S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies Patente
🇫🇷 Frankreich
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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323 gesamt| Patent | |||
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19.08.2020
Verfahren zur Vorbereitung und zum Zusammenbau von Substraten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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29.07.2020
Verfahren zum Herstellen und Zusammenbauen von Substraten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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03.06.2020
Verfahren zum Herstellen von zusammengesetzten Hableiterscheiben und Verfahren zur Wiederverwendung des gebrauchten Substrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.03.2006
Erteilt am 03.06.2020
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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01.01.2020
Molekulare Verbindung mit Reduzierten Overlay Fehlausrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 02.08.2011
Erteilt am 01.01.2020
Vertretung
Breesé, Pierre · Levallois-Perret
Desormiere, Pierre-Louis · Paris
IP Trust · Paris
Fidal Innovation · Courbevoie
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28.08.2019
Verfahren zum Verbessern der Qualität von Strukturen, die Halbleitermaterialien Umfassen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 13.11.2009
Erteilt am 28.08.2019
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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07.08.2019
Verfahren zur Herstellung eines Soi-Substrates mit einem Trägersubstrat mit Hohem Widerstand
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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22.05.2019
Verfahren zum Beschneiden einer mittels Montage Zweier Platten Erhaltenen Struktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.12.2005
Erteilt am 22.05.2019
Vertretung
Poulin, Gérard · Paris
Ahner, Philippe · Paris La Défense
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20.02.2019
Ätzzusammensetzungen, insbesondere für Gespannte oder Beanspruchte Siliciummaterialien, Verfahren zur Charakterisierung von Fehlern auf den Oberflächen Derartiger Materialien und Verfahren zur Behandlung Derartiger Oberflächen mit der Ätzzusammensetzung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 24.04.2009
Erteilt am 20.02.2019
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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20.02.2019
Herstellungsverfahren einer Lichterkennungsvorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 25.02.2004
Erteilt am 20.02.2019
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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09.01.2019
Mehrfachsolarzelle mit spannungsangepassten Teilzellen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.04.2010
Erteilt am 09.01.2019
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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21.11.2018
Verfahren zum Nachweis von Oberflächendefekten auf einem Substrat und Vorrichtung unter Verwendung des Verfahrens
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 27.03.2008
Erteilt am 21.11.2018
Vertretung
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03.10.2018
Photodetektierende Anordnung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 25.02.2004
Erteilt am 03.10.2018
Vertretung
Texier, Christian · Paris
Regimbeau · Rennes
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01.08.2018
Verfahren zur Herstellung Hybrider Bauteile
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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18.04.2018
Behandlungsverfahren einer Struktur, um einen Inneren Raum Herzustellen
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Status
Angemeldet am 04.12.2003
Erteilt am 18.04.2018
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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23.08.2017
Verfahren zur Herstellung eines Struktur auf einem Trägersubstrat mit einer Ultradünnen Schicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.06.2004
Erteilt am 23.08.2017
Vertretung
Bomer, Françoise Marie · Saint-Grégoire
Regimbeau · Rennes
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26.07.2017
Verfahren zur Erhitzung einer Platte mit einem Lichtstrom
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.09.2008
Erteilt am 26.07.2017
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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07.06.2017
Verfahren für das Herstellen von einer Siliziumdioxidenschicht
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 16.09.2004
Erteilt am 07.06.2017
Vertretung
Bomer, Françoise Marie · Saint-Grégoire
Regimbeau · Rennes
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19.04.2017
Modulare und Konfigurationsbereite Reaktorgehäuse
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.04.2009
Erteilt am 19.04.2017
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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21.09.2016
Verfahren zum Ablösen eines Dünnfilms durch Schmelzniederschläge
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.03.2007
Erteilt am 21.09.2016
Vertretung
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13.07.2016
Verfahren zur Herstellung Verbesserter Epitaktischer Materialien
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 25.07.2008
Erteilt am 13.07.2016
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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27.01.2016
Prozess zum Bonden durch Molekularadhäsion
Anorganische Chemie & Werkstoffe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.11.2006
Erteilt am 27.01.2016
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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14.10.2015
