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Siltronic Patente

🇩🇪 Deutschland

Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.

375
Patente
2000–2025
Anmeldejahre
26
Aktive Jahre

Patente nach Anmeldejahr

Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.

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375 gesamt
Patent
11.09.2019
Aus Einkristallsilicium Hergestellter Halbleiter-Wafer und Verfahren zur Herstellung davon
Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
15.08.2019
Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen eines Einkristalls, Einkristall und Halbleiterscheibe
Metallurgie & Oberflächentechnik
15.08.2019
Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
13.06.2019
Läuferscheibe zum Führen von Halbleiterscheiben und Verfahren zur Beidseitigen Politur von Halbleiterscheiben
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
08.05.2019
Verfahren und Vorrichtung zur Wiederaufnahme des Drahtsägeprozesses eines Werkstückes nach einer Unplanmässigen Unterbrechung
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
07.03.2019
Heteroepitaxial wafer and method for producing a heteroepitaxial wafer
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
27.02.2019
Epitaktischer Wafer und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
17.01.2019
Semiconductor wafer made of single-crystal silicon and process for the production thereof
Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
26.12.2018
Epitaktisch Beschichtete Halbleiterscheibe und Verfahren zur Herstellung einer Epitakisch Beschichteten Halbleiterscheibe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
15.08.2018
Verfahren zur Dampfphasenätzung einer Halbleiterscheibe zur Spurenmetallanalyse
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
27.06.2018
Verfahren zur Wärmebehandlung von Granulat aus Silizium, Granulat aus Silizium und Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium
Anorganische Chemie & Werkstoffe Metallurgie & Oberflächentechnik
13.06.2018
Halbleiterscheibe mit einer Monokristallinen Nitridschicht der Gruppe Iiia
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
12.10.2017
Method for the vapour phase etching of a semiconductor wafer for trace metal analysis
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
06.09.2017
Ultraschallreinigungsverfahren
Verfahrens- & Trenntechnik
24.08.2017
Fz silicon and method to prepare fz silicon
Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
23.08.2017
Fz-Silicium und Verfahren zur Herstellung von Fz-Silicium
Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
19.07.2017
Verfahren zur Herstellung von P-Typ-Siliciumeinkristall
Metallurgie & Oberflächentechnik
14.06.2017
Verfahren zum Züchten eines Einkristalls durch Kristallisieren des Einkristalls aus einer Fliesszone
Metallurgie & Oberflächentechnik
08.02.2017
Herstellungsverfahren für Siliciumwafer
Metallurgie & Oberflächentechnik
26.01.2017
Verfahren zum Schmelzen von Festem Silizium
Metallurgie & Oberflächentechnik
06.10.2016
Verfahren zum Beschichten von Halbleiterscheiben
Metallurgie & Oberflächentechnik
05.10.2016
Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls durch Kristallisieren des Einkristalls an einer Schmelzenzone
Metallurgie & Oberflächentechnik
05.10.2016
Verfahren zum Abstützen eines Wachsenden Einkristalls Während des Kristallisierens des Einkristalls Gemäss dem Fz-Verfahren
Metallurgie & Oberflächentechnik
24.08.2016
Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium
Metallurgie & Oberflächentechnik
24.08.2016
Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Kristalls aus Halbleitermaterial
Metallurgie & Oberflächentechnik
03.08.2016
Halbleiterwafer und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterwafers
Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
03.08.2016
Halbleiterscheibe mit einer monokristallinen Nitridschicht der Gruppe IIIA
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
06.01.2016
Verfahren zur Herstellung eines Wafers aus einem Siliziumeinkristallsubstrat mit einer Vorder- und einer Rückseite und einer auf der Vorderseite gelagerten SiGe-Schicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
30.12.2015
Ultraschallreinigungsverfahren und Ultraschallreinigungsvorrichtung
Verfahrens- & Trenntechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
09.12.2015
Verfahren zur Herstellung von Einkristallinem Silicium
Anorganische Chemie & Werkstoffe Metallurgie & Oberflächentechnik
19.08.2015
Reinigungsvorrichtung, Ausrüstung und Verfahren
Verfahrens- & Trenntechnik
08.07.2015
Ultraschallreinigungsverfahren und Ultraschallreinigungsvorrichtung
Verfahrens- & Trenntechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
06.05.2015
Halbleiter-Wafer mit einer Schicht aus AlzGa1-zN und Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
25.02.2015
Mehrschichtiges Halbleiterwafer und Verfahren zu seiner Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
11.02.2015
Verfahren zum Einfüllen von Siliziumeinsatzstoff
Metallurgie & Oberflächentechnik
11.02.2015
Verfahren zur Herstellung eines Getemperten Wafers
Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.01.2015
Verfahren zur Herstellung eines Siliziumeinkristalls und Siliciumeinkristall
Metallurgie & Oberflächentechnik
10.12.2014
Verfahren zum Herstellen eines Einkristalls aus Silizium
Metallurgie & Oberflächentechnik
05.11.2014
Verfahren zur Herstellung von Einkristallinem Silicium
Metallurgie & Oberflächentechnik
22.10.2014
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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