imec Patente
🇧🇪 Belgien
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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2.629 gesamt| Patent | |||
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01.07.2020
3D-Leistungshalbleitervorrichtung und -System
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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01.07.2020
Verarbeitung von Auslesungen von Sequenzierter Nukleinsäure
Software & Datenverarbeitung
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01.07.2020
Hardware-Beschleunigerarchitektur für Neuronales Konvolutionsnetz
Software & Datenverarbeitung
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01.07.2020
Verfahren zum Maskieren eines Grabenabschnitts
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.12.2014
Erteilt am 01.07.2020
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01.07.2020
Verfahren zur Herstellung Photonischer Integrierter Schaltungen mit Heterogenem Iii-V-Silicium
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 07.05.2015
Erteilt am 01.07.2020
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25.06.2020
A method and apparatus for aligning a probe for scanning probe microscopy to the tip of a pointed sample
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.09.2019
Anhängig
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24.06.2020
Binäre Rekurrente Inferenzverfahren für Neuronales Netz
Software & Datenverarbeitung
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24.06.2020
Mehrstufige Mikrofluidische Vorrichtung
Verfahrens- & Trenntechnik
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24.06.2020
Verfahren zur Verpackung von Halbleiterchips
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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24.06.2020
Ldmos mit Vergrabener Schiene als Zusätzliches Gate
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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24.06.2020
Verfahren zum Verbinden einer Vergrabenen Verbindungsschiene und einer Halbleiterrippe in einem Integrierten Schaltungschip
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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24.06.2020
Selbstausgerichtete Kontaktloch- und -Säulenanordnungsstrukturierung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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24.06.2020
Mikrofluidisches Verteilungsschema
Verfahrens- & Trenntechnik
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24.06.2020
Perowskitoxide mit A-Achsen-Ausrichtung
Metallurgie & Oberflächentechnik
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24.06.2020
Übersprechungsreduzierung in einer Anzeige mit Optischem Scanner
Software & Datenverarbeitung
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
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24.06.2020
Opto-Elektronische Iii-V-On-Silicium-Nanoridge-Vorrichtung mit einer Nachgewachsenen Rippenstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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24.06.2020
Vorrichtung zur Tiefenaufgelösten Hyperspektralen Bildgebung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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24.06.2020
Synapsenschaltung mit Speicher
Software & Datenverarbeitung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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24.06.2020
Opto-Elektronische Iii-V-On-Silicium-Nanoridge-Vorrichtung mit Trägerblockierungsschichten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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24.06.2020
Si-Passivierter Ge-Gate-Stapel
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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24.06.2020
Speicherinterne Berechnung für Maschinenlernen
Software & Datenverarbeitung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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24.06.2020
Verbesserte Codierung zur Vermeidung von Bewegungsartefakten
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
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24.06.2020
Verfahren zum Bonden und Verbinden von Integrierten Schaltungsvorrichtungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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24.06.2020
Verfahren zur Selektiven Oxidentfernung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.07.2015
Erteilt am 24.06.2020
Vertretung
Clerix, André · Leuven
Patent Department IMEC · Leuven
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24.06.2020
Quantifizierung von Topologisch Angeordneten Lumineszenten Farbstoffen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 29.06.2016
Erteilt am 24.06.2020
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17.06.2020
Magnetische Schichtstruktur für Magnettunnelbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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17.06.2020
Probenaufgabe
Verfahrens- & Trenntechnik
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Status
Angemeldet am 21.02.2018
Erteilt am 17.06.2020
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17.06.2020
Verfahren zur Herstellung einer Optischen Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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17.06.2020
Verbessertes Routing von Kontakten für 3D-Speicher
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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17.06.2020
Frequenz-Digital-Analog-Wandler (dac) für Radar
Elektronik & Schaltungstechnik
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17.06.2020
Silicidierter Fin Übergang für Rückseitigen Anschluss
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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17.06.2020
Verfahren zur Steuerung von Zeitverzögerung und Integrationsbildgebung und Bildsensor für Zeitverzögerung und Integrationsbildgebung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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17.06.2020
Verfahren zur Herstellung von Kontaktbereichen auf einem Halbleitersubstrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 24.06.2013
Erteilt am 17.06.2020
Vertretung
Clerix, André · Leuven
Patent Department IMEC · Leuven
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17.06.2020
Herstellungsverfahren einer Finfet-Vorrichtung mit Zwei Verspannten Kanälen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 31.10.2013
Erteilt am 17.06.2020
Vertretung
Patent Department IMEC · Leuven
Bird Goën & Co · Winksele
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17.06.2020
Dünne NiB- oder CoB-Deckschicht für Bondflächen aus unedlen Metallen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.02.2015
Erteilt am 17.06.2020
Vertretung
Clerix, André · Leuven
Patent Department IMEC · Leuven
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17.06.2020
Integrierte Schaltung mit Niedrigem Energieverbrauch für Punkt-Zu-Zweipunkt-Signalübertragung
Elektronik & Schaltungstechnik
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04.06.2020
Laminate, organic semiconductor device, methods for manufacturing laminate and organic semiconductor device, composition, and composition kit
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 25.11.2019
Anhängig
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03.06.2020
Verfahren zur Formung eines Stapels aus Cmos Bauelemente
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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03.06.2020
Struktur zur Verwendung in einem Metallisolator-Metallkondensator
Organische Chemie
Metallurgie & Oberflächentechnik
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03.06.2020
Verfahren zur Vereinzelung eines Stapels von Halbleiterwafern
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
According to the method of the invention, a plurality of wafers, each comprising a plurality of integrated circuit dies, are bonded to form a stack of wafers. In this stack, the dies are bonded together by direct bonding techniques as known in the art. According to the invention, prior to each bonding step, singulation streets are produced along the circumference of two dies that are to bonded, to the extent that in the singulation streets, all materials of the dies are removed from the two surfaces that are to be bonded except the semiconductor substrate portion of the dies. This is preferably done by a litho and etch step, etching down through the materials until reaching the substrate portion. Singulation streets on directly bonded surfaces are mutually aligned in the bonding steps, and all singulation streets in the stack are equally aligned to each other. An additional singulation street, aligned with the earlier produced singulation streets, is produced on the top layer of the stack, after production of contact structures such as bumps or pillars. Separation of a stack of dies from the wafer stack is achieved by an etch step, removing the material of the substrates of the stack, in the area corresponding to the aligned singulation streets. |
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Wer vertritt imec?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die imec vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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