Siltronic Patente
🇩🇪 Deutschland
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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281 gesamt| Patent | |||
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06.09.2017
Ultraschallreinigungsverfahren
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24.08.2017
Fz silicon and method to prepare fz silicon
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Angemeldet am 02.02.2017
Anhängig
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23.08.2017
Fz-Silicium und Verfahren zur Herstellung von Fz-Silicium
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19.07.2017
Verfahren zur Herstellung von P-Typ-Siliciumeinkristall
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14.06.2017
Verfahren zum Züchten eines Einkristalls durch Kristallisieren des Einkristalls aus einer Fliesszone
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08.02.2017
Herstellungsverfahren für Siliciumwafer
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26.01.2017
Verfahren zum Schmelzen von Festem Silizium
WO2017012733
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 17.05.2016
Anhängig
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06.10.2016
Verfahren zum Beschichten von Halbleiterscheiben
WO2016155915
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Angemeldet am 03.02.2016
Anhängig
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05.10.2016
Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls durch Kristallisieren des Einkristalls an einer Schmelzenzone
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05.10.2016
Verfahren zum Abstützen eines Wachsenden Einkristalls Während des Kristallisierens des Einkristalls Gemäss dem Fz-Verfahren
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24.08.2016
Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium
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Angemeldet am 01.04.2015
Erteilt am 24.08.2016
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24.08.2016
Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Kristalls aus Halbleitermaterial
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Status
Angemeldet am 22.05.2015
Erteilt am 24.08.2016
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03.08.2016
Halbleiterwafer und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterwafers
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03.08.2016
Halbleiterscheibe mit einer monokristallinen Nitridschicht der Gruppe IIIA
EP3051575
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.01.2015
Anhängig
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06.01.2016
Verfahren zur Herstellung eines Wafers aus einem Siliziumeinkristallsubstrat mit einer Vorder- und einer Rückseite und einer auf der Vorderseite gelagerten SiGe-Schicht
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30.12.2015
Ultraschallreinigungsverfahren und Ultraschallreinigungsvorrichtung
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09.12.2015
Verfahren zur Herstellung von Einkristallinem Silicium
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19.08.2015
Reinigungsvorrichtung, Ausrüstung und Verfahren
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08.07.2015
Ultraschallreinigungsverfahren und Ultraschallreinigungsvorrichtung
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06.05.2015
Halbleiter-Wafer mit einer Schicht aus AlzGa1-zN und Herstellungsverfahren
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25.02.2015
Mehrschichtiges Halbleiterwafer und Verfahren zu seiner Herstellung
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11.02.2015
Verfahren zum Einfüllen von Siliziumeinsatzstoff
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11.02.2015
Verfahren zur Herstellung eines Getemperten Wafers
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07.01.2015
Verfahren zur Herstellung eines Siliziumeinkristalls und Siliciumeinkristall
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10.12.2014
Verfahren zum Herstellen eines Einkristalls aus Silizium
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05.11.2014
Verfahren zur Herstellung von Einkristallinem Silicium
EP2798102
Metallurgie & Oberflächentechnik
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22.10.2014
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
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Angemeldet am 18.01.2001
Erteilt am 22.10.2014
Vertretung
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22.10.2014
Überwachungsverfahren für die Konzentration an Gelöstem Stickstoff und Substratreinigungsverfahren
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03.09.2014
Ringförmiger Widerstandsheizer zum Zuführen von Wärme zu einem wachsenden Einkristall
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13.08.2014
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls
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Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls durch Zonenziehen, wobei der Einkristall mit Unterstützung einer Induktionsheizspule unter einer Schmelzenzone an einer Kristallisationsgrenze kristallisiert, und das Abstrahlen von Kristallisationswärme durch einen den Einkristall umgebenden Reflektor behindert wird, dadurch gekennzeichnet, dass der Einkristall im Bereich eines äußeren Rands der Kristallisationsgrenze mittels einer Heizeinrichtung in einer ersten Zone erhitzt wird, wobei ein Abstand ” zwischen einem äußeren Tripelpunkt T a am äußeren Rand der Kristallisationsgrenze und einem Zentrum Z der Kristallisationsgrenze beeinflusst wird. |
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24.07.2014
Klemmbare Aufkittleiste für einen Drahtsägeprozess
WO2014111304
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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Status
Angemeldet am 09.01.2014
Anhängig
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23.04.2014
Verfahren zur Herstellung eines Siliciumeinzelkristallsubstrats
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Zusammenfassung
To provide a silicon single crystal substrate having uniform resistance in the substrate, less BMDs in a surface layer of the substrate, and moderate BMDs in a center of thickness of the substrate. A silicon single crystal substrate is formed by slicing a silicon single crystal grown with a Czochralski method, the substrate having the following characteristics. The resistivity in a center of a first main surface of the silicon single crystal substrate is not lower than 50 ©¢cm and a rate of change in resistivity in the first main surface is not higher than 3%. The average density of oxygen precipitates bulk micro defects in a region lying between the first main surface and a plane at a depth of 50 µm is lower than 1 × 10 8 /cm 3 . The average density of oxygen precipitates bulk micro defects in a region lying between a plane at a depth of 300 µm and a plane at a depth of 400 µm from the first main surface is not lower than 1 × 10 8 /cm 3 and not higher than 1 × 10 9 /cm 3 . |
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16.04.2014
Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium durch Umschmelzen von Granulat
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09.04.2014
Verfahren zur Verringerung und Homogenisierung der Dicke einer Halbleiterschicht, die sich auf der Oberfläche eines elektrisch isolierenden Materials befindet
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02.04.2014
Verfahren zum Schneiden eines Werkstücks mit einer Drahtsäge
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Zusammenfassung
Provision of a method for cutting a workpiece with a wire saw whereby a large-diameter workpiece can be cut accurately and efficiently without any defects such as breakage occurring. When cutting a workpiece, a saw wire 1 is positioned so that at entry/exit points A which are the two ends of an meshing area M, the saw wire 1 is located above the surface of an abrasive grain slurry 6, and is not immersed into the abrasive grain slurry 6. Furthermore, the saw wire 1 and a workpiece W are immersed into the abrasive grain slurry 6 so that the surface of the abrasive grain slurry 6 is located between the entry/exit points A of the saw wire and a maximum bending point B where the saw wire 1 is bent most in the direction in which the workpiece is pushed. Moreover, all nozzles 4r and 4l are positioned in a manner that sprayed-on points P to which the abrasive grain slurry 6 is supplied, are located on the outside of the entry/exit points A of the saw wire 1. |
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12.03.2014
Verfahren zur Herstellung von monokristallinem Silicium
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13.02.2014
Halterung für eine Vielzahl von Scheibenförmigen Werkstücken
WO2014023633
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 31.07.2013
Anhängig
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06.02.2014
Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium
WO2014019789
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 01.07.2013
Anhängig
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27.11.2013
Ultraschallreinigungsverfahren und Ultraschallreinigungsvorrichtung
EP2666554
Verfahrens- & Trenntechnik
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23.10.2013
Kalibrationsverfahren
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Wer vertritt Siltronic?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Siltronic vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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