imec Patente
🇧🇪 Belgien
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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2.629 gesamt| Patent | |||
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20.03.2019
Wachstum von Einkristallinem Gen auf einem Substrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.07.2007
Erteilt am 20.03.2019
Vertretung
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20.03.2019
ALD-Herstellungsverfahren für einen Kondensator mit einer dielektrischen Schicht auf Strontium-Titanoxid-Basis
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.09.2009
Erteilt am 20.03.2019
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13.03.2019
Verfahren zur Herstellung einer Maske
Optik & Fototechnik
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13.03.2019
Verfahren zur Herstellung einer Vertikalkanalvorrichtung sowie eine Vertikalkanalvorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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06.03.2019
Verfahren zur selektiven Ablagerung eines Halbleitermaterials
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 16.01.2012
Erteilt am 06.03.2019
Vertretung
Hertoghe, Kris Angèle Louisa · Winksele
Zusammenfassung
A method for selective deposition of semiconductor materials in semiconductor processing includes providing a patterned substrate (10) comprising a first region (11) and a second region (12), where the first region (11) comprises an exposed first semiconductor material and the second region (12) comprise an exposed insulator material. The method further includes selectively providing a film of the second semiconductor material on the first semiconductor material of the first region by providing a precursor of a second semiconductor material, a carrier gas that is not reactive with Cl components, and tin-tetrachloride (SnCl<4>). The tin-tetrachloride inhibits the deposition of the second semiconductor material on the insulator material of the second region. |
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06.03.2019
Strahlungsträger und Verwendung davon in einem Optischen Sensor
Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 30.06.2016
Erteilt am 06.03.2019
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27.02.2019
Autofokussystem und -Verfahren in Digitaler Holographie
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 30.11.2015
Erteilt am 27.02.2019
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27.02.2019
Schaltung zur Stabilisierung einer D/a-Umsetzerreferenzspannung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 17.12.2015
Erteilt am 27.02.2019
Zusammenfassung
The present invention relates to a circuit (100) for stabilizing a voltage on a reference node comprising - a digital-to-analog converter (10), DAC, comprising an array of capacitors and arranged for receiving an input voltage (Vin) via an input node, a voltage (Vref,DAC) via a reference node and a DAC code (codeDAC) via a controller node, said DAC code indicating to which capacitors of the array said voltage (Vref,DAC) is to be applied, and for outputting a DAC output voltage (Vout), - a capacitive network on the reference node comprising a fixed capacitor (Cref) arranged to be precharged to an external reference voltage (Vref) and a variable capacitor (Caux) arranged to be precharged to an external auxiliary voltage (Vaux) and afterwards to be connected to the reference node, - a measurement block (40) arranged for measuring the actual voltage on the reference node, - a calibration block (50) arranged for being fed with the DAC code and the measured actual voltage and for determining an updated setting of the variable capacitor based on the DAC code and the measured actual voltage. |
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27.02.2019
Verfahren und Vorrichtung, um den Durchbruch ultradünner dielektrischer Schichten festzustellen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.04.2002
Erteilt am 27.02.2019
Vertretung
Van Malderen, Joëlle · Liège
Van Malderen, Joëlle · Liège
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20.02.2019
Verbesserungen an oder im Zusammenhang mit elektrostatischem Entladungsschutz
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.12.2013
Erteilt am 20.02.2019
Vertretung
Mackett, Margaret Dawn · Diegem
Mackett, Margaret · Diegem
Zusammenfassung
Described herein is an electrostatic discharge (ESD) protection device implemented in finFET technology. The device has a reduced thickness shallow trench isolation (STI) layer (120') which allows migration of high-doped drain implants (240, 250) therethrough to form regions (290, 300) extending under the STI layer (120') thereby creating a planar-like region under the STI layer (120'). The regions (290, 300) are formed in an n-well layer (180) provided between a substrate (100) and the STI layer (120'). The formation of the planar-like region under the STI layer (120') has the advantage that part of the thermal energy produced in the device during an ESD event is generated under the STI layer where it can be more efficiently dissipated towards a substrate (100). |
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20.02.2019
