Siltronic Patente
🇩🇪 Deutschland
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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375 gesamt| Patent | |||
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22.01.2025
Verfahren zur Bearbeitung von Halbleiterscheiben
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.07.2023
Anhängig
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22.01.2025
Verfahren und Anlage zum Ermitteln einer Einrichthöhe an einer Tiegeleinheit
Metallurgie & Oberflächentechnik
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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22.01.2025
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Einkristallinem Silizium
Metallurgie & Oberflächentechnik
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25.12.2024
Verfahren, Steuerungssystem und Anlage zum Bearbeiten einer Halbleiterscheibe sowie Halbleiterscheibe
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.12.2024
Haltevorrichtung für eine Horizontal Angeordnete Scheibe aus Halbleitermaterial
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 31.05.2024
Anhängig
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11.12.2024
Greifer zum Transportieren einer Stehend Angeordneten Halbleiterscheibe und Verfahren zum Reinigen der Halbleiterscheibe
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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11.12.2024
Haltevorrichtung für eine Horizontal Angeordnete Scheibe aus Halbleitermaterial
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.06.2023
Anhängig
Vertretung
Hasenhütl, Eva · Burghausen
Grundner, Sebastian · Burghausen
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27.11.2024
Referenz zur Bestimmung der Höhenvariation einer Oberfläche einer Scheibe aus Halbleitermaterial und Verfahren zur Bestimmung der Oberflächenrauheit von Scheiben aus Halbleitermaterial
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 24.05.2023
Anhängig
Vertretung
Hasenhütl, Eva · Burghausen
Grundner, Sebastian · Burghausen
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19.09.2024
Verfahren zum Ziehen eines Einkristallstabs aus Halbleitermaterial und Scheibe aus Halbleitermaterial
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 23.02.2024
Anhängig
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11.09.2024
Verfahren zum Ziehen eines Einkristallstabs aus Halbleitermaterial und Scheibe aus Halbleitermaterial
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 10.03.2023
Anhängig
Vertretung
Hasenhütl, Eva · Burghausen
Grundner, Sebastian · Burghausen
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22.08.2024
Verfahren zum Beidseitigen Polieren von Scheiben aus Halbleitermaterial
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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Status
Angemeldet am 05.02.2024
Anhängig
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21.08.2024
Verfahren zum Beidseitigen Polieren von Scheiben aus Halbleitermaterial
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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Status
Angemeldet am 16.02.2023
Anhängig
Vertretung
Hasenhütl, Eva · Burghausen
Grundner, Sebastian · Burghausen
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08.08.2024
Verfahren zur Reinigung einer Halbleiterscheibe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.01.2024
Anhängig
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17.07.2024
Verfahren zur Reinigung einer Halbleiterscheibe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.11.2021
Erteilt am 17.07.2024
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10.07.2024
Verfahren zur Abscheidung einer Spannungsrelaxierten Gradierten Pufferschicht aus Silizium-Germanium auf einer Oberfläche eines Substrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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20.06.2024
Verfahren zum Testen der Widerstandsfähigkeit von Halbleiterscheiben aus Einkristallinem Silizium gegen Thermisch Induzierte Versetzungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.12.2023
Anhängig
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19.06.2024
Heteroepitaktischer Wafer zur Abscheidung von Galliumnitrid
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 16.02.2022
Erteilt am 19.06.2024
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19.06.2024
Verfahren zum Testen der Widerstandsfähigkeit von Halbleiterscheiben aus Einkristallinem Silizium gegen Thermisch Induzierte Versetzungen
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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13.06.2024
Verfahren zum Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Werkstück mittels einer Drahtsäge Während eines Abtrennvorgangs
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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Status
Angemeldet am 04.12.2023
Anhängig
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13.06.2024
Verfahren und Vorrichtung zum Sortieren und Ausrichten von Halbleiterscheiben
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 24.11.2023
Anhängig
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12.06.2024
Verfahren zum Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Werkstück mittels einer Drahtsäge Während eines Abtrennvorgangs
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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12.06.2024
Verfahren und Vorrichtung zum Sortieren und Ausrichten von Halbleiterscheiben
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.12.2022
