imec Patente
🇧🇪 Belgien
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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2.629 gesamt| Patent | |||
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13.09.2017
Verfahren zur Reduzierung von Verzerrungen zweiter Ordnung im Oberschwingungsunterdrückungsmischer
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 10.06.2014
Erteilt am 13.09.2017
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30.08.2017
Verfahren zur Herstellung einer Transistorvorrichtung und zugehörige Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.01.2014
Erteilt am 30.08.2017
Vertretung
Bird Goën & Co · Winksele
DenK iP · Boortmeerbeek
Zusammenfassung
A method for manufacturing a transistor device, the method comprising a. providing a plurality of parallel nanowires on a substrate; b. providing a dummy gate structure over a central portion of the parallel nanowires; c. epitaxially growing extension portions of a second material, selectively on the parallel nanowires, outside a central portion; d. providing a filler layer around and on top of the dummy gate structure and the extension portions; e. removing the dummy gate structure, in order to create a gate trench, exposing the central portion of the parallel nanowires; f. providing spacer structures on the sidewalls of the gate trench, to define a final gate trench; g. thinning the parallel nanowires, thereby creating free space in between the nanowires and the spacer structures; h. selectively growing a quantum well layer on or around the parallel nanowires, at least partially filling the free space, to thereby provide a connection between the quantum well layer and the respective extension portions. |
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23.08.2017
Nicht flüchtige resistive Speichervorrichtungen mit Boost-Kondensatoren und Verfahren zum Betrieb von Speicherstrukturen in den Speichervorrichtungen
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.09.2012
Erteilt am 23.08.2017
Vertretung
Sarlet, Steven Renaat Irène · Diegem
Gevers Patents · Diegem
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23.08.2017
Mikrostrukturierte Mikrostützen-Arrays zur steuerbaren Befüllung einer kapillaren Pumpe
Verfahrens- & Trenntechnik
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Status
Angemeldet am 15.01.2014
Erteilt am 23.08.2017
Vertretung
Clerix, André · Leuven
Patent Department IMEC · Leuven
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23.08.2017
Selbstjustierendes Via für Interconnects
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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23.08.2017
Gehärtetes Metall- oder Keramikmaterialmuster
Optik & Fototechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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16.08.2017
Verfahren zum Eichen eines Systems zum Testen eines Übertragungsleitungstaks
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 23.12.2008
Erteilt am 16.08.2017
Vertretung
Sarlet, Steven Renaat Irène · Diegem
Gevers Patents · Diegem
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09.08.2017
Bipolares, stromloses Beschichtungsverfahren
Metallurgie & Oberflächentechnik
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09.08.2017
Verfahren zur Herstellung von Isoliergräben in Mikro-Höckerverbindungsstrukturen und damit hergestellte Vorrichtungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.08.2017
Hybride Wellenleiterlaser und Verfahren zum Herstellen von hybriden Wellenleiterlasern
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.06.2014
Erteilt am 02.08.2017
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02.08.2017
Multisolvente Perowskitzusammensetzung
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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19.07.2017
Integrierter Lawinengermaniumfotodetektor
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
An integrated avalanche photodetector and a method for fabrication thereof. The integrated avalanche photodetector 100 comprises a Ge body 110 adapted to conduct and optical mode. The Ge body 110 comprises a first p-doped region 120, for the absorption of an optical mode. The first p-doped region 120 extends from a first main surface 111 to a second main surface 112 of the Ge body 110. The Ge body 110 comprises a first n-doped region 130 that extends from the first main surface 111 towards the second main surface 112 of the Ge body 110. An intrinsic region 115 occupies the undoped part of the Ge body 110. A first avalanche junction is formed by the first n-doped region 130 that is located aside the p-doped region 120. The Ge body 110 comprises an incidence surface 310, suitable for receiving an optical mode 300. The incidence surface 310 is perpendicular to the first avalanche junction. A second n-doped Ge region 140 that covers the Ge body 110 and forms a second PN avalanche junction with the first p-doped region 120 at the first main surface 111. |
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12.07.2017
Verfahren zur Herstellung eines monokristallinen Halbleiters auf einem Substrat
Metallurgie & Oberflächentechnik
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12.07.2017
