Soitec Patente
🇫🇷 Frankreich
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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801 gesamt| Patent | |||
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12.12.2013
Gas injection components for deposition systems and related methods
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 24.05.2013
Anhängig
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04.12.2013
Verfahren zur Bildung von Schichten aus Halbleitermaterial mit Verringerter Gitterverspannung und Entworfene Substrate damit
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 08.10.2009
Erteilt am 04.12.2013
Vertretung
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28.11.2013
Process for treating a semiconductor-on-insulator structure for improving thickness uniformity of the semiconductor layer
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.05.2013
Anhängig
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14.11.2013
Complementary fet injection for a floating body cell
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 08.05.2013
Anhängig
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13.11.2013
Differenzialleseverstärker ohne dedizierte Durchgangstransistoren
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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06.11.2013
Verfahren zur Steuerung der Belastungsverteilung auf einer Soi-Struktur und Zugehörige Struktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.09.2010
Erteilt am 06.11.2013
Vertretung
Branger, Jean-Yves · Saint-Grégoire
Regimbeau · Rennes
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02.10.2013
Herstellung von Solarzellenvorrichtungen mit mehreren Übergängen
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.03.2012
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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02.10.2013
Herstellung von Solarzellenvorrichtungen mit mehreren Übergängen
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.03.2012
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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02.10.2013
Herstellung von Mehrfachsolarzellen
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.03.2012
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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26.09.2013
Eprom Cell
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 11.02.2013
Anhängig
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26.09.2013
Charge pump circuit comprising multiple - gate transistors and method of operating the same
Elektrische Energietechnik
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26.09.2013
Improved method of implantation for fragilization of substrates
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.03.2013
Anhängig
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19.09.2013
Process for thinning the active silicon layer of a substrate of "silicon on insulator" (soi) type
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.01.2013
Anhängig
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12.09.2013
Multiplexer, look-up table and fpga
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 11.02.2013
Anhängig
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12.09.2013
Look-Up Table
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 11.02.2013
Anhängig
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12.09.2013
Look-Up Table Architecture
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 22.02.2013
Anhängig
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12.09.2013
Methods for forming semiconductor structures including iii-v semiconductor material using substrates comprising molybdenum, and structures formed by such methods
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.03.2013
Anhängig
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12.09.2013
Method of testing a semiconductor on insulator structure and application of said test to the fabrication of such a structure
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.02.2013
Anhängig
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11.09.2013
Verfahren zur lokalen Auslösung der Sauerstoffschicht in einer aus einem Halbleiter auf einem Isolator bestehenden Struktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.09.2009
Erteilt am 11.09.2013
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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11.09.2013
SRAM-Speicherzelle
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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29.08.2013
Methods of providing thin layers of crystalline semiconductor material, and related structures and devices
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.02.2013
Anhängig
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22.08.2013
Method for transferring a layer
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.01.2013
Anhängig
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08.08.2013
Photoactive devices with improved distribution of charge carriers, and methods of forming same
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 17.12.2012
Anhängig
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07.08.2013
Behandlungsverfahren einer Struktur vom Typ Halbleiter auf einem Isoliermaterial
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 08.03.2012
Erteilt am 07.08.2013
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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25.07.2013
Circuit and method for sensing a difference in voltage on a pair of dual signal lines, in particular through equalize transistor
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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25.07.2013
Method and device for testing semiconductor substrates for radiofrequency application
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 15.01.2013
Anhängig
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25.07.2013
Process for manufacturing a semiconductor substrate, and semiconductor substrate obtained
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.01.2013
Anhängig
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17.07.2013
Verfahren zur Herstellung einer Struktur mit mindestens einer Dünnen Schicht in einem Amorphen Material, Erhalten durch Epitaxie auf einem Trägersubstrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 13.03.2007
Erteilt am 17.07.2013
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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11.07.2013