Herstellung einer Maskenschicht
Optik & Fototechnik
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13.02.2019
Schichtaufbau einer p-TFET
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 13.10.2014
Erteilt am 13.02.2019
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06.02.2019
Telekommunikationsvorrichtung mit einem Elektrisch Abstimmbaren Duplexer und Verfahren zum Abstimmen des Besagten Duplexers
Elektronik & Schaltungstechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Zusammenfassung
The present disclosure provides a telecommunications device comprising an electrical balance duplexer connected to an output node of a transmission path, an input node of a receive path, an antenna and a tuneable impedance. The electrical balance duplexer is configured to isolate the transmission path from the receive path by tuning the tuneable impedance by means of a tuning circuit. The tuning circuit comprises voltage amplitude detectors at the connections between the electrical balance duplexer and the transmission path, the receive path and the tuneable impedance, voltage phase difference detectors between the connections between the electrical balance duplexer and the transmission path, the receive path and the tuneable impedance, an impedance sensor at the connection between the electrical balance duplexer and the tuneable impedance, and a processing unit configured for calculating an optimal impedance value from the detector data, and for tuning the tuneable impedance towards said optimal impedance value. |
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06.02.2019
System und Verfahren zur Ausführung einer Multiplikation
Software & Datenverarbeitung
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Zusammenfassung
The present invention relates to a system for performing a multiplication, said system arranged for receiving a first data value (10) and comprising - means (20) for calculating at run time a set of instructions for performing a multiplication using said first data value, - storage means (50) for storing the set of instructions calculated at run time, - multiplication means (40) arranged for receiving a second data value (30) and at least one instruction from the stored set of instructions and arranged for performing multiplication of the first and the second data value using said at least one instruction. |
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30.01.2019
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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23.01.2019
Poröse Feststoffe und Verfahren zur Herstellung
Metallurgie & Oberflächentechnik
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23.01.2019
Vorrichtung, System und Verfahren zur Analog-Digital-Umwandlung unter Verwendung einer Stormintegrationsschaltung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 17.02.2012
Erteilt am 23.01.2019
Vertretung
Clerix, André · Leuven
Patent Department IMEC · Leuven
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23.01.2019
Halbleiterbauelement mit einer Diode und mit einem Bipolartransistor und Verfahren zur Herstellung einer solchen Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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23.01.2019
Zellerkennung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Software & Datenverarbeitung
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09.01.2019
Germaniumnanodrahtherstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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09.01.2019
Verfahren zur Herstellung einer Kristallinen Germaniumschicht auf einem Substrat
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.07.2008
Erteilt am 09.01.2019
Vertretung
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02.01.2019
Flüssigkeitsanalysenvorrichtung und Flüssigkeitsanalysenverfahren
Verfahrens- & Trenntechnik
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Status
Angemeldet am 24.11.2015
Erteilt am 02.01.2019
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02.01.2019
Verfahren zur Herstellung von Substratdurchkontaktierungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.10.2008
Erteilt am 02.01.2019
Vertretung
Bird, Ariane · Heverlee
Patent Department IMEC · Leuven
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02.01.2019
Verfahren zur Reduzierung der Impedanz einer Titannitridelektrode
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 21.11.2013
Erteilt am 02.01.2019
Vertretung
Hertoghe, Kris Angèle Louisa · Winksele
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02.01.2019
FPGA-Vorrichtung mit programmierbarer Verbindung im Back-end des Leitungsteils der Vorrichtung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.11.2014
Erteilt am 02.01.2019
Vertretung
Clerix, André · Leuven
Patent Department IMEC · Leuven
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02.01.2019
Interferometer zur Superaufgelösten Raman-Mikroskopie
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Optik & Fototechnik
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26.12.2018
