEMS wafer (110) with the ASIC wafer (210) with their respective front sides (111, 211) facing each other. The method comprises a further step of structuring at least one first cavity (150) into MEMS wafer (110) and structuring a smaller second cavity (160) into the first cavity (150). |
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25.03.2026
Verfahren und Sensor zur Detektion einer Substanz auf einer Windschutzscheibe
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Zusammenfassung
The present disclosure relates to a sensor arrangement for detecting a substance (112) on a windshield (104). The sensor arrangement comprises a mm-wave signal generator (102) configured to provide a first mm-wave signal. The sensor arrangement further comprises a receiver (106) and a processing circuit (108). The receiver (106) is configured to receive a second mm-wave signal. The processing circuit (108) is configured to determine information indicating the substance (112) on the windshield (104) based on the first mm-wave signal and the second mm-wave signal. |
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18.03.2026
Radarsensor und Verfahren zum Betrieb eines Radarsensors
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Zusammenfassung
A method for operating a radar sensor in a vehicle, the radar sensor comprising a radar transceiver operating in an operating frequency range. The method comprises generating within the radar sensor an information related to an orientation of the radar sensor and determining an orientation of a transmission of the radar transceiver based on the information related to the orientation of the radar sensor. Further, the method comprises selecting a frequency sub-band of the operating frequency range of the radar transceiver depending on the orientation of the radar transceiver for transmitting radar signals |
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11.03.2026
Vorrichtungsgehäuse mit Reduzierten Funkfrequenzverlusten
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Status
Angemeldet am 20.06.2018
Erteilt am 11.03.2026
Vertretung
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11.03.2026
Eingebettete Waferinspektion
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Status
Angemeldet am 18.10.2018
Erteilt am 11.03.2026
Vertretung
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11.03.2026
Vorrichtung und Verfahren zur Verfolgung von Objekten
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Status
Angemeldet am 31.01.2023
Erteilt am 11.03.2026
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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11.03.2026
Phasenwechselschaltervorrichtung und Verfahren zum Betrieb einer Phasenwechselschaltervorrichtung
EP4683225
Elektronik & Schaltungstechnik
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04.03.2026
Verbesserte Verstärkervorrichtung
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Status
Angemeldet am 22.08.2019
Erteilt am 04.03.2026
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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04.03.2026
Siliziumkarbid-Bauelement mit einer Implantationsschwanz-Kompensationsregion
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Status
Angemeldet am 06.10.2020
Erteilt am 04.03.2026
Vertretung
Müller Hoffmann & Partner · München
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04.03.2026
Schaltvorrichtung für Phasenwechselmaterial und Zugehörige Verfahren
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25.02.2026
Verfahren und Anordnung zum Verbinden von Elementen mit einem Substrat
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Status
Angemeldet am 21.03.2024
Erteilt am 25.02.2026
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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25.02.2026
Linearisierungsverfahren für ein Mems-Mikrofonsystem
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Status
Angemeldet am 28.04.2023
Erteilt am 25.02.2026
Vertretung
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25.02.2026
Vorrichtung mit Neuronalem Netz und Verfahren mit Verwendung eines Neuronalen Netzes zur Sensorfusion
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Status
Angemeldet am 31.05.2019
Erteilt am 25.02.2026
Vertretung
Zusammenfassung
A neural network device and a method using a neural network for sensor fusion are disclosed, wherein the neural network device includes a neural network (136) and wherein the neural network (136) is configured to: process a first grid (132) including a plurality of grid cells, wherein the first grid (132) represents at least a first portion of a field of view (108) of a first sensor (104), wherein at least one grid cell has information about an occupancy of the first portion of the field of view (108) assigned to the at least one grid cell, the information being based on data provided by the first sensor (104); process a second grid (134) including a plurality of grid cells, wherein the second grid (134) represents at least a second portion of a field of view (110) of a second sensor (106), wherein at least one grid cell has information about an occupancy of the second portion of the field of view (110) assigned to the at least one grid cell, the information being based on data provided by the second sensor (106); and fuse the processed first grid (132) with the processed second grid (134) into a fused grid (138), wherein the fused grid (138) includes information about the occupancy of the first portion of the field of view (108) of the first sensor (104) and the occupancy of the second portion of the field of view (110) of the second sensor (106). |
