Siltronic Patente
🇩🇪 Deutschland
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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281 gesamt| Patent | |||
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10.10.2013
Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe mittels Gasphasenabscheidung
WO2013149849
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 22.03.2013
Anhängig
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19.09.2013
Ringförmiger Widerstandsheizer und Verfahren zum Zuführen von Wärme zu einem Kristallisierenden Einkristall
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Status
Angemeldet am 01.03.2013
Anhängig
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06.09.2013
Vorrichtung und Verfahren zum Gleichzeitigen Trennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Werkstück
WO2013127847
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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Status
Angemeldet am 27.02.2013
Anhängig
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28.08.2013
Geschichtetes Halbleitersubstrat und Herstellungsverfahren dafür
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22.08.2013
Verfahren zum Abkühlen von Scheiben aus Halbleitermaterial
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Status
Angemeldet am 31.01.2013
Anhängig
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31.07.2013
Ultraschall-Reinigungsverfahren
EP2620229
Verfahrens- & Trenntechnik
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03.07.2013
Ultraschallreinigungsverfahren
EP2610017
Verfahrens- & Trenntechnik
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27.06.2013
Führungskäfig zum Beidseitigen Schleifen von mindestens einem Scheibenförmigen Werkstück zwischen Zwei Rotierenden Arbeitsscheiben einer Schleifvorrichtung, Verfahren zur Herstellung des Führungskäfigs und Verfahren zum Gleichzeitigen Beidseitigen Schleifen von Scheibenförmigen Werkstücken unter Verwendung des Führungskäfigs
WO2013092255
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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12.06.2013
Halbleiterwafer mit Heteroepitaxialschicht und Verfahren zur Herstellung des Wafers
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17.04.2013
Herstellungsverfahren für Epitaxial-Wafer
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09.01.2013
Verfahren zur Herstellung eines Siliciumeinzelkristalls
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03.01.2013
Layered semiconductor substrate and method for manufacturing it
WO2013000636
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.05.2012
Anhängig
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02.01.2013
Herstellungsverfahren eines Epitaxial-Wafers
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06.12.2012
Verfahren zum Ablegen einer Halbleiterscheibe auf einem Suszeptor mit einer Vorgegebenen Winkelorientierung
WO2012163676
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 16.05.2012
Anhängig
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15.08.2012
Reinigungsverfahren eines Halbleiter-Wafers
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19.07.2012
Apparatus and method for etching a wafer edge
WO2012095216
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.12.2011
Anhängig
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04.07.2012
Graphit-Tiegel und Vorrichtung zur Siliciumeinkristallherstellung
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04.07.2012
Silizium-Wafer und Herstellungsverfahren dafür
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04.07.2012
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
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04.07.2012
Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium unter Verwendung von geschmolzenem Granulat
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04.07.2012
Züchtungsverfahren für Siliziumeinkristall
EP2471980
Metallurgie & Oberflächentechnik
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25.04.2012
Prozessmodul zur Inline-Behandlung von Substraten
EP2443649
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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22.02.2012
Vorrichtung zur Erzeugung von Mikroblasen
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15.02.2012
Siliciumwafer und Herstellungsverfahren dafür
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15.02.2012
Silizium-Wafer und Herstellungsverfahren dafür
EP2418676
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.12.2011
Verfahren und Vorrichtung zur Züchtung eines Siliciumeinzelkristalls durch Schmelzung
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22.12.2011
Verfahren zur Politur einer Halbleiterscheibe
WO2011157493
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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23.11.2011
Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium durch Umschmelzen von Granulat
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10.11.2011
Verfahren zur Gleichzeitigen Beidseitigen Material Abtragenden Bearbeitung einer Halbleiterscheibe
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Status
Angemeldet am 03.05.2011
Anhängig
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26.10.2011
Herstellungsverfahren eines Einkristalls
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20.10.2011
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
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Status
Angemeldet am 04.04.2011
Anhängig
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15.09.2011
Verfahren zur Bearbeitung einer Halbleiterscheibe
WO2011110430
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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Status
Angemeldet am 25.02.2011
Anhängig
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10.08.2011
Vefahren zur Herstellung versetzungfreien Siliziumeinkristalles unter Verwendung des Czochralski-Verfahrens
EP2354279
Metallurgie & Oberflächentechnik
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06.07.2011
Verfahren zur Herstellung einer getemperten Halbleiterscheibe
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29.06.2011
Silizium-Wafer und Herstellungsverfahren dafür
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25.05.2011
Siliciumwafer und Herstellungsverfahren dafür
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05.01.2011
Verfahren zur Behandlung einer Halbleiterscheibe
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29.12.2010
Siliciumwafer und Herstellungsverfahren dafür
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04.11.2010
Vorrichtung zum Messen von Kräften, die auf eine Halbleiterscheibe Wirken
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Status
Angemeldet am 21.04.2010
Anhängig
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06.10.2010
Verfahren zur Herstellung eines Silizium Einkristalles
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