S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies Patente
🇫🇷 Frankreich
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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323 gesamt| Patent | |||
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05.06.2013
Bürsten einer Hableiterscheibe vor dem Kleben
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 29.04.2004
Erteilt am 05.06.2013
Vertretung
Callon de Lamarck, Jean-Robert · Paris
Regimbeau · Rennes
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05.06.2013
Progressives Bearbeitungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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29.05.2013
Verfahren zum Ablösen eines Dünnen Films bei Moderater Temperatur nach Koimplantation
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.10.2003
Erteilt am 29.05.2013
Vertretung
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10.04.2013
Anlage zur Massenherstellung von Gruppe-Iii-V-Halbleitermaterialien
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 16.11.2007
Erteilt am 10.04.2013
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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13.03.2013
Verfahren und Einrichtung zur Erhitzung einer Schicht einer Platte durch Auftaktung und Lichtfluss
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.10.2009
Erteilt am 13.03.2013
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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13.02.2013
Verfahren zum Herstellen von Halbleiterstrukturen oder Bauelementen unter Verwendung von Schichten aus Halbleitermaterial mit Gewählten oder Kontrollierten Gitterparametern
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.07.2009
Erteilt am 13.02.2013
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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13.02.2013
Verfahren zur Herstellung von Chips
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 25.04.2005
Erteilt am 13.02.2013
Vertretung
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19.12.2012
Auf Uv Basierende Überwachung und Regelung von Chlorid in einem Gasstrom
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 21.07.2009
Erteilt am 19.12.2012
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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12.12.2012
Verfahren zum Bonden zweier Substrate
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.02.2008
Erteilt am 12.12.2012
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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12.12.2012
Übertragungsverfahren mit einer Behandlung einer zu verbindenden Oberfläche
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.09.2004
Erteilt am 12.12.2012
Vertretung
Bomer, Françoise Marie · Saint-Grégoire
Regimbeau · Rennes
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05.12.2012
Verfahren zur Bindung zweier Substrate
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.12.2008
Erteilt am 05.12.2012
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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28.11.2012
Recycling durch Mechanische Mittel eines Wafers mit Abnehmestruktur nach dem Abnehmen einer Dünnen Schicht davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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14.11.2012
Verfahren zur präventiven Behandlung des Ringes eines mehrschichtigen Wafers
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.03.2004
Erteilt am 14.11.2012
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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14.11.2012
Grabenstruktur in Mehrschichtwafer
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.04.2011
Erteilt am 14.11.2012
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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14.11.2012
Verfahren zum Bonden Zweier Substrate
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.11.2007
Erteilt am 14.11.2012
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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17.10.2012
Verfahren zum Katastrophischen Transfer einer Dünnen Schicht nach Coimplantation
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.10.2004
Erteilt am 17.10.2012
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Casadewall, Barbara · Paris
Quantin, Bruno Marie Henri · Paris
Regimbeau · Rennes
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26.09.2012
Erhöhung der Qualität einer Dünnschicht durch Hochtemperaturglühung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.03.2008
Erteilt am 26.09.2012
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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12.09.2012
Verfahren zum Schneiden mindestens einer Dünnschicht in einem Substrat oder in einem Rohblock, insbesondere aus Halbleitermaterial
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.09.2012
Verfahren zur Glättung der Kontur einer nützlichen, auf ein Trägersubstrat übertragenen Materialschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 16.07.2003
Erteilt am 05.09.2012
Vertretung
Bomer, Françoise Marie · Saint-Grégoire
Regimbeau · Rennes
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29.08.2012
Verfahren zur Rückgewinnung einer Oberfläche eines Substrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.02.2009
Erteilt am 29.08.2012
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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22.08.2012
Halbleiterbauelement mit einem Feldeffekttransistor in einer Silizium-auf-Isolator-Struktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.04.2010
Erteilt am 22.08.2012
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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27.06.2012
Verfahren zur Glättung der Kontur einer nützlichen, auf ein Trägersubstrat übertragenen Materialschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 16.07.2003
Erteilt am 27.06.2012
Vertretung
Bomer, Françoise Marie · Saint-Grégoire
Regimbeau · Rennes
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30.05.2012
Verfahren zur Übertragung von Platten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 02.06.2005
Erteilt am 30.05.2012
Vertretung
Ahner, Philippe · Paris La Défense
Poulin, Gérard · Paris
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23.05.2012
Verfahren zum Übertragen von Halbleiter-Dünnschichten aus einer Dünnschicht-Quelle.
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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23.05.2012
Vorrichtung und Verfahren zur automatischen Zustandsüberwachung einer Platte durch Schweissgeschwindigkeitsmessen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.04.2003
Erteilt am 23.05.2012
Vertretung
Texier, Christian · Paris
Regimbeau · Rennes
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16.05.2012
Herstellungsverfahren für eine Mehrschichtige Struktur mit Trennschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.05.2005
Erteilt am 16.05.2012
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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02.05.2012
Herstellungsverfahren einer Verbundstruktur mit einer stabilen Oxidbindungsschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.04.2012
Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.02.2009
Erteilt am 25.04.2012
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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14.03.2012
Verfahren zur Verbesserung der Öberflächenrauhigkeit eines Halbleiterwafers
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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29.02.2012
Verfahren zum Verdünnen eines Silicium-Auf-Isolator-Substrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.04.2010
Anhängig
Vertretung
Bomer, Françoise Marie · Saint-Grégoire
Regimbeau · Rennes
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22.02.2012
Verfahren zur epitaktischen Abscheidung von einkristallinen III-V Halbleitermaterial
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 15.11.2007
Erteilt am 22.02.2012
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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22.02.2012
Herstellungsverfahren einer Mehrschichtenstruktur mit Konturfräsen durch thermomechanische Effekte
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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08.02.2012
Verfahren zum Binden Zweier aus Materialien, die aus Halbleitermaterialien Ausgewählt Wurden, Hergestellter Wafer
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.04.2006
Erteilt am 08.02.2012
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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01.02.2012
Epitaxialverfahren und Strukturen zur Bildung von Halbleitermaterialien
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.01.2012
Appreturverfahren zur Herstellung von Substraten auf dem Gebiet der Elektronik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.01.2012
Oberflächenbearbeitung nach Selektivem Ätzen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.01.2012
Prozess zum Verbessern der Oberflächenrauigkeit eines Halbleiterwafers
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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18.01.2012
Verfahren zur Herstellung einer Mehrschichtigen Struktur mit Schaltschichtübertragung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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18.01.2012
Verfahren zum Produzieren einer Heterostruktur mit Lokaler Anpassung des Wärmeausdehnungskoeffizienten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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11.01.2012
Gasinjektoren für Cvd-Systeme damit
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Wer vertritt S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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