imec Patente
🇧🇪 Belgien
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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2.629 gesamt| Patent | |||
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04.05.2017
Arrays of optical devices comprising integrated bandpass filters and methods of production
Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 28.10.2016
Anhängig
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03.05.2017
Unidirektionale intelligente Bypass-Elemente mit geringem Spannungsabfall
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 29.03.2013
Erteilt am 03.05.2017
Vertretung
Mackett, Margaret Dawn · Diegem
Mackett, Margaret · Diegem
Zusammenfassung
Described herein is a low voltage unidirectional electronic bypass element (200) connected across at least one solar cell and operable to allow current to flow in the event that the operation of at least one solar cell is suspended. The bypass element (200) comprises a single field effect transistor (230) connected between first and second terminals (210, 220) which acts as an electronically-controlled switch, and a detection circuit (260) for detecting suspension of the operation of the at least one solar cell and for activating the switch (230) to bypass the at least one solar cell in the event of suspension of its operation. Diodes (250) are connected in parallel with the normally-open switch (230) and which receive current in the event of suspension of operation of the solar cell to trigger operation of the detection circuit (260). The detection circuitry (260) including a charge pump (270), a timer circuit (280), a control generation block (290) and a switch control circuit (300). The switch control circuit (300) generating a control signal for the gate of the switch to activate the switch to close it and to allow current to bypass the at least one solar cell with which the bypass element (200) is associated. |
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03.05.2017
Kalibrierung eines ESD-Testsystems
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 18.03.2008
Erteilt am 03.05.2017
Vertretung
Sarlet, Stephanie · Diegem
Sarlet, Steven Renaat Irène · Diegem
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03.05.2017
Zweistufen-Filter auf Quellenverfolgungsbasis
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 01.03.2013
Erteilt am 03.05.2017
Vertretung
Office Kirkpatrick · La Hulpe
Bird Goën & Co · Winksele
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03.05.2017
Vertikale elektromechanische Schaltvorrichtung und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.12.2013
Erteilt am 03.05.2017
Vertretung
Clerix, André · Leuven
Patent Department IMEC · Leuven
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03.05.2017
Asymmetrische Neigung für Mikrospiegelanordnungen
Optik & Fototechnik
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Zusammenfassung
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03.05.2017
Modulebenenverarbeitung von photovoltaischen Zellen aus Silizium
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.09.2014
Erteilt am 03.05.2017
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03.05.2017
Vorrichtung und Verfahren zur Bereitstellung eines Gasförmigen Vorläufers an eine Reaktionskammer
Metallurgie & Oberflächentechnik
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26.04.2017
Spindrehmoment-Mehrheitsgatter-Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Zusammenfassung
A majority gate device (2) is disclosed comprising a free ferromagnetic layer comprising 3N input zones (121, 122, 123) and one polygon output zone (124) having 3N sides, each input zone adjoining the output zone and being positioned around the output zone according to a 3N-fold rotational symmetry with N being a positive integer number, whereby the input zones are spaced apart from one another by the output zone. Each input zone is magnetically coupled to a corresponding input control (1181, 1182, 1183) for controlling the magnetization state of the corresponding input zone, and an output sensor (119) is magnetically coupled to the output zone, the output sensor sensing the magnetization state of the output zone. Each input zone is thus adjoining the output zone at one of its 3N sides. |
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12.04.2017
Verfahren zur Entfernung eines gehärteten Photoresists aus einem Halbleitersubstrat
Optik & Fototechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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05.04.2017
Telekommunikationsvorrichtung mit einer Ebd-Schaltung, Netzwerk mit Abstimmbarer Impedanz und Verfahren zur Abstimmung eines Netzwerks mit Abstimmbarer Impedanz
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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05.04.2017
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Damaszenstrukturen mit Luftzwischenräumen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.02.2005
Erteilt am 05.04.2017
Vertretung
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29.03.2017
Verfahren zur Herstellung einer Speicherstruktur mit Freischwebegate
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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29.03.2017
Erste-Stufe-L1-Speicher Struktur mit einem Nicht-Flüchtigen Speicher und einem Pufferspeicher
Software & Datenverarbeitung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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22.03.2017
Verfahren zur Herstellung einer Iii-V Gate-Rundum-Halbleitervorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 25.03.2015
Erteilt am 22.03.2017
Vertretung
Clerix, André · Leuven
Patent Department IMEC · Leuven
Zusammenfassung
A gate-all-around semiconductor device and a method for manufacturing a gate-all-around (GAA) semiconductor device are disclosed. The method comprises providing on a semiconductor substrate (100) in between STI regions (101) at least one suspended nanostructure (105) anchored by a source (121) and a drain region (122), the suspended nanostructure comprising a crystalline semiconductor material which is different from the semiconductor substrate. A gate stack (117) is provided around the at least one suspended nanostructure. |
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22.03.2017
Verfahren zur Herstellung eines passivierten Halbleitersubstrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 13.10.2005
Erteilt am 22.03.2017
Vertretung
Van Malderen, Joëlle · Liège
Van Malderen, Joëlle · Liège
