Siltronic Patente
🇩🇪 Deutschland
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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375 gesamt| Patent | |||
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23.03.2023
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus Einkristallinem Silizium und Halbleiterscheibe aus Einkristallinem Silizium
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.09.2022
Anhängig
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16.03.2023
Verfahren zum Herstellen eines Einkristalls aus Silicium
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 29.07.2022
Anhängig
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09.03.2023
Verfahren zum Schleifen von Halbleiterscheiben
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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Status
Angemeldet am 27.07.2022
Anhängig
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08.03.2023
Verfahren zum Abscheiden einer Epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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23.02.2023
Verfahren zur Herstellung einer Epitaktisch Beschichteten Hableiterscheibe aus Einkristallinem Silizium
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 02.08.2022
Anhängig
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22.02.2023
Verfahren zur Herstellung einer Epitaktisch Beschichteten Hableiterscheibe aus Einkristallinem Silizium
Metallurgie & Oberflächentechnik
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16.02.2023
A method for manufacturing a substrate wafer for building group iii-v devices thereon and a substrate wafer for building group iii-v devices thereon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 29.07.2022
Anhängig
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15.02.2023
Verfahren zur Herstellung eines Substratwafers zum Darauf Erstellen von Gruppe-Iii-V-Vorrichtungen und Substratwafer zum Darauf Erstellen von Gruppe-Iii-V-Vorrichtungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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09.02.2023
Device and method for producing a monocrystalline silicon rod
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 22.07.2022
Anhängig
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08.02.2023
Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Monokristallinen Siliziumstabes
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 02.08.2021
Anhängig
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26.01.2023
Method for producing a gallium oxide layer on a substrate
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 12.07.2022
Anhängig
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25.01.2023
Verfahren zur Herstellung einer Galliumoxidschicht auf einem Substrat
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 22.07.2021
Anhängig
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04.01.2023
Verfahren zum Klassifizieren von Unbekannten Partikeln auf einer Oberfläche einer Halbleiterscheibe
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Zusammenfassung
Verfahren zum Klassifizieren von unbekannten Partikeln auf einer Oberfläche einer Halbleiterscheibe umfassend das Aufbringen von Partikel bekannter chemischer Zusammensetzung unter-schiedlicher Größe auf einer Testscheibe, Bestimmen einer Größe mehrerer Partikel bekannter chemischer Zusammensetzung und Aufnehmen eines Spektrums einer energiedispersiven Röntgenspektroskopie mehrerer Partikel bekannter chemischer Zusammensetzung, gefolgt vom jeweiligen Bestimmen eines Stoffgehaltes daraus, und Anpassen einer Ausgleichskurve an Größe und Stoffgehalt der Partikel bekannter chemischer Zusammensetzung, ferner das Bestimmen einer Partikelgröße eines unbekannten Partikels und ein Aufnehmen eines Spektrums einer energiedispersive Röntgenspektroskopie des unbekannten Partikels und daraus ermitteln des Stoffgehaltes des unbekannten Partikels auf einer Halbleiterscheibe und Klassifizieren des unbekannten Partikels als Ergebnis des Vergleiches der Größe und des Stoffgehaltes des unbekannten Partikels mit der Ausgleichskurve. |
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08.12.2022
Verfahren zum Abscheiden einer Epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe aus Halbleitermaterial in einer Abscheidevorrichtung
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.05.2022
Anhängig
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07.12.2022
Verfahren und Anlage zum Ziehen eines Einkristalls nach dem Fz-Verfahren
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Zusammenfassung
Verfahren und Anlage zum Ziehen eines Einkristalls (103) nach dem FZ-Verfahren, bei dem ein Stab aus polykristallinem Halbleitermaterial (101) mittels einer elektromagnetischen Schmelzvorrichtung (210) geschmolzen und anschließend als Einkristall auskristallisiert wird,wobei mittels einer Zusatzheizvorrichtung (230) eine in Umfangsrichtung (Ru) des Einkristalls (103) auftretende, ungleichmäßige Verteilung der Temperatur des Einkristalls (103) zumindest teilweise ausgeglichen wird,dadurch gekennzeichnet, dass der Einkristall (100) mittels der Zusatzheizvorrichtung (230) selektiv an kälteren Positionen seines Umfangs zusätzlich erhitzt wird. |
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07.12.2022
Verfahren zum Abscheiden einer Epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe aus Halbleitermaterial in einer Abscheidevorrichtung
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.11.2022
Vorrichtung zum Abscheiden vom Polysilicium und Entsprechendes Verfahren
Verfahrens- & Trenntechnik
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20.10.2022