Verfahren, Vorrichtung und Absperrventil für die Herstellung von Einkristallinen Gruppe Iii-V Halbleiter Material
Verfahrens- & Trenntechnik
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 16.11.2007
Erteilt am 14.10.2015
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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02.09.2015
Verfahren zum Loslösen von Halbleiterschichten bei Niedriger Temperatur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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15.07.2015
Verfahren zum Selbstunterstützten Transfer einer Feinen Schicht durch Pulsation nach Implantierung oder Coimplantierung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.10.2004
Erteilt am 15.07.2015
Vertretung
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03.06.2015
Vorrichtung zur Zuführung von Präkursorgasen an ein Substrat für Epitaktisches Wachstum
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 05.12.2008
Erteilt am 03.06.2015
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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25.03.2015
Verfahren zur Herstellung und Zusammenstellung von Substraten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.10.2004
Erteilt am 25.03.2015
Vertretung
Ahner, Philippe · Paris La Défense
Poulin, Gérard · Paris
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15.10.2014
Verfahren zur Rückgewinnung eines Abgetrennten Wafer
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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15.10.2014
Verfahren zum molekularen Adhäsionsbonden bei geringem Druck
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.07.2011
Erteilt am 15.10.2014
Vertretung
Breesé, Pierre · Levallois-Perret
Desormiere, Pierre-Louis · Paris
IP Trust · Paris
Fidal Innovation · Courbevoie
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Method for molecular adhesion bonding between at least a first wafer (20) and a second wafer (30) comprising at least a step of mechanical alignment, a step of bringing the two wafers (20, 30) in contact and a step of initiating the propagation of a bonding wave between the two wafers. During the steps of mechanical alignment and bringing the two wafers in contact, the wafers are placed in an environment at a first pressure (P1) greater than or equal to a predetermined pressure threshold value. During the step of initiating the propagation of a bonding wave, the wafers (20, 30) are placed in an environment at a second pressure (P2) less than the said predetermined pressure threshold value. |
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17.09.2014
Verfahren zur Herstellung eines Stapels von Halbleiter-Dünnfilmen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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07.05.2014
Relaxation verspannter Schichten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.08.2009
Erteilt am 07.05.2014
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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16.04.2014
Herstellung von dünnen SOI-Vorrichtungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.12.2009
Erteilt am 16.04.2014
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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19.03.2014
Flash-Speicherzelle auf SeOI
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.03.2014
Anlage und Verfahren zur Grossvolumigen Abscheidung von Galliumnitrid
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 08.06.2007
Erteilt am 05.03.2014
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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01.01.2014
Abschlussverfahren für ein Soi-Artiges Substrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 17.03.2010
Erteilt am 01.01.2014
Vertretung
Bomer, Françoise Marie · Saint-Grégoire
Regimbeau · Rennes
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04.12.2013
Verfahren zur Bildung von Schichten aus Halbleitermaterial mit Verringerter Gitterverspannung und Entworfene Substrate damit
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 08.10.2009
Erteilt am 04.12.2013
Vertretung
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11.09.2013
Verfahren zur lokalen Auslösung der Sauerstoffschicht in einer aus einem Halbleiter auf einem Isolator bestehenden Struktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.09.2009
Erteilt am 11.09.2013
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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11.09.2013
SRAM-Speicherzelle
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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17.07.2013
Verfahren zur Herstellung einer Struktur mit mindestens einer Dünnen Schicht in einem Amorphen Material, Erhalten durch Epitaxie auf einem Trägersubstrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 13.03.2007
Erteilt am 17.07.2013
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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03.07.2013
Herstellungsverfahren einer dünnen Schicht mit höherer qualität durch koimplantation und thermischer Behandlung.
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 29.07.2004
Erteilt am 03.07.2013
Vertretung
Texier, Christian · Paris
Regimbeau · Rennes
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26.06.2013
Verfahren und Vorrichtung zur Epitaktischen Abscheidung von Einkristallinen Iii-V Halbleiter Material unter Verwendung von Galliumtrichlorid
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 15.11.2007
Erteilt am 26.06.2013
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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Wer vertritt S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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