Soitec Patente
🇫🇷 Frankreich
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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529 gesamt| Patent | |||
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30.01.2013
Verfahren zur Härtung von Defekten in einer Halbleiterschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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24.01.2013
Method for separating a layer from a composite structure
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.07.2012
Anhängig
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23.01.2013
Endbearbeitungsverfahren für ein Soi-Substrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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16.01.2013
Vorrichtung zur herstellung von halbleitervorrichtungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.06.2011
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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10.01.2013
Method for determining the crystalline quality of a iii-v semiconductor layer
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 02.07.2012
Anhängig
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02.01.2013
Verfahren zur Beseitigung von Materialfragmenten auf der Oberfläche einer Mehrschichtstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.12.2012
Method for transferring a layer of semiconductor, and substrate comprising a confinement structure
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.06.2012
Anhängig
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27.12.2012
Method for manufacturing a semiconductor substrate, and a semiconductor substrate
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.06.2012
Anhängig
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27.12.2012
Method of fabrication of a semiconductor substrate and a semiconductor substrate
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.06.2012
Anhängig
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27.12.2012
Method of fabrication of a semiconductor substrate comprising porous silicon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.06.2012
Anhängig
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19.12.2012
Auf Uv Basierende Überwachung und Regelung von Chlorid in einem Gasstrom
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 21.07.2009
Erteilt am 19.12.2012
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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12.12.2012
Übertragungsverfahren mit einer Behandlung einer zu verbindenden Oberfläche
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.09.2004
Erteilt am 12.12.2012
Vertretung
Bomer, Françoise Marie · Saint-Grégoire
Regimbeau · Rennes
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12.12.2012
Verfahren zum Bonden zweier Substrate
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.02.2008
Erteilt am 12.12.2012
Vertretung
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06.12.2012
Modular electrical energy production device
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 30.05.2012
Anhängig
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05.12.2012
Verfahren zur Bindung zweier Substrate
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.12.2008
Erteilt am 05.12.2012
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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05.12.2012
System und Verfahren zur Beurteilung Inhomogener Deformationen in Mehrschichtigen Platten
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 24.01.2011
Anhängig
Vertretung
Breesé, Pierre · Levallois-Perret
Desormiere, Pierre-Louis · Paris
IP Trust · Paris
Fidal Innovation · Courbevoie
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28.11.2012
Recycling durch Mechanische Mittel eines Wafers mit Abnehmestruktur nach dem Abnehmen einer Dünnen Schicht davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.11.2012
Substrataufteilungsvorrichtung mit Detektion von Hindernissen
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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14.11.2012
Verfahren zur präventiven Behandlung des Ringes eines mehrschichtigen Wafers
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.03.2004
Erteilt am 14.11.2012
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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14.11.2012
Verfahren zum Bonden Zweier Substrate
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.11.2007
Erteilt am 14.11.2012
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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14.11.2012
Grabenstruktur in Mehrschichtwafer
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.04.2011
Erteilt am 14.11.2012
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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31.10.2012
Differenzialleseverstärker ohne dedizierte Vorladetransistoren
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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31.10.2012
Differenzialleseverstärker ohne Schalttransistoren
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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18.10.2012
Quantum well thermoelectric component for use in a thermoelectric device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.04.2012
Anhängig
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17.10.2012
Verfahren zum Katastrophischen Transfer einer Dünnen Schicht nach Coimplantation
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.10.2004
Erteilt am 17.10.2012
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Casadewall, Barbara · Paris
Quantin, Bruno Marie Henri · Paris
Regimbeau · Rennes
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17.10.2012
Recyclingmethode eines Quellsubstrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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10.10.2012
Verfahren zur Herstellung einer Soi-Struktur mit Niedrigem Elektrischem Verlust und Zugehörige Struktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.12.2010
Anhängig
Vertretung
Branger, Jean-Yves · Saint-Grégoire
Regimbeau · Rennes
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04.10.2012
Methods for bonding semiconductor structures involving annealing processes, and bonded semiconductor structures and intermediate structures formed using such methods
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.03.2012
Anhängig
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04.10.2012
Methods for bonding semiconductor structures involving annealing processes, and bonded semiconductor structures formed using such methods
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.03.2012
Anhängig
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27.09.2012
Apparatus and a method for direct wafer bonding, minimizing local deformation
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.03.2012
Anhängig
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26.09.2012
Erhöhung der Qualität einer Dünnschicht durch Hochtemperaturglühung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.03.2008
Erteilt am 26.09.2012
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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26.09.2012
Verfahren zur Herstellung eines Basissubstrats für einen Halbleiter auf einem Isoliersubstrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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19.09.2012
Mehrschichtige Strukturen und Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.03.2011
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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12.09.2012
Verfahren zum Schneiden mindestens einer Dünnschicht in einem Substrat oder in einem Rohblock, insbesondere aus Halbleitermaterial
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.09.2012
Verfahren zum Formen einer Ge-auf-III/V-auf-Isolator-Struktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.09.2012
Verfahren zur Glättung der Kontur einer nützlichen, auf ein Trägersubstrat übertragenen Materialschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 16.07.2003
Erteilt am 05.09.2012
Vertretung
Bomer, Françoise Marie · Saint-Grégoire
Regimbeau · Rennes
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05.09.2012
Verfahren zur Bildung von III-V-Halbleitermaterialien und durch solche Verfahren gebildete Halbleiterstrukturen
Metallurgie & Oberflächentechnik
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30.08.2012
Apparatus and method for direct wafer bonding
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 21.02.2012
Anhängig
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29.08.2012
Verfahren zur Rückgewinnung einer Oberfläche eines Substrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.02.2009
Erteilt am 29.08.2012
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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23.08.2012
Iii-v semiconductor structures with diminished pit defects and methods for forming the same
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 17.02.2012
Anhängig
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Wer vertritt Soitec?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Soitec vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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