Siltronic Patente
🇩🇪 Deutschland
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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281 gesamt| Patent | |||
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22.05.2024
Parametrisierung der Rundung einer Scheibe aus Halbleitermaterial
EP4290554
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.10.2023
Anhängig
Vertretung
Hasenhütl, Eva · Burghausen
Grundner, Sebastian · Burghausen
Zusammenfassung
Verfahren zur Bestimmung der Rundung einer Scheibe aus Halbleitermaterial, umfassend die folgenden Schritte in dieser Reihenfolge:(i) Messen des Höhenprofils einer Scheibe aus Halbleitermaterial in radialer Richtung in deren Randbereich und in einem in Radialinwärtsrichtung an den Randbereich angrenzenden Bereich, wobei der Randbereich definiert ist, als ringförmiger Bereich am äußeren Rand der Scheibe, in dem sich die Dicke der Scheibe in Radialauswärtsrichtung kontinuierlich verringert;(ii) Festlegen eines radialen Abschnittes, der einen Teil des Randbereiches und zumindest einen Teil des in Radialinwärtsrichtung an den Randbereich angrenzenden Bereiches der Scheibe aus Halbleitermaterial umfasst;(iii) Bestimmung eines Winkels ϕ und optional eines Winkels θ für bestimmte Messpunkte P1 des Höhenprofils im radialen Abschnitt,wobei der Winkel ϕ aus dem jeweiligen bestimmten Messpunkt P1 als Scheitelpunkt, und zwei weiteren Messpunkten P2 und P3 des Höhenprofils gebildet wird, die in einem bestimmten radialen Abstand a vom Scheitelpunkt in Radialinwärtsrichtung und in Radialauswärtsrichtung angeordnet sind, undwobei der Winkel θ aus der Differenz 180°-ϕ erhalten wird; und(iv) Identifizieren des kleinsten Winkels ϕ oder optional des größten Winkles θ im radialen Abschnitt als Kennzahl für die Rundung. |
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01.05.2024
Mehrteiliger Suszeptor
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Status
Angemeldet am 28.10.2022
Anhängig
Vertretung
Hasenhütl, Eva · Burghausen
Grundner, Sebastian · Burghausen
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01.05.2024
Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Dotierten Monokristallinen Stabes aus Silicium
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Status
Angemeldet am 16.03.2021
Erteilt am 01.05.2024
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01.05.2024
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silizium
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Status
Angemeldet am 02.06.2020
Erteilt am 01.05.2024
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01.05.2024
Verfahren zum Schleifen einer Halbleiterscheibe
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01.05.2024
Monokristalline Halbleiterscheibe und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
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10.04.2024
Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium und Halbleiterscheibe aus Einkristallinem Silizium
EP4350055
Metallurgie & Oberflächentechnik
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10.04.2024
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben mittels einer Drahtsäge, Drahtsäge und Halbleiterscheibe aus Einkristallinem Silizium
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13.03.2024
Suszeptor mit Austauschbaren Auflageelementen
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Status
Angemeldet am 08.09.2022
Anhängig
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13.03.2024
Verfahren zum Züchten einer Galliumoxidschicht auf einem Substrat und Halbleiterwafer
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Status
Angemeldet am 08.09.2022
Anhängig
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06.03.2024
Quarzglastiegel zur Herstellung von Siliciumkristallen und Verfahren zur Herstellung von Quarzglastiegel
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Status
Angemeldet am 27.01.2021
Erteilt am 06.03.2024
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28.02.2024
Verfahren zum Herstellen von Halbleiterscheiben mit aus der Gasphase Abgeschiedener Epitaktischer Schicht in einer Abscheidekammer
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28.02.2024
Verfahren zum Herstellen von Halbleiterscheiben mit aus der Gasphase Abgeschiedener Epitaktischer Schicht in einer Abscheidekammer
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21.02.2024
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus Einkristallinem Silizium und Halbleiterscheibe aus Einkristallinem Silizium
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Zusammenfassung
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium, umfassend in dieser Reihenfolgedas Züchten eines Einkristalls aus Silizium nach der CZ-Methode;das Abtrennen von mindestens einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium vom Einkristall;eine erste, zweite und dritte RTA-Behandlung der Halbleiterscheibe. |
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14.02.2024
Vorrichtung und Verfahren zum Anpressen eines Oberen Poliertuchs gegen einen Oberen Polierteller einer Maschine zum Gleichzeitigen Polieren einer Vorderseite und einer Rückseite einer Halbleiterscheibe
EP4321298
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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Zusammenfassung
Vorrichtung und Verfahren zum Anpressen eines oberen Poliertuchs gegen einen oberen Polierteller einer Maschine zum gleichzeitigen Polieren einer Vorderseite und einer Rückseite einer Halbleiterscheibe zwischen dem oberen Polierteller und einem unteren Polierteller: Die Vorrichtung umfasst zwei parallel liegende Linearschienen, die in geringem Abstand über dem unteren Polierteller parallel zu einem dazwischenliegenden Radius des unteren Poliertellers angeordnet sind; einen Grundkörper, auf dem die Linearschienen befestigt sind; zwei entlang der Linearschienen bewegbare, angetriebene Schlitten; von den Schlitten getragene Aktuatoren zum Anheben und Absenken einer Walze, die an den Aktuatoren befestigt und zwischen den Linearschienen angeordnet ist; und eine Steuerung zum synchronen Hin- und Herbewegen der Schlitten zwischen einem äußeren und einem inneren Stiftkranz der Maschine und zum synchronen Bewegen der Aktuatoren. |
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14.02.2024
Verfahren zum Herstellen eines Monokristallinen Kristalls aus Silizium
EP4321656