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25.02.2026
Leistungshalbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleiterbauelements
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Status
Angemeldet am 31.01.2020
Erteilt am 25.02.2026
Vertretung
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25.02.2026
Antenne-In-Gehäuse-Produktionstest
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Status
Angemeldet am 30.07.2020
Erteilt am 25.02.2026
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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25.02.2026
Konfigurierbares Mikrofon mit Internem Taktwechsel
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Status
Angemeldet am 27.01.2021
Erteilt am 25.02.2026
Vertretung
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25.02.2026
Vorrichtung zur Kompensation einer Unwillkürlichen Bewegung eines Radarsensors in einem Radarausgangssignal des Radarsensors, Radarsystem und Verfahren
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Status
Angemeldet am 26.10.2022
Erteilt am 25.02.2026
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
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25.02.2026
Leistungshalbleitermodulanordnung und Verfahren zum Produzieren einer Leistungshalbleitermodulanordnung
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Status
Angemeldet am 16.05.2022
Erteilt am 25.02.2026
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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25.02.2026
Halbleiteranordnung mit Halbleiterschaltvorrichtung und Strommesseinheit
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Status
Angemeldet am 13.01.2022
Erteilt am 25.02.2026
Vertretung
Müller Hoffmann & Partner · München
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18.02.2026
Vorrichtungsgehäuse mit Reduzierten Funkfrequenzverlusten
EP4651184
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.06.2018
Anhängig
Vertretung
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18.02.2026
Phasenwechselschaltvorrichtung und Verfahren zum Betrieb einer Phasenwechselschaltvorrichtung
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11.02.2026
Halbleitermodul und Verfahren zur Kopplung eines Halbleitermoduls mit einer Leiterplatte
EP4694587
Elektronik & Schaltungstechnik
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11.02.2026
Umweltbarrierestruktur mit Integriertem Fluidkanal
EP4694185
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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04.02.2026
Radarvorrichtung und Radarverfahren
EP4686958
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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04.02.2026
Sichere Kommunikation mit Sicherem Kanalmultiplexing
EP4687326
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 24.07.2025
Anhängig
Vertretung
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28.01.2026
Vorrichtung und Verfahren, Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung eines Referenzwertes zur Anzeige einer Parallaxe und Flugzeitsystem
EP4685518
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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28.01.2026
Schutzvorrichtung gegen Elektrostatische Entladungen mit Integrierten Serienwiderständen
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28.01.2026
Mems-Vorrichtung mit einer Mechanischen Barrierenstruktur
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Status
Angemeldet am 29.12.2021
Erteilt am 28.01.2026
Vertretung
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21.01.2026
Leistungshalbleitermodulanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
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Status
Angemeldet am 12.02.2024
Erteilt am 21.01.2026
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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21.01.2026
Markierungserzeugung zur Erkennung Menschlicher Aktivitäten
EP4682840
Software & Datenverarbeitung
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14.01.2026
Leistungshalbleitermodulanordnung und Gehäuse für eine Leistungshalbleiteranordnung
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Status
Angemeldet am 19.09.2018
Erteilt am 14.01.2026
Vertretung
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
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14.01.2026
Verfahren zur Messung einer Internen Kapazität einer Transistorvorrichtung
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07.01.2026
Vorrichtung zur Detektion einer Spiegelnden Oberfläche in einer Szene und Verfahren zur Steuerung einer Vorrichtung zur Detektion einer Spiegelnden Oberfläche in einer Szene
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Angemeldet am 11.11.2021
Erteilt am 07.01.2026
Vertretung
2SPL Patentanwälte PartG mbB · München
Zusammenfassung
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Wer vertritt Infineon Technologies?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Infineon Technologies vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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