Siltronic Patente

🇩🇪 Deutschland

Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.

375

Patente

2000–2025

Anmeldejahre

Aktive Jahre

Patente nach Anmeldejahr

Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.

Patente durchsuchen

375 gesamt

Anmeldejahr

Veröffentlicht	Patent	Land
22.10.2014	22.10.2014 Überwachungsverfahren für die Konzentration an Gelöstem Stickstoff und Substratreinigungsverfahren EP2656064 Verfahrens- & Trenntechnik Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 13.12.2011 Erteilt am 22.10.2014 Vertretung Staudacher, Wolfgang · Burghausen Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
03.09.2014	03.09.2014 Ringförmiger Widerstandsheizer zum Zuführen von Wärme zu einem wachsenden Einkristall EP2546392 Metallurgie & Oberflächentechnik Elektronik & Schaltungstechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 02.07.2012 Erteilt am 03.09.2014 Vertretung Staudacher, Wolfgang · Burghausen Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
13.08.2014	13.08.2014 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls EP2607525 Metallurgie & Oberflächentechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 07.12.2012 Erteilt am 13.08.2014 Vertretung Staudacher, Wolfgang · Burghausen Zusammenfassung Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls durch Zonenziehen, wobei der Einkristall mit Unterstützung einer Induktionsheizspule unter einer Schmelzenzone an einer Kristallisationsgrenze kristallisiert, und das Abstrahlen von Kristallisationswärme durch einen den Einkristall umgebenden Reflektor behindert wird, dadurch gekennzeichnet, dass der Einkristall im Bereich eines äußeren Rands der Kristallisationsgrenze mittels einer Heizeinrichtung in einer ersten Zone erhitzt wird, wobei ein Abstand ” zwischen einem äußeren Tripelpunkt T a am äußeren Rand der Kristallisationsgrenze und einem Zentrum Z der Kristallisationsgrenze beeinflusst wird. Alle Patent-Informationen
24.07.2014	24.07.2014 Klemmbare Aufkittleiste für einen Drahtsägeprozess WO2014111304 Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 09.01.2014 Anhängig Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
23.04.2014	23.04.2014 Verfahren zur Herstellung eines Siliciumeinzelkristallsubstrats EP2607526 Metallurgie & Oberflächentechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 13.12.2012 Erteilt am 23.04.2014 Vertretung Staudacher, Wolfgang · Burghausen Zusammenfassung To provide a silicon single crystal substrate having uniform resistance in the substrate, less BMDs in a surface layer of the substrate, and moderate BMDs in a center of thickness of the substrate. A silicon single crystal substrate is formed by slicing a silicon single crystal grown with a Czochralski method, the substrate having the following characteristics. The resistivity in a center of a first main surface of the silicon single crystal substrate is not lower than 50 ©¢cm and a rate of change in resistivity in the first main surface is not higher than 3%. The average density of oxygen precipitates bulk micro defects in a region lying between the first main surface and a plane at a depth of 50 µm is lower than 1 × 10 8 /cm 3 . The average density of oxygen precipitates bulk micro defects in a region lying between a plane at a depth of 300 µm and a plane at a depth of 400 µm from the first main surface is not lower than 1 × 10 8 /cm 3 and not higher than 1 × 10 9 /cm 3 . Alle Patent-Informationen
16.04.2014	16.04.2014 Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium durch Umschmelzen von Granulat EP2319961 Metallurgie & Oberflächentechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 22.10.2010 Erteilt am 16.04.2014 Vertretung Staudacher, Wolfgang · Burghausen Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
09.04.2014	09.04.2014 Verfahren zur Verringerung und Homogenisierung der Dicke einer Halbleiterschicht, die sich auf der Oberfläche eines elektrisch isolierenden Materials befindet EP1956643 Halbleiter & Elektrische Bauelemente	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 12.12.2007 Erteilt am 09.04.2014 Vertretung Baar, Christian · München Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
02.04.2014	02.04.2014 Verfahren zum Schneiden eines Werkstücks mit einer Drahtsäge EP2508317 Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 07.02.2012 Erteilt am 02.04.2014 Vertretung Staudacher, Wolfgang · Burghausen Zusammenfassung Provision of a method for cutting a workpiece with a wire saw whereby a large-diameter workpiece can be cut accurately and efficiently without any defects such as breakage occurring. When cutting a workpiece, a saw wire 1 is positioned so that at entry/exit points A which are the two ends of an meshing area M, the saw wire 1 is located above the surface of an abrasive grain slurry 6, and is not immersed into the abrasive grain slurry 6. Furthermore, the saw wire 1 and a workpiece W are immersed into the abrasive grain slurry 6 so that the surface of the abrasive grain slurry 6 is located between the entry/exit points A of the saw wire and a maximum bending point B where the saw wire 1 is bent most in the direction in which the workpiece is pushed. Moreover, all nozzles 4r and 4l are positioned in a manner that sprayed-on points P to which the abrasive grain slurry 6 is supplied, are located on the outside of the entry/exit points A of the saw wire 1. Alle Patent-Informationen