Dtc-Basierter Phasenregelkreis und Verfahren zum Betreiben des Dtc-Basierten Phasenregelkreises
Elektronik & Schaltungstechnik
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Zusammenfassung
The disclosure provides a phase locked loop, PLL, for phase locking an output signal to a reference signal. The PLL comprises a reference path providing the reference signal to a first input of a phase detector, a feedback loop providing the output signal of the PLL as a feedback signal to a second input of the phase detector, a controllable oscillator generating the output signal based on at least a phase difference between reference and feedback signal, a digital-to-time converter, DTC, delaying a signal that is provided at one of the first and second input, a delay calculation path for calculating a DTC delay value. The PLL further comprises a randomization unit for generating and adding a stream of pseudo-random offsets, i.e. pseudo-random numbers, to the delay value. The offset is such that the target output of the phase detector remains substantially unchanged. |
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26.12.2018
Verfahren zur Strukturierung einer Zielschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.12.2018
Verkapselung auf Dünnfilm-Waferebene
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Status
Angemeldet am 20.01.2011
Erteilt am 26.12.2018
Vertretung
Clerix, André · Leuven
Patent Department IMEC · Leuven
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26.12.2018
Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtungen und Herstellungsverfahren dafür
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.09.2013
Erteilt am 26.12.2018
Vertretung
Mackett, Margaret · Diegem
Mackett, Margaret Dawn · Diegem
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19.12.2018
Sensorvorrichtung, Messsystem und Verfahren zur Erkennung eines Externen Einflusses
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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19.12.2018
Verfahren und System zur Bestimmung von Übertragungsparametern in einem Drahtlosen Lokalen Netzwerk
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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19.12.2018
Vorbehandlungsverfahren zur Steigerung der Kupferinsel-Dichte und zur Verbesserung der Haftung von Cu auf Grenzschichten
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.12.2018
Verfahren und Vorrichtung zum Arzneimittelscreening
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 03.04.2015
Erteilt am 05.12.2018
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05.12.2018
Halbleiterzelle zur Ausführung einer Logischen Xnor- oder Xnor-Operation
Software & Datenverarbeitung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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05.12.2018
Bildsensorsteuerung unter Verwendung von Zustandsmaschinen
Steuerungs- & Regelungstechnik
Software & Datenverarbeitung
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05.12.2018
Verbesserungen in bezug auf die Erhöhung des Dynamikbereichs von Bildsensoren
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 06.10.2011
Erteilt am 05.12.2018
Vertretung
Mackett, Margaret Dawn · Diegem
Mackett, Margaret · Diegem
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05.12.2018
Spektralkamera mit auf einer Sensoranordnung Verschachtelten Überlappenden Bildkopiesegmenten
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.10.2012
Erteilt am 05.12.2018
Vertretung
Bird Goën & Co · Winksele
AWA Sweden AB · Stockholm
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28.11.2018
Hochspannungstoleranter Ldmos
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.12.2015
Erteilt am 28.11.2018
Zusammenfassung
An LDMOS device (300) in FinFET technology comprises a first region (210) substantially surrounded by a second region (220) of different polarity; a first fin (330) in the first region (210), extends into the second region (220), and comprises a doped source region (410) connected with a first local interconnect (380); a second fin (340) in the second region (220), comprises a doped drain region (420) connected with a second local interconnect (382); a third fin (350) parallel with the first and second fin (330) comprises a doped drain region connected with the second local interconnect (382); a gate (360) over the first fin (330) at the border between the first and second regions. In operation a first current path runs over the first and second fins (330, 340), and a second current path runs over the first fin (330) and perpendicular from the first fin towards the third fin (350). |
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28.11.2018
Trägerdepletionsbasierter Siliziumwellenleiter-Resonanzhohlraummodulator mit integriertem Leistungsmonitor
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 18.06.2014
Erteilt am 28.11.2018
Vertretung
Clerix, André · Leuven
Patent Department IMEC · Leuven
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Wer vertritt imec?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die imec vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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