Method for fabricating a substrate and semiconductor structure
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.12.2012
Anhängig
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11.07.2013
Structured substrate for leds with high light extraction
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.01.2013
Anhängig
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10.07.2013
Verfahren zur Aufspaltung eines Substrats und Substrat-Struktur Zusammenbau der diese Aufspaltung ermöglicht
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.12.2011
Erteilt am 10.07.2013
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
Zusammenfassung
The process comprises forming a stress generating structure locally integrated with a surface of a substrate (1), forming a fragile area in the substrate to provide split along the fragile area, producing an incipient crack in the substrate to a depth of plane, and applying a heat treatment to the structure at a temperature of 20-500[deg] C to cause expansion or contraction of the structure for generating stresses in the substrate. The stress generating structure is a cellular structure of which walls (2") of cells (2') are perpendicular to the surface of the substrate. The process comprises forming a stress generating structure locally integrated with a surface of a substrate (1), forming a fragile area in the substrate to provide split along the fragile area, producing an incipient crack in the substrate to a depth of plane, and applying a heat treatment to the structure at a temperature of 20-500[deg] C to cause expansion or contraction of the structure for generating stresses in the substrate. The stress generating structure is a cellular structure of which walls (2") of cells (2') are perpendicular to the surface of the substrate and are composed of materials (2a, 2b) having different coefficients of heat expansion arranged to allow different deformations of the walls under the effect of heat treatment so that the structure is adapted to expand or contract in a plane parallel to the surface of the substrate under the effect of the heat treatment. The stress is greater than a mechanical resistance of the substrate in a plane of splitting parallel to the surface of the substrate defining the layer to be detached, and produces split of the substrate along the plane. The walls of cells are bimetallic strips formed of a first and a second material having positive and negative coefficients of heat expansion. The first and second materials of the bimetallic strips are separated by vacuum or by a strip of a third material. The stress generating structure is further adapted to expand or contract under the action of a magnetic field, and is fixed to the surface of the substrate by a bonding layer. The materials of walls are magnetostrictive materials. The heat treatment is applied at a temperature of less than Curie temperature of the magnetostrictive material. The process further includes applying a magnetic field to the structure to cause an elongation or retraction of the magnetostrictive material. The stress generating structure is fabricated by etching trenches in a layer of first material, filling the trenches with second material, masking portions of the layer of the first material for the formation of the bimetallic strip, and selectively etching the layer to remove the unmasked portions of the first material. A thickness of the layer to be detached from the substrate is 50 mu m. A ratio between the thickness of the layer to be detached and a thickness of the stress generating structure is 0.1-10. The stress generating structure is removed from the layer after detachment of the substrate, and is recycled after removal of the detached layer for splitting the substrate. Independent claims are included for: (1) an assembly including a substrate and a stress generating structure; and (2) a semiconductor device for photovoltaic, optoelectronic or electronic applications. |
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03.07.2013
Herstellungsverfahren einer dünnen Schicht mit höherer qualität durch koimplantation und thermischer Behandlung.
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 29.07.2004
Erteilt am 03.07.2013
Vertretung
Texier, Christian · Paris
Regimbeau · Rennes
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27.06.2013
Methods of forming dilute nitride materials for use in photoactive devices and related structures
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.11.2012
Anhängig
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27.06.2013
Processes and systems for reducing undesired deposits within a reaction chamber associated with a semiconductor deposition system
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 12.11.2012
Anhängig
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27.06.2013
Methods of fabricating dilute nitride semiconductor materials for use in photoactive devices and related structures
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.11.2012
Anhängig
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27.06.2013
Methods of fabricating semiconductor structures using thermal spray processes, and semiconductor structures fabricated using such methods
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.12.2012
Anhängig
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26.06.2013
Verfahren und Vorrichtung zur Epitaktischen Abscheidung von Einkristallinen Iii-V Halbleiter Material unter Verwendung von Galliumtrichlorid
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 15.11.2007
Erteilt am 26.06.2013
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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20.06.2013
Deposition system having a reaction chamber configured for in situ metrology and related method
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 12.11.2012
Anhängig
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20.06.2013
Tristate Gate
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 11.12.2012
Anhängig
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20.06.2013
Process for stabilizing a bonding interface, located within a structure which comprises an oxide layer and structure obtained
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 13.12.2012
Anhängig
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Wer vertritt Soitec?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Soitec vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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