imec Patente
🇧🇪 Belgien
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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2.629 gesamt| Patent | |||
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21.11.2018
Verfahren zur Herstellung von Säulen in einer Vertikalen Transistorvorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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21.11.2018
Verfahren zur Herstellung von Verbundenen Vertikalen Kanalvorrichtungen und Halbleiterstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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21.11.2018
Verfahren zur Herstellung Vertikaler Kanalvorrichtungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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21.11.2018
Verfahren zur Definition eines Kanalbereichs in einer Vertikalen Transistorvorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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21.11.2018
Netzwerkstapel für eine Vielzahl von Physischen Kommunikationsschnittstellen
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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21.11.2018
Verfahren zur Herstellung Vertikaler Kanalvorrichtungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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21.11.2018
Solarzellen mit Dickem Siliziumoxid und Siliziumnitrid zur Passivierung und Entsprechendes Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 16.03.2006
Erteilt am 21.11.2018
Vertretung
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21.11.2018
Verfahren zur Übertragung von Graphenfolie-Metall-Kontaktkügelchen eines Substrates zur Verwendung in einem Halbleitervorrichtungspaket
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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14.11.2018
Gepulste Epr-Detektion
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 30.09.2009
Erteilt am 14.11.2018
Vertretung
Wauters, Davy Erik Angelo · Boortmeerbeek
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14.11.2018
Verfahren zur Herstellung einer mikrogefertigten Vorrichtung und damit mikrogefertigte Vorrichtung
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Status
Angemeldet am 19.01.2011
Erteilt am 14.11.2018
Vertretung
Hertoghe, Kris Angèle Louisa · Winksele
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14.11.2018
Herstellungsverfahren für auf Silizium-Basierte Solarzellen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.08.2013
Erteilt am 14.11.2018
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07.11.2018
Verfahren zur Erzeugung eines Gruppe-Iii-Nitrid-Materials oder eines Sic-Materials auf einem Siliziumsubstrat
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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07.11.2018
Verfahren zur Herstellung von Verbindungsstrukturen für integrierte Schaltungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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07.11.2018
Integration von Elektronischen Schaltungen in Textilien
Haushalts-, Möbel- & Konsumgüter
Elektronik & Schaltungstechnik
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31.10.2018
Unterbau, Anordnung mit dem Unterbau, Verfahren zur Anordnung und Anordnungsvorrichtung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 14.03.2013
Erteilt am 31.10.2018
Vertretung
Jansen, Cornelis Marinus · Den Haag
V.O · Den Haag
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31.10.2018
Standardzelle für Vertikale Transistoren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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31.10.2018
III-Nitrid-Transistor mit einer mit dem Source verbundenen wärmeableitenden Platte und Verfahren zur Herstellung des Transistors
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.12.2012
Erteilt am 31.10.2018
Vertretung
Clerix, André · Leuven
Patent Department IMEC · Leuven
Zusammenfassung
The present invention is related to a III-nitride transistor device comprising a III-nitride stack comprising at least two layers (7, 8) with a heterojunction therebetween, so as to form a 2DEG layer (10) in a channel formed in one of said two layers, and further comprising on said III-nitride stack source (4), gate (6) and drain (5) electrodes embedded in an insulation layer (3) which is attached to a carrier substrate (1). In the production process of a device of the invention, the III-nitride stack and the electrodes are produced on a temporary substrate, which is completely removed after the attachment to the carrier. A transistor according to the invention comprises a source-connected heat spreading plate (12) on the backside of the III-nitride stack, applied thereto after the removal of the temporary substrate, the source-connected heat spreading plate being connected to the source electrode. In a preferred embodiment, the device is a high power transistor comprising multiple finger-shaped source and drain electrodes extending from laterally placed source and drain pads. The backside metallization of the source pad is uniform with the source-connected heat spreading plates, the latter being preferably applied to said backside together with said metallization in a single process step. |
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31.10.2018
Triplett-Anregungs-Scavenging in Organischen Festkörpermaterialien
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 24.07.2009
Erteilt am 31.10.2018
Vertretung
Gabriel, Kiroubagaranne · Bruxelles
Pronovem · Liège
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31.10.2018
Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung zur Wärmeisolierung von Mikroreaktoren
Verfahrens- & Trenntechnik
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Status
Angemeldet am 23.09.2011
Erteilt am 31.10.2018