12.03.2014	12.03.2014 Verfahren zur Herstellung von monokristallinem Silicium EP2639342 Metallurgie & Oberflächentechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 07.12.2012 Erteilt am 12.03.2014 Vertretung Staudacher, Wolfgang · Burghausen Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
13.02.2014	13.02.2014 Halterung für eine Vielzahl von Scheibenförmigen Werkstücken WO2014023633 Halbleiter & Elektrische Bauelemente	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 31.07.2013 Anhängig Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
06.02.2014	06.02.2014 Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium WO2014019789 Metallurgie & Oberflächentechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 01.07.2013 Anhängig Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
27.11.2013	27.11.2013 Ultraschallreinigungsverfahren und Ultraschallreinigungsvorrichtung EP2666554 Verfahrens- & Trenntechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 21.05.2013 Anhängig Vertretung Baar, Christian · München Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
23.10.2013	23.10.2013 Kalibrationsverfahren EP2589951 Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 10.08.2012 Erteilt am 23.10.2013 Vertretung Baar, Christian · München Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
10.10.2013	10.10.2013 Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe mittels Gasphasenabscheidung WO2013149849 Metallurgie & Oberflächentechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 22.03.2013 Anhängig Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
19.09.2013	19.09.2013 Ringförmiger Widerstandsheizer und Verfahren zum Zuführen von Wärme zu einem Kristallisierenden Einkristall WO2013135498 Metallurgie & Oberflächentechnik Elektronik & Schaltungstechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 01.03.2013 Anhängig Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
06.09.2013	06.09.2013 Vorrichtung und Verfahren zum Gleichzeitigen Trennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Werkstück WO2013127847 Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 27.02.2013 Anhängig Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
28.08.2013	28.08.2013 Geschichtetes Halbleitersubstrat und Herstellungsverfahren dafür EP2541589 Halbleiter & Elektrische Bauelemente	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 01.12.2011 Erteilt am 28.08.2013 Vertretung Baar, Christian · München Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
22.08.2013	22.08.2013 Verfahren zum Abkühlen von Scheiben aus Halbleitermaterial WO2013120696 Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 31.01.2013 Anhängig Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
31.07.2013	31.07.2013 Ultraschall-Reinigungsverfahren EP2620229 Verfahrens- & Trenntechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 15.01.2013 Anhängig Vertretung Baar, Christian · München Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
03.07.2013	03.07.2013 Ultraschallreinigungsverfahren EP2610017 Verfahrens- & Trenntechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 11.12.2012 Anhängig Vertretung Baar, Christian · München Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
27.06.2013	27.06.2013 Führungskäfig zum Beidseitigen Schleifen von mindestens einem Scheibenförmigen Werkstück zwischen Zwei Rotierenden Arbeitsscheiben einer Schleifvorrichtung, Verfahren zur Herstellung des Führungskäfigs und Verfahren zum Gleichzeitigen Beidseitigen Schleifen von Scheibenförmigen Werkstücken unter Verwendung des Führungskäfigs WO2013092255 Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 07.12.2012 Anhängig Vertretung Staudacher, Wolfgang · Burghausen Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
12.06.2013	12.06.2013 Halbleiterwafer mit Heteroepitaxialschicht und Verfahren zur Herstellung des Wafers EP2104135 Halbleiter & Elektrische Bauelemente	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 20.03.2008 Erteilt am 12.06.2013 Vertretung Staudacher, Wolfgang · Burghausen Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
17.04.2013	17.04.2013 Herstellungsverfahren für Epitaxial-Wafer EP1811066 Metallurgie & Oberflächentechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 10.01.2007 Erteilt am 17.04.2013 Vertretung Staudacher, Wolfgang · Burghausen Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
