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Siltronic Patente

🇩🇪 Deutschland

Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.

281
Patente
2000–2024
Anmeldejahre
25
Aktive Jahre

Patente nach Anmeldejahr

Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.

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281 gesamt
Patent
10.10.2013
Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe mittels Gasphasenabscheidung
WO2013149849 Metallurgie & Oberflächentechnik
19.09.2013
Ringförmiger Widerstandsheizer und Verfahren zum Zuführen von Wärme zu einem Kristallisierenden Einkristall
WO2013135498 Metallurgie & Oberflächentechnik Elektronik & Schaltungstechnik
06.09.2013
Vorrichtung und Verfahren zum Gleichzeitigen Trennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Werkstück
WO2013127847 Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
28.08.2013
Geschichtetes Halbleitersubstrat und Herstellungsverfahren dafür
EP2541589 Halbleiter & Elektrische Bauelemente erteilt
22.08.2013
Verfahren zum Abkühlen von Scheiben aus Halbleitermaterial
WO2013120696 Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
31.07.2013
Ultraschall-Reinigungsverfahren
EP2620229 Verfahrens- & Trenntechnik
03.07.2013
Ultraschallreinigungsverfahren
EP2610017 Verfahrens- & Trenntechnik
27.06.2013
Führungskäfig zum Beidseitigen Schleifen von mindestens einem Scheibenförmigen Werkstück zwischen Zwei Rotierenden Arbeitsscheiben einer Schleifvorrichtung, Verfahren zur Herstellung des Führungskäfigs und Verfahren zum Gleichzeitigen Beidseitigen Schleifen von Scheibenförmigen Werkstücken unter Verwendung des Führungskäfigs
WO2013092255 Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
12.06.2013
Halbleiterwafer mit Heteroepitaxialschicht und Verfahren zur Herstellung des Wafers
EP2104135 Halbleiter & Elektrische Bauelemente erteilt
17.04.2013
Herstellungsverfahren für Epitaxial-Wafer
EP1811066 Metallurgie & Oberflächentechnik erteilt
09.01.2013
Verfahren zur Herstellung eines Siliciumeinzelkristalls
EP2415910 Metallurgie & Oberflächentechnik erteilt
03.01.2013
Layered semiconductor substrate and method for manufacturing it
WO2013000636 Halbleiter & Elektrische Bauelemente
02.01.2013
Herstellungsverfahren eines Epitaxial-Wafers
EP2309038 Metallurgie & Oberflächentechnik erteilt
06.12.2012
Verfahren zum Ablegen einer Halbleiterscheibe auf einem Suszeptor mit einer Vorgegebenen Winkelorientierung
WO2012163676 Halbleiter & Elektrische Bauelemente
15.08.2012
Reinigungsverfahren eines Halbleiter-Wafers
EP2194567 Verfahrens- & Trenntechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente erteilt
19.07.2012
Apparatus and method for etching a wafer edge
WO2012095216 Halbleiter & Elektrische Bauelemente
04.07.2012
Graphit-Tiegel und Vorrichtung zur Siliciumeinkristallherstellung
EP2336396 Metallurgie & Oberflächentechnik erteilt
04.07.2012
Silizium-Wafer und Herstellungsverfahren dafür
EP2345753 Metallurgie & Oberflächentechnik erteilt
04.07.2012
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
EP2471088 Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
04.07.2012
Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium unter Verwendung von geschmolzenem Granulat
EP2354278 Metallurgie & Oberflächentechnik Elektronik & Schaltungstechnik erteilt
04.07.2012
Züchtungsverfahren für Siliziumeinkristall
EP2471980 Metallurgie & Oberflächentechnik
25.04.2012
Prozessmodul zur Inline-Behandlung von Substraten
EP2443649 Halbleiter & Elektrische Bauelemente
22.02.2012
Vorrichtung zur Erzeugung von Mikroblasen
EP2202782 Halbleiter & Elektrische Bauelemente erteilt
15.02.2012
Siliciumwafer und Herstellungsverfahren dafür
EP2345752 Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente erteilt
15.02.2012
Silizium-Wafer und Herstellungsverfahren dafür
EP2418676 Halbleiter & Elektrische Bauelemente
28.12.2011
Verfahren und Vorrichtung zur Züchtung eines Siliciumeinzelkristalls durch Schmelzung
EP2270264 Metallurgie & Oberflächentechnik erteilt
22.12.2011
Verfahren zur Politur einer Halbleiterscheibe
WO2011157493 Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
23.11.2011
Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium durch Umschmelzen von Granulat
EP2322695 Metallurgie & Oberflächentechnik erteilt
10.11.2011
Verfahren zur Gleichzeitigen Beidseitigen Material Abtragenden Bearbeitung einer Halbleiterscheibe
WO2011138304 Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
26.10.2011
Herstellungsverfahren eines Einkristalls
EP2031100 Metallurgie & Oberflächentechnik erteilt
20.10.2011
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
WO2011128217 Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
15.09.2011
Verfahren zur Bearbeitung einer Halbleiterscheibe
WO2011110430 Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
10.08.2011
Vefahren zur Herstellung versetzungfreien Siliziumeinkristalles unter Verwendung des Czochralski-Verfahrens
EP2354279 Metallurgie & Oberflächentechnik
06.07.2011
Verfahren zur Herstellung einer getemperten Halbleiterscheibe
EP1804283 Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente erteilt
29.06.2011
Silizium-Wafer und Herstellungsverfahren dafür
EP2339052 Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
25.05.2011
Siliciumwafer und Herstellungsverfahren dafür
EP2206809 Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente erteilt
05.01.2011
Verfahren zur Behandlung einer Halbleiterscheibe
EP1857576 Metallurgie & Oberflächentechnik Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik erteilt
29.12.2010
Siliciumwafer und Herstellungsverfahren dafür
EP2144280 Halbleiter & Elektrische Bauelemente erteilt
04.11.2010
Vorrichtung zum Messen von Kräften, die auf eine Halbleiterscheibe Wirken
WO2010124807 Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
06.10.2010
Verfahren zur Herstellung eines Silizium Einkristalles
EP1734157 Metallurgie & Oberflächentechnik erteilt

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