Anhängig
Vertretung
Hasenhütl, Eva · Burghausen
Grundner, Sebastian · Burghausen
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22.05.2024
Parametrisierung der Rundung einer Scheibe aus Halbleitermaterial
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.10.2023
Anhängig
Vertretung
Grundner, Sebastian · Burghausen
Hasenhütl, Eva · Burghausen
Zusammenfassung
Verfahren zur Bestimmung der Rundung einer Scheibe aus Halbleitermaterial, umfassend die folgenden Schritte in dieser Reihenfolge:(i) Messen des Höhenprofils einer Scheibe aus Halbleitermaterial in radialer Richtung in deren Randbereich und in einem in Radialinwärtsrichtung an den Randbereich angrenzenden Bereich, wobei der Randbereich definiert ist, als ringförmiger Bereich am äußeren Rand der Scheibe, in dem sich die Dicke der Scheibe in Radialauswärtsrichtung kontinuierlich verringert;(ii) Festlegen eines radialen Abschnittes, der einen Teil des Randbereiches und zumindest einen Teil des in Radialinwärtsrichtung an den Randbereich angrenzenden Bereiches der Scheibe aus Halbleitermaterial umfasst;(iii) Bestimmung eines Winkels ϕ und optional eines Winkels θ für bestimmte Messpunkte P1 des Höhenprofils im radialen Abschnitt,wobei der Winkel ϕ aus dem jeweiligen bestimmten Messpunkt P1 als Scheitelpunkt, und zwei weiteren Messpunkten P2 und P3 des Höhenprofils gebildet wird, die in einem bestimmten radialen Abstand a vom Scheitelpunkt in Radialinwärtsrichtung und in Radialauswärtsrichtung angeordnet sind, undwobei der Winkel θ aus der Differenz 180°-ϕ erhalten wird; und(iv) Identifizieren des kleinsten Winkels ϕ oder optional des größten Winkles θ im radialen Abschnitt als Kennzahl für die Rundung. |
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02.05.2024
Mehrteiliger Suszeptor
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.10.2023
Anhängig
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01.05.2024
Monokristalline Halbleiterscheibe und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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01.05.2024
Verfahren zum Schleifen einer Halbleiterscheibe
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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01.05.2024
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silizium
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 02.06.2020
Erteilt am 01.05.2024
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01.05.2024
Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Dotierten Monokristallinen Stabes aus Silicium
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 16.03.2021
Erteilt am 01.05.2024
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01.05.2024
Mehrteiliger Suszeptor
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.10.2022
Anhängig
Vertretung
Hasenhütl, Eva · Burghausen
Grundner, Sebastian · Burghausen
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18.04.2024
Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium, der mit Dotierstoff vom N-Typ Dotiert Ist, gemäß der Cz-Methode
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 28.09.2023
Anhängig
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11.04.2024
Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium und Halbleiterscheibe aus Einkristallinem Silizium
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 29.09.2023
Anhängig
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10.04.2024
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben mittels einer Drahtsäge, Drahtsäge und Halbleiterscheibe aus Einkristallinem Silizium
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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10.04.2024
Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium und Halbleiterscheibe aus Einkristallinem Silizium
Metallurgie & Oberflächentechnik
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14.03.2024
Suszeptor mit Austauschbaren Auflageelementen
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.08.2023
Anhängig
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14.03.2024
Method for growing a gallium oxide layer on a substrate and semiconductor wafer
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.08.2023
Anhängig
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13.03.2024
Suszeptor mit Austauschbaren Auflageelementen
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 08.09.2022
Anhängig
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13.03.2024
Verfahren zum Züchten einer Galliumoxidschicht auf einem Substrat und Halbleiterwafer
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 08.09.2022
Anhängig
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06.03.2024
Quarzglastiegel zur Herstellung von Siliciumkristallen und Verfahren zur Herstellung von Quarzglastiegel
Anorganische Chemie & Werkstoffe
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 27.01.2021
Erteilt am 06.03.2024
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28.02.2024
Verfahren zum Herstellen von Halbleiterscheiben mit aus der Gasphase Abgeschiedener Epitaktischer Schicht in einer Abscheidekammer
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.02.2024
Verfahren zum Herstellen von Halbleiterscheiben mit aus der Gasphase Abgeschiedener Epitaktischer Schicht in einer Abscheidekammer
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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Wer vertritt Siltronic?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Siltronic vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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