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31.10.2018
Spektraldetektor und Bildsensor damit
Medizintechnik & Gesundheit
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 06.12.2016
Erteilt am 31.10.2018
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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24.10.2018
Verfahren zur Analyse des Entwurfs eines Integrierten Schaltkreises
Optik & Fototechnik
Software & Datenverarbeitung
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17.10.2018
Verfahren zur Strukturierung einer Zielmaterialschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.01.2017
Erteilt am 17.10.2018
Vertretung
AWA Sweden AB · Stockholm
Awapatent AB · Helsingborg
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17.10.2018
Maskenstruktur und Verfahren für defektfreie heteroepitaktische Abscheidung
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.02.2013
Erteilt am 17.10.2018
Vertretung
Bird Goën & Co · Winksele
DenK iP · Boortmeerbeek
Zusammenfassung
The invention is related to a mask structure suitable for producing a defect free epitaxially grown structure of a crystalline material on substrate of another crystalline material, the two materials having difference lattice constants. The mask comprises two levels : a first level comprising a first layer provided with a first opening, for example of first trench, the bottom of which is formed by the substrate formed of the first material. The second level comprises at least a barrier placed on at least two opposite sides of the trench. According to a preferred embodiment, the second level comprises one or more second trenches arranged perpendicularly to the first trench. The depth and width of the first and second trenches is such that defects generated in the epitaxially grown layer of the second material at the substrate portion at the bottom of the first trench, and propagating in the direction of the second trenches are trapped in the first trench. In this way, in the larger portion of the second trenches, essentially defect free material can be grown. |
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10.10.2018
Kombinierte Aktive und Passive Drahtloskommunikationsvorrichtung
Software & Datenverarbeitung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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10.10.2018
Übergangsverzögerungsdetektor für Verbindungstest
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 19.10.2012
Erteilt am 10.10.2018
Vertretung
Hertoghe, Kris Angèle Louisa · Winksele
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03.10.2018
Integration von Silizium-Germanium Halbleiterstrukturen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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03.10.2018
ALD-Verfahren
Anorganische Chemie & Werkstoffe
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 06.08.2012
Erteilt am 03.10.2018
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03.10.2018
Sauerstoff-Monoschicht auf einem Halbleiter
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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03.10.2018
Analyse von Biopartikeln basierend auf ihrem Wärmetransfer-Widerstand
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 28.02.2013
Erteilt am 03.10.2018
Vertretung
Wauters, Davy Erik Angelo · Boortmeerbeek
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03.10.2018
System und Verfahren zur Manschettenlosen Schätzung des Blutdrucks
Medizintechnik & Gesundheit
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26.09.2018
Verfahren zur Herstellung einer Integrierten Schaltung mit einer Metallisierungsschicht aus einem Material mit Niedriger Dielektrizitätskonstante
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.09.2018
Integrierte Schaltung mit einen Metall-Isolator-Metall Kondensator und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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19.09.2018
Lawinen-Fotodetektorelement mit erhöhter elektrischer Feldstärke
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.11.2012
Erteilt am 19.09.2018
Vertretung
Duyver, Jurgen Martha Herman · Diegem
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19.09.2018
Vorrichtungen und Verfahren zur Erzeugung und Detektion von Spinwellen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.04.2015
Erteilt am 19.09.2018
Vertretung
AWA Sweden AB · Stockholm
Awapatent AB · Helsingborg
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12.09.2018
Biokompatible Verpackung
Medizintechnik & Gesundheit
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 25.06.2010
Erteilt am 12.09.2018
Vertretung
Wauters, Davy Erik Angelo · Boortmeerbeek
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05.09.2018
Interne Abstandshalter für Nanodrahthalbleiterbauelemente
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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29.08.2018
Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Strukturen mit Hohem Aspektverhältnis
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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29.08.2018
Verfahren zur Grabenstrukturierung in Dielektrischen Schichten unter Verwendung einer Blockmaske und Zugehörige Halbleiterstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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29.08.2018
Verfahren zur Definition von Patterns für Leiterbahnen in einer Dielektrischen Schicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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29.08.2018
Verfahren zum Direkten Verbinden von Halbleitersubstraten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Wer vertritt imec?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die imec vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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