Soitec Patente
🇫🇷 Frankreich
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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801 gesamt| Patent | |||
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17.02.2021
Oberflächenschallwellenvorrichtung auf einem Zusammengesetzten Substrat
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 14.03.2019
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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17.02.2021
Verfahren zur Trennung einer Abnehmbaren Verbundstruktur mittels eines Lichtstroms
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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17.02.2021
Verfahren zur Detektion der Fraktur eines durch Implantation von Atomaren Spezies Geschwächten Substrats
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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17.02.2021
Verfahren zur Herstellung einer Monokristallinen Schicht aus Diamant oder Iridium und Substrat zum Epitaktischen Züchten einer Monokristallinen Schicht aus Diamant oder Iridium
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.03.2019
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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17.02.2021
Verfahren zur Herstellung einer Monokristallinen Schicht aus einem Lno-Material und Substrat zum Epitaktischen Wachstum einer Monokristallinen Schicht aus einem Lno-Material
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.03.2019
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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17.02.2021
Verfahren zur Herstellung einer Kristallinen Schicht aus Pzt-Material und Substrat zum Epitaktischen Wachsen einer Kristallinen Schicht aus Pzt-Material
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.03.2019
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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17.02.2021
Verfahren zur Herstellung einer Einkristallinen Schicht aus Aln-Material und Substrat für das Epitaktische Wachstum einer Einkristallinen Schicht aus Aln-Material
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.03.2019
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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13.01.2021
Verfahren zur Minimierung der Verzerrung eines Signals in einer Hochfrequenzschaltung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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04.11.2020
Verfahren zur Herstellung eines Donorsubstrats zur Herstellung Optoelektronischer Vorrichtungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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04.11.2020
Verfahren zur Herstellung eines Soi-Substrats für Radiofrequenzanwendungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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19.08.2020
Träger für eine Halbleiterstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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19.08.2020
Verfahren zur Vorbereitung und zum Zusammenbau von Substraten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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29.07.2020
Verfahren zum Übertragen einer Schicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.06.2013
Erteilt am 29.07.2020
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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29.07.2020
Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Strukturen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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29.07.2020
Verfahren zum Herstellen und Zusammenbauen von Substraten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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29.07.2020
Struktur für Funkfrequenzanwendungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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22.07.2020
Struktur mit Einzelkristallhalbleiterinseln und Verfahren zur Herstellung Solch einer Struktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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16.07.2020
Process for producing a receiver substrate for a semiconductor-on-insulator structure for radiofrequency applications and process for producing such a structure
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 08.01.2020
Anhängig
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17.06.2020
Verwendung eines Elektrischen Feldes zum Lösen einer Piezoelektrischen Schicht von einem Donorsubstrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.08.2017
Erteilt am 17.06.2020
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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03.06.2020
Verfahren zum Herstellen von zusammengesetzten Hableiterscheiben und Verfahren zur Wiederverwendung des gebrauchten Substrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.03.2006
Erteilt am 03.06.2020
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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20.05.2020
Verfahren zur Herstellung einer Dicken Epitaktischen Schicht aus Galliumnitrid auf einem Silicium oder Ähnlichen Substrat und mit Diesem Verfahren Hergestellte Schicht
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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20.05.2020
Verfahren zur Herstellung einer Schicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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13.05.2020
Hybridstruktur für eine Oberflächenschallwellenvorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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29.04.2020
DRAM mit Grabenkondensatoren und mit einer Substratvorspannung versehene Logiktransistoren integriert auf einem eine intrinsische Halbleiterschicht enthaltenden SOI-Substrat und entsprechendes Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.03.2011
Erteilt am 29.04.2020
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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22.04.2020
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterheterostruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.11.2006
Erteilt am 22.04.2020
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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08.04.2020
Hybridstruktur für eine Oberflächenschallwellenvorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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08.04.2020
Verfahren zur Übertragung einer Nützlichen Schicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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01.04.2020
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstrukturen mit Hohlräumen, die mit Verzichtbarem Material Gefüllt Sind
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18.03.2020
Manipuliertes Substrat mit Eingebettetem Spiegel
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.01.2017
Erteilt am 18.03.2020
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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18.03.2020
Verfahren zur Reparatur von Defekten in einer Schicht durch Implantation und Dann Ablösung von einem Substrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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04.03.2020
Verfahren zur Übertragung einer Schicht aus einem Einkristallsubstrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
The invention relates to a method for transferring a layer (11) from a single-crystal substrate, called donor substrate (1), onto a receiver substrate (2), comprising: - the supply of said single-crystal donor substrate (1), said substrate having a notch oriented in a first direction of the crystal and a weakness region (10) bounding the layer (11) to be transferred, - the bonding of the single-crystal donor substrate (1) onto the receiver substrate (2), the main surface (12) of the donor substrate opposite to the weakness region (10) with respect to the layer to be transferred (11) being at the bonding interface, - the detachment of the donor substrate (1) along the weakness region (10), said method being characterized in that the donor substrate (1) has, on the main surface (12) bonded to the receiver substrate (2), an array of atomic steps extending essentially in a second direction of the crystal different from said first direction. |
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04.03.2020
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstrukturen und Bauelementen mit Glasklebeschichten sowie auf Diese Weise Hergestellte Halbleiