S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies Patente
🇫🇷 Frankreich
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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323 gesamt| Patent | |||
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11.01.2012
Gasinjektoren für Cvd-Systeme damit
Metallurgie & Oberflächentechnik
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11.01.2012
Verfahren zur Herstellung einer Heterostruktur mit dem Ziel des Verringerns des Zugspannungszustands des Donorsubstrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.09.2009
Anhängig
Vertretung
Branger, Jean-Yves · Saint-Grégoire
Regimbeau · Rennes
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28.12.2011
Verfahren zur Enthüllung von kristallinen Defekten in einem massiven Substrat
Metallurgie & Oberflächentechnik
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 30.03.2007
Erteilt am 28.12.2011
Vertretung
Bomer, Françoise Marie · Saint-Grégoire
Regimbeau · Rennes
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21.12.2011
Verfahren zur Herstellung einer Schicht aus Hohlräumen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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07.12.2011
Verfahren zum schnellen thermischen Behandeln von Mehrschichtwafern mit einer Kante
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.11.2011
Herstellungsverfahren für ein Hybrid-Halbleitersubstrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.05.2009
Erteilt am 30.11.2011
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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23.11.2011
Verfahren zur Herstellung eines freistehenden Substrates aus monokristallinem Halbleitermaterial
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.01.2003
Erteilt am 23.11.2011
Vertretung
Bomer, Françoise Marie · Saint-Grégoire
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02.11.2011
Testverfahren auf dem Trägersubstrat eines Soi-Substrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.01.2010
Anhängig
Vertretung
Bomer, Françoise Marie · Saint-Grégoire
Regimbeau · Rennes
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02.11.2011
Prozess zum Auflösen der Oxidschicht im Peripheriering einer Struktur des Halbleiter-Auf-Isolator-Typs
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.12.2009
Anhängig
Vertretung
Branger, Jean-Yves · Saint-Grégoire
Regimbeau · Rennes
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26.10.2011
Vorrichtung zum Abtrennen einer Schicht von einem Substrat und Verfahren dafür
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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Status
Angemeldet am 31.12.2002
Erteilt am 26.10.2011
Vertretung
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19.10.2011
Verspannungsgestaltete Verbundhalbleitersubstrate und Verfahren zu Ihrer Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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19.10.2011
Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.04.2010
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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12.10.2011
Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.04.2010
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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12.10.2011
Verfahren zur Herstellung eines Films
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.07.2006
Erteilt am 12.10.2011
Vertretung
Bomer, Françoise Marie · Saint-Grégoire
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05.10.2011
Pseudo-Umkehrschaltung auf Halbleiter-auf-Isolator
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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21.09.2011
Nano-Leseverstärker für einen Speicher
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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14.09.2011
Verfahren zum Transfer einer Schicht Gespannten Halbleitermaterials
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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14.09.2011
Verfahren zur Herstellung einer Epitaktisch Aufgewachsenen Schicht
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 07.07.2004
Erteilt am 14.09.2011
Vertretung
Bomer, Françoise Marie · Saint-Grégoire
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14.09.2011
Verfahren zur Verringerung der Rauhigkeit einer Dicken Isolationsschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.07.2006
Erteilt am 14.09.2011
Vertretung
Bomer, Françoise Marie · Saint-Grégoire
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07.09.2011
Datenpfadzelle auf einem auf SeOI-Substrat mit verborgenem hinteren Steuergate unter einer Isolierfolie
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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07.09.2011
Oberflächenbehandlung zur Molekularen Verbindung
Anorganische Chemie & Werkstoffe
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31.08.2011
Herstellungsverfahren von epitaxial gewachsenen Schichten auf einer Verbundstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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31.08.2011
Leistungs-Schottkydiode mit Sicoi-Substrat und Diesbezügliches Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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24.08.2011
Vorbereiten einer Oberfläche eines Saphiersubstrats für die Herstellung von Heterostrukturen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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10.08.2011
Vorrichtung mit einem Kontakt zwischen Halbleiterregionen durch eine versenkte Isolierschicht, sowie Verfahren zur Herstellung der besagten Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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10.08.2011
Verfahren zur Herstellung und Behandlung einer Soi-Struktur zur Verschiebung von Dislokationen sowie Entsprechende Struktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.10.2009
Anhängig
Vertretung
Branger, Jean-Yves · Saint-Grégoire
Regimbeau · Rennes
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03.08.2011
Wiederverwertung einer Halbleiterscheibe, die eine Pufferschicht Enthält, nach der Entfernung einer Dünnen Schicht Daher
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.08.2003
Erteilt am 03.08.2011
Vertretung
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27.07.2011
Verfahren zum glühen einer struktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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20.07.2011
Daten-Vergleichs-Vorrichtung in CAM-Speicher auf isoliertem Halbleiter-Substrat
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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20.07.2011
DRAM-Speicherzelle mit einem vertikalen bipolaren Injektor und entsprechendes Betriebsverfahren
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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20.07.2011
Speicherzelle mit schwebendem Körper, in welcher der Kanal durch eine vergrabene dielektrische Schicht führt, und Herstellungsverfahren derselben
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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06.07.2011
Verfahren zur Herstellung eines Verbundmaterials
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.11.2003
Erteilt am 06.07.2011
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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29.06.2011
Herstellungsverfahren einer Heterostruktur mit Spannungsminimierung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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22.06.2011
Verfahren zur Charakterisierung eines Implantationsschrittes in einem Substrat
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.09.2002
Erteilt am 22.06.2011
Vertretung
Callon de Lamarck, Jean-Robert · Paris
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22.06.2011
Volumenlebensdauermessung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.09.2007
Erteilt am 22.06.2011
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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22.06.2011
Verfahren zur Herstellung eines Substrats Inbesondere für Optik,elektronik oder Optoelektronik und Danach Hergestelltes Substrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.11.2001
Erteilt am 22.06.2011
Vertretung
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15.06.2011
Verfahren zur Entfernung der Schrägkante eines Substrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.10.2010
Anhängig
Vertretung
Bomer, Françoise Marie · Saint-Grégoire
Regimbeau · Rennes
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15.06.2011
Spülen nach einem auf einen Wafer Angewandten Chemisch-Mechanischen Planarisierungsprozess
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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15.06.2011
Schaltung für einheitliche Transistoren auf SeOI mit verborgenem hinteren Steuergate unter einem Isolierschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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15.06.2011
Verfahren zum Steuern einer SeOI-DRAM-Speicherzelle mit einem zweiten Kontrollgate, das unter einer Isolierschicht verborgen ist
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Wer vertritt S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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