Soitec Patente
🇫🇷 Frankreich
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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529 gesamt| Patent | |||
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04.08.2010
Vorrichtung zum Polieren der Kante eines Halbleitersubstrats
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 29.01.2009
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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07.07.2010
Verfahren zur Herstellung einer Struktur mit einem Substrat und einer auf einer Seiner Seiten Abgeschiedenen Schicht
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.06.2010
Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats und Halbleitersubstrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 24.12.2008
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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23.06.2010
Verfahren zur Herstellung eines rückbeleuchteten Bildsensors
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.12.2008
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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16.06.2010
Verfahren zum Erzeugen einer Struktur durch Schichttransfer
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.05.2010
Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht aus Halbleitermaterial
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.08.2003
Anhängig
Vertretung
Bomer, Françoise Marie · Saint-Grégoire
Regimbeau · Rennes
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19.05.2010
Verfahren zur Gewinnung eines Hybridsubstrats mit mindestens einer Schicht aus Nitriertem Material
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.09.2008
Anhängig
Vertretung
Bomer, Françoise Marie · Saint-Grégoire
Regimbeau · Rennes
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12.05.2010
Verfahren zur Übertragung einer Dünnen, Elektrisch Aktiven Schicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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14.04.2010
Ladungsreservoirstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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07.04.2010
Epitaktische Verfahren und damit Gezüchtete Templates
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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10.03.2010
Verfahren zur Herstellung eines lokal passivierten Germanium-on-Insulator-Substrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.09.2008
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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10.02.2010
Passivierung von geätzten Halbleiterstrukturen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.08.2008
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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13.01.2010
Verbesserter Prozess zum Herstellen Gereinigter Oberflächen aus Verspanntem Silizium
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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13.01.2010
Prozess zur Herstellung eines Zusammengesetzten Substrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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06.01.2010
Verfahren zur Übertragung einer Epitaktischen Schicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.12.2009
Verfahren zum Herstellen eines Hybridsubstrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.02.2008
Anhängig
Vertretung
Bomer, Françoise Marie · Saint-Grégoire
Regimbeau · Rennes
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23.12.2009
Strukturiertes Dünnes Soi
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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23.12.2009
Verfahren zur Herstellung von zusammengesetzten Wafern
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.11.2004
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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18.11.2009
Verfahren zur Reinigung von Heterostrukturen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.10.2009
Mehrschichtige Struktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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21.10.2009
Verfahren zur Herstellung von Stark Wärmeableitenden Substraten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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21.10.2009
Verfahren zur Formung und Steuerung Rauer Oberflächen
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21.10.2009
Oberflächenaufrauungsverfahren
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23.09.2009
Verfahren zum Herstellen eines Gemischten Substrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.12.2007
Anhängig
Vertretung
Bomer, Françoise Marie · Saint-Grégoire
Regimbeau · Rennes
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02.09.2009
Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Auf-Isolator-Struktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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19.08.2009
Verfahren zur Wiederverwendung eines temporären epitaxialen Substrates
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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19.08.2009
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitersubstratoberfläche
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 13.02.2008
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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12.08.2009
Verfahren zur Justierung der Beanspruchung eines Substrats in einem Halbleitermaterial
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.08.2009
Verbesserter Prozess zur Übertragung einer in einem Substrat mit Leerclustern Gebildeten Dünnschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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24.06.2009
Verfahren zur Behandlung von Germaniumoberflächen und dabei verwendete Lösungen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.12.2007
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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17.06.2009
Prozess zum Herstellen eines Gan-Substrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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17.06.2009
Verfahren zur Herstellung einer Struktur für Epitaxie ohne Ausschlusszone
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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29.04.2009
Entfernung einer Kante einer SOI-Transferhalbleiterscheibe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 24.11.2005
Anhängig
Vertretung
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18.03.2009
Mehrfach-Gate Feldeffekttransistorstruktur und zugehöriges Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.09.2007
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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11.02.2009
Verfahren und Vorrichtung zum Durchbrechen eines Verbundssubstrats mittels einer brüchigen Trennebene
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.11.2008
Verfahren zur Herstellung von Partiellen Soi-Strukturen mit Zonen, die eine Oberflächenschicht und ein Substrat Verbinden
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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29.10.2008
Herstellungsverfahren für Wafer aus Verbundmaterial und entsprechender Wafer aus Verbundmaterial
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.04.2007
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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24.09.2008
(110)-ausgerichtetes Siliziumsubstrat und gebondetes Substratpaar mit diesem (110)-ausgerichteten Siliziumsubstrat sowie entsprechende Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.03.2007
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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30.07.2008
Behandlung einer an ein Substrat Gebondeten Germaniumschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.05.2008
Chromfreie Ätzlösung für Si-Substrate und SiGe-Substrate, Verfahren zum Präparieren von Defekten diese Ätzlösung verwendend und Verfahren zum Behandeln von Si-Substraten und SiGe-Substraten diese Ätzlösung verwendend
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.11.2006
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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Wer vertritt Soitec?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Soitec vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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