09.01.2013	09.01.2013 Verfahren zur Herstellung eines Siliciumeinzelkristalls EP2415910 Metallurgie & Oberflächentechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 25.07.2011 Erteilt am 09.01.2013 Vertretung Staudacher, Wolfgang · Burghausen Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
03.01.2013	03.01.2013 Layered semiconductor substrate and method for manufacturing it WO2013000636 Halbleiter & Elektrische Bauelemente	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 23.05.2012 Anhängig Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
02.01.2013	02.01.2013 Herstellungsverfahren eines Epitaxial-Wafers EP2309038 Metallurgie & Oberflächentechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 22.09.2010 Erteilt am 02.01.2013 Vertretung Baar, Christian · München Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
06.12.2012	06.12.2012 Verfahren zum Ablegen einer Halbleiterscheibe auf einem Suszeptor mit einer Vorgegebenen Winkelorientierung WO2012163676 Halbleiter & Elektrische Bauelemente	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 16.05.2012 Anhängig Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
15.08.2012	15.08.2012 Reinigungsverfahren eines Halbleiter-Wafers EP2194567 Verfahrens- & Trenntechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 25.11.2009 Erteilt am 15.08.2012 Vertretung Killinger, Andreas · Burghausen Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
19.07.2012	19.07.2012 Apparatus and method for etching a wafer edge WO2012095216 Halbleiter & Elektrische Bauelemente	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 01.12.2011 Anhängig Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
04.07.2012	04.07.2012 Graphit-Tiegel und Vorrichtung zur Siliciumeinkristallherstellung EP2336396 Metallurgie & Oberflächentechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 02.12.2010 Erteilt am 04.07.2012 Vertretung Staudacher, Wolfgang · Burghausen Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
04.07.2012	04.07.2012 Silizium-Wafer und Herstellungsverfahren dafür EP2345753 Metallurgie & Oberflächentechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 14.12.2010 Erteilt am 04.07.2012 Vertretung Staudacher, Wolfgang · Burghausen Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
04.07.2012	04.07.2012 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe EP2471088 Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 11.08.2010 Anhängig Vertretung Baar, Christian · München Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
04.07.2012	04.07.2012 Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium unter Verwendung von geschmolzenem Granulat EP2354278 Metallurgie & Oberflächentechnik Elektronik & Schaltungstechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 12.01.2011 Erteilt am 04.07.2012 Vertretung Staudacher, Wolfgang · Burghausen Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
04.07.2012	04.07.2012 Züchtungsverfahren für Siliziumeinkristall EP2471980 Metallurgie & Oberflächentechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 19.12.2011 Anhängig Vertretung Staudacher, Wolfgang · Burghausen Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
25.04.2012	25.04.2012 Prozessmodul zur Inline-Behandlung von Substraten EP2443649 Halbleiter & Elektrische Bauelemente	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 14.06.2010 Anhängig Vertretung Stürken, Joachim · Freiburg Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
22.02.2012	22.02.2012 Vorrichtung zur Erzeugung von Mikroblasen EP2202782 Halbleiter & Elektrische Bauelemente	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 16.12.2009 Erteilt am 22.02.2012 Vertretung Killinger, Andreas · Burghausen Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
15.02.2012	15.02.2012 Siliciumwafer und Herstellungsverfahren dafür EP2345752 Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 15.12.2010 Erteilt am 15.02.2012 Vertretung Staudacher, Wolfgang · Burghausen Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
15.02.2012	15.02.2012 Silizium-Wafer und Herstellungsverfahren dafür EP2418676 Halbleiter & Elektrische Bauelemente	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 26.07.2011 Anhängig Vertretung Staudacher, Wolfgang · Burghausen Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
28.12.2011	28.12.2011 Verfahren und Vorrichtung zur Züchtung eines Siliciumeinzelkristalls durch Schmelzung EP2270264 Metallurgie & Oberflächentechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 13.05.2009 Erteilt am 28.12.2011 Vertretung Staudacher, Wolfgang · Burghausen Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen
22.12.2011	22.12.2011 Verfahren zur Politur einer Halbleiterscheibe WO2011157493 Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik	🇪🇺 Europa
Status Angemeldet am 12.05.2011 Anhängig Vertretung Staudacher, Wolfgang · Burghausen Zusammenfassung Zusammenfassung wird geladen … Alle Patent-Informationen