Soitec Patente
🇫🇷 Frankreich
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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529 gesamt| Patent | |||
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16.11.2005
Verfahren zur Herstellung einer Heterogenen struktur und eine damit erzeugte Struktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.05.2004
Anhängig
Vertretung
Desormiere, Pierre-Louis · Paris
Joly, Jean-Jacques · Paris
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07.09.2005
Herstellungsverfahren eines Substrates
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.03.2004
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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31.08.2005
Herstellungsverfahren für Mehrschichtenstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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29.06.2005
Herstellungsverfahren eines Sicoi-Substrats mit einem Epitaxieschritt
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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22.06.2005
Bildung einer Spannungsfreien Nutzschicht von einer Halbleiterscheibe ohne Pufferschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.05.2005
Mechanische Wiederverwertung einer Halbleiterscheibe, die eine Pufferschicht Enthält, nach der Entfernung einer Dünnen Schicht Daher
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.02.2005
Verfahren zur Herstellung von Substrate mit Lösbarem Temporärem Träger und Zugehöriges Substrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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20.10.2004
Verfahren zur Herstellung von Trennbaren Halbleiter-Zusammensetzungen, zur Herstellung von Substraten für Elektronische, Optoelektronische und Optische Anwendungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.01.2003
Anhängig
Vertretung
Texier, Christian · Paris
Schrimpf, Robert · Paris
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04.08.2004
Verfahren zur Herstellung einer kristallinen Spannungsschicht auf einem Isolator, halbleitende Struktur dafür und so hergestellte Halbleiterstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 29.01.2003
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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