Verfahren zum Herstellen von Halbleiterscheiben mit aus der Gasphase Abgeschiedener Epitaktischer Schicht in einer Abscheidekammer
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.03.2022
Anhängig
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20.10.2022
Verfahren zum Herstellen von Halbleiterscheiben mit aus der Gasphase Abgeschiedener Epitaktischer Schicht in einer Abscheidekammer
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 31.03.2022
Anhängig
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20.10.2022
Verfahren zum Herstellen von Halbleiterscheiben mit aus der Gasphase Abgeschiedener Epitaktischer Schicht in einer Abscheidekammer
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 04.04.2022
Anhängig
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19.10.2022
Verbesserte Vorrichtung zum Trocknen von Halbleitersubstraten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.12.2019
Erteilt am 19.10.2022
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19.10.2022
Verbesserte Vorrichtung zum Trocknen von Halbleitersubstraten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.12.2019
Erteilt am 19.10.2022
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19.10.2022
Verfahren zum Herstellen von Halbleiterscheiben mit aus der Gasphase Abgeschiedener Epitaktischer Schicht in einer Abscheidekammer
Metallurgie & Oberflächentechnik
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06.10.2022
Vorrichtung zum Transport von Halbleiterscheiben
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.03.2022
Anhängig
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05.10.2022
Vorrichtung zum Transport von Halbleiterscheiben
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.04.2021
Anhängig
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05.10.2022
Verbesserte Vorrichtung zum Trocknen von Halbleitersubstraten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.12.2019
Erteilt am 05.10.2022
Zusammenfassung
Device for drying disc-shaped substrates comprising an elongated body (1),which tapers upwards to form a wedge (A) having an angle α between two surfaces and an upper edge wherein the upper edge is suitable for holding the disc-shaped substrates, characterized in that the two surfaces comprise more than one holes (2) each forming channels, which extend to a lower drainage part (B) of the elongated body. |
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22.09.2022
Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Dotierten Monokristallinen Stabes aus Silicium
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 07.03.2022
Anhängig
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22.09.2022
Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Monokristallinen Stabes aus Silizium in einer Zonenziehanlage
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 01.03.2022
Anhängig
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21.09.2022
Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Monokristallinen Stabes aus Silizium in einer Zonenziehanlage
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 15.03.2021
Anhängig
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15.09.2022
Verfahren zum Herstellen von Halbleiterscheiben mit Epitaktischer Schicht in einer Kammer eines Abscheidereaktors
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 25.02.2022
Anhängig
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14.09.2022
Verfahren zum Herstellen von Halbleiterscheiben mit Epitaktischer Schicht in einer Kammer eines Abscheidereaktors
Metallurgie & Oberflächentechnik
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07.09.2022
Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls durch Zonenschmelzen
Metallurgie & Oberflächentechnik
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07.09.2022
Vorrichtung zum Ziehen eines Einkristalls aus Halbleitermaterial nach der Cz-Methode aus einer Schmelze und Verfahren unter Verwendung der Vorrichtung
Metallurgie & Oberflächentechnik
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25.08.2022
Method for testing the stress robustness of a semiconductor substrate
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.02.2022
Anhängig
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25.08.2022
Verfahren zur Herstellung von Scheiben aus einem Zylindrischen Stab aus Halbleitermaterial
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.02.2022
Anhängig
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24.08.2022
Verfahren zur Herstellung von Scheiben aus einem Zylindrischen Stab aus Halbleitermaterial
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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17.08.2022
Verfahren zur Prüfung der Belastbarkeit eines Halbleitersubstrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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17.08.2022
Verfahren und Vorrichtung zum Markieren von Defekten auf einer Oberfläche einer Halbleiterscheibe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.02.2021
Anhängig
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10.08.2022
Drahtsäge und Verfahren zum Gleichzeitigen Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Stab
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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27.07.2022
Suszeptor zum Halten einer Halbleiterscheibe mit Orientierungskerbe sowie Abscheideverfahren
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Wer vertritt Siltronic?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Siltronic vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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