Verfahren und Systeme für Oberflächenverstärkte Optische Detektion
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 22.03.2011
Erteilt am 12.07.2017
Vertretung
Wauters, Davy Erik Angelo · Boortmeerbeek
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05.07.2017
Mikrokanalchip für Dna-Analyse
Verfahrens- & Trenntechnik
Pharma & Biotechnologie
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05.07.2017
Simulation von Fotovoltaikmodulen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 15.09.2015
Erteilt am 05.07.2017
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28.06.2017
Sensor, System und Halteanordnung für Biosignalaktivitätsmessung
Medizintechnik & Gesundheit
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28.06.2017
Ferroelektrische Pinchoff-Speicherzelle
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.06.2017
Vorrichtung mit verspannter Schicht für Quantentopfeinschluss und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 31.05.2013
Anhängig
Vertretung
Clerix, André · Leuven
Patent Department IMEC · Leuven
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28.06.2017
Drain-Erweiterungsregion für Tunnel-Fet
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.06.2017
Tunnelfeldeffekttransistor (tfet) mit mehreren Gates
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.06.2017
Modul für Textile Anwendungen
Elektronik & Schaltungstechnik
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28.06.2017
Sehkorrekturanzeige
Optik & Fototechnik
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28.06.2017
Verfahren für Selbstausgerichtete Rückflusslötverbindung und daraus Erhaltene Vorrichtungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.06.2017
Halbleiterbauelement aus Zweidimensionalem Material
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.06.2017
System und Verfahren zum Erfassen von Biosignalen mit Bewegungssensorbasierter Artefaktkompensation
Medizintechnik & Gesundheit
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21.06.2017
Schaltung und Verfahren zur Umwandlung eines Analogsignals in eine Digitale Wertdarstellung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 16.12.2015
Anhängig
Vertretung
AWA Sweden AB · Stockholm
Awapatent AB · Helsingborg
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21.06.2017
Kleinsignalverstärker
Elektronik & Schaltungstechnik
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21.06.2017
Verzögerungsregelkreis
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 17.12.2015
Anhängig
Vertretung
Patent Department IMEC · Leuven
DenK iP · Boortmeerbeek
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21.06.2017
Stehwellenintegrierte Fts mit Breitbandbetrieb
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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21.06.2017
Modulator von Direkter Digitaler Hochfrequenz mit Kalibrierungssystem
Elektronik & Schaltungstechnik
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21.06.2017
Verfahren zur Herstellung einer Vorgemusterten Struktur zur Züchtung von Vertikalen Nanostrukturen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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21.06.2017
Verfahren zur Herstellung einer Gruppe-Iii-Nitrid-Hemt-Vorrichtung des Anreicherungstyps und eine daraus Hergestellte Gruppe-Iii-Nitrid-Struktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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07.06.2017
Ätzen von Vias mit hohem Aspektverhältnis
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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07.06.2017
Metallisierungsverfahren für Halbleiterstrukturen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 02.09.2015
Erteilt am 07.06.2017
Vertretung
Ego, Christophe · Boortmeerbeek
Patent Department IMEC · Leuven
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07.06.2017
Zweidimensionaler Elektronengas-Sensor
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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31.05.2017
Verfahren und Systeme zum Trimmen Fotonischer Bauelemente
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 28.06.2012
Erteilt am 31.05.2017
Vertretung
Wauters, Davy Erik Angelo · Boortmeerbeek
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24.05.2017
Verfahren zur Erhöhung der Initierung vom Wachstum einer Schicht
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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17.05.2017
Modulationsschaltung für eine Funkvorrichtung und Verfahren dafür
Elektronik & Schaltungstechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 19.01.2015
Erteilt am 17.05.2017
Vertretung
Clerix, André · Leuven
Patent Department IMEC · Leuven
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10.05.2017
Verfahren und Systeme zum Bonden von Materialien
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 18.09.2009
Erteilt am 10.05.2017
Vertretung
Wauters, Davy Erik Angelo · Boortmeerbeek
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Wer vertritt imec?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die imec vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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