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 09.08.2022
Anhängig
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14.02.2024
Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls aus Silizium Gemäss der Czochralski-Methode
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Status
Angemeldet am 24.06.2020
Erteilt am 14.02.2024
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31.01.2024
Heteroepitaktischer Wafer zur Abscheidung von Galliumnitrid
EP4312248
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.07.2022
Anhängig
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31.01.2024
Verfahren zum Schleifen von Halbleiterscheiben
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17.01.2024
Verfahren zum Beidseitigen Polieren von Halbleiterscheiben zwischen einem Unteren Polierteller und einem Oberen Polierteller
EP4306262
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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17.01.2024
Vorrichtung zur Reinigung von Abgasen aus einer Kristallziehanlage
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Status
Angemeldet am 13.07.2022
Anhängig
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03.01.2024
Kristallstück aus Monokristallinem Silizium
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Zusammenfassung
Kristallstück aus monokristallinem Silicium, das zur Herstellung von Halbleiterscheiben vorgesehen ist, mit einer Länge von nicht weniger als 8 cm und nicht mehr als 50 cm und einem Durchmesser nicht kleiner als 280 mm und nicht größer als 320 mm, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil der daraus hergestellten Halbleiterscheiben, die frei sind von Pinholes mit einer Größe von nicht mehr als 30 µm, größer ist als 96,2 %. |
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03.01.2024
Abdeckung für ein Reinigungsmodul zum Reinigen einer Halbleiterscheibe und Verfahren zum Reinigen einer Halbleiterscheibe in einer Reinigungsstrasse
EP4300556
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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06.12.2023
Verfahren zum Herstellen eines Prozessbehälters für Halbleiterwerkstücke und Prozessbehälter
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Status
Angemeldet am 22.06.2020
Erteilt am 06.12.2023
Zusammenfassung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines einen Behälter umfassenden Prozessbehälters (110) für Halbleiterwerkstücke (200), bei dem aus einem Grundmaterial mittels eines additiven Aufbauverfahrens der Behälter mit einer vorgegebenen Form erzeugt wird, wobei anschließend zumindest in vorbestimmten Bereichen einer Oberfläche des Behälters ein Beschichtungsmaterial zum Schutz gegen Chemikalien aufgebracht wird, sowie einen solchen Prozessbehälter (110). |
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15.11.2023
System und Verfahren zum Bearbeiten von Siliziumscheiben
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Status
Angemeldet am 11.05.2022
Anhängig
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08.11.2023
Vorrichtung zum Verpacken von Waferkassetten
EP4273910
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.05.2022
Anhängig
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25.10.2023
Verfahren zum Reinigen einer Halbleiterscheibe nach einer Politur mittels Cmp in einer Reinigungsstrasse
EP4266353
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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18.10.2023
Verfahren zum Bearbeiten einer Halbleiterscheibe sowie Halbleiterscheibe
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04.10.2023
Verfahren zum Herstellen eines Vakuumgreifers für Halbleiterwerkstücke und Vakuumgreifer
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Status
Angemeldet am 18.08.2020
Erteilt am 04.10.2023
Zusammenfassung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Vakuumgreifers (100) für Halbleiterwerkstücke, bei dem der Vakuumgreifer (100) aus zumindest einem Grundmaterial mittels eines additiven Aufbauverfahrens erzeugt wird, sowie einen solchen Vakuumgreifer (100). |
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04.10.2023
Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium mit <100>-Orientierung, der mit Dotierstoff vom N-Typ Dotiert Ist
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27.09.2023
Verfahren zum Reinigen von Halbleiterscheiben in einer Reinigungsstrasse
EP4250341
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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20.09.2023
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben mittels einer Drahtsäge
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06.09.2023
Verfahren zur Herstellung eines Substratwafers zum Darauf Erstellen von Gruppe-Iii-V-Vorrichtungen und Substratwafer zum Darauf Erstellen von Gruppe-Iii-V-Vorrichtungen
EP4239658
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.08.2023
Verfahren zum Erzeugen eines Gasvorhangs aus Spülgas in einem Schlitzventiltunnel und Schlitzventiltunnel
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02.08.2023
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Elektrisch Leitenden Beta-GA2O3-Volumeneinkristallen und Elektrisch Leitender Beta-GA2O3-Volumeneinkristall
EP4219803
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 31.01.2022
Anhängig
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02.08.2023
Vorrichtung und Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls aus Halbleitermaterial
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19.07.2023
Verfahren zum Aufbringen eines Poliertuchs an einen Polierteller
EP4212280
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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Status
Angemeldet am 12.01.2022
Anhängig
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12.07.2023
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Einkristallinem Silizium
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05.07.2023
Einrichtung und Verfahren zum Polieren von Halbleiterscheiben
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08.03.2023
Verfahren zum Abscheiden einer Epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe
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Wer vertritt Siltronic?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Siltronic vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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