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15.03.2017
Tunnelfeldeffekttransistoren auf der Basis von Siliziumnanodrähte
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.11.2006
Erteilt am 15.03.2017
Vertretung
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15.03.2017
Analyse und Sortierung von im Fluss Befindlichen Biologischen Zellen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 07.12.2012
Erteilt am 15.03.2017
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08.03.2017
Dreidimensionales, resistives Speicher-Array
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 08.01.2014
Erteilt am 08.03.2017
Vertretung
Clerix, André · Leuven
Patent Department IMEC · Leuven
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08.03.2017
Verfahren zur Herstellung einer Integrierten Schaltvorrichtung mit Verbesserten Mechanischen Eigenschaften
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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01.03.2017
Verbesserungen an oder in Zusammenhang mit angehefteten Fotodioden zur Verwendung in Bildsensoren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.06.2013
Erteilt am 01.03.2017
Vertretung
Mackett, Margaret Dawn · Diegem
Mackett, Margaret · Diegem
Zusammenfassung
Described herein is a pinned photodiode pixel architecture (100) having a p-type substrate (110) which is independently biased with respect to a pixel area (180) to provide an avalanche region (230) between an n-type region (130) and a p-type region (120) formed on the substrate (110). Such a pinned photodiode pixel (100) can be used in imaging sensors that are used in low light level conditions. |
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23.02.2017
Micro analysis chip and fabrication method thereof
Verfahrens- & Trenntechnik
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Status
Angemeldet am 08.08.2016
Anhängig
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22.02.2017
Wiederherstellung der durch die Vorspannung im Aus-Zustand verursachte Verschlechterung der Schwellenspannung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 13.12.2013
Erteilt am 22.02.2017
Vertretung
Hertoghe, Kris Angèle Louisa · Winksele
Zusammenfassung
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22.02.2017
Al-Poor-Barriere für Ingaas-Halbleiterstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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15.02.2017
Selbstgleichrichtendes RRAM-Element
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.06.2013
Erteilt am 15.02.2017
Vertretung
Hertoghe, Kris Angèle Louisa · Winksele
Zusammenfassung
A memory cell (10) comprises a first electrode (11) and a second electrode (12) made of conductive or semiconductive material, a resistance switching element (13) in between the first electrode (11) and the second electrode (12), and a tunnel rectifier (14) in between the resistance-switching element (13) and the first electrode (11). The tunnel rectifier (14) comprises a multi-layer tunnel stack. The multi-layer tunnel stack comprises a stack of a least two dielectric layers (15, 16) each defined by a dielectric constant and a conduction band offset, wherein one of the dielectric layers has a higher dielectric constant and a lower conduction band offset than any of the other dielectric layers. |
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01.02.2017
Methode zum Bonden mikroelektronischer Bauteile und damit hergestellte Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.01.2017
Verfahren zum Formen eines Katalysators für das Wachstum von Kohlennanoröhrchen
Verfahrens- & Trenntechnik
Anorganische Chemie & Werkstoffe
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25.01.2017
System und Verfahren zur Erfassung von Biopotenzialsignalen mit Bewegungsartefaktreduzierung im Echtzeitbetrieb
Medizintechnik & Gesundheit
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Status
Angemeldet am 06.02.2014
Erteilt am 25.01.2017
Vertretung
Clerix, André · Leuven
Patent Department IMEC · Leuven
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11.01.2017
Verfahren zur Formung von Metall-Silicid-Schichten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.11.2012
Erteilt am 11.01.2017
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05.01.2017
Method for high resolution patterning of organic layers
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.06.2016
Anhängig
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04.01.2017
Sensorvorrichtung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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04.01.2017
Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion eines Halbleiterbauelements
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.06.2016
Anhängig
Vertretung
AWA Sweden AB · Stockholm
Awapatent AB · Helsingborg
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28.12.2016
Verfahren und System zur Artifaktreduktion
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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21.12.2016
Verfahren zur Individualisierung von Elektronischen Dünnschichtschaltungen
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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14.12.2016
Verfahren und Schaltung zur Bandbreitenfehlanpassungsschätzung in einem A/D-Wandler
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 06.06.2014
Erteilt am 14.12.2016
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14.12.2016
Verfahren zum Bonden und mit dem Verfahren hergestellte Vorrichtung.
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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14.12.2016
Verfahren zur Verbesserung der Mechanischen Eigenschaften von Polymerteilchen und dessen Verwendung
Kunststoff- & Polymertechnik
Farben, Klebstoffe & Brennstoffe
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14.12.2016
Adaptiver Rückgekoppelter Frequenzbereichsentzerrer
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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08.12.2016
Methods for forming metal electrodes on silicon surfaces of opposite polarity
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 03.06.2016
Anhängig
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07.12.2016
Verfahren zur Bereitstellung einer Gemusterten Zielschicht in einer Halbleiterstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Wer vertritt imec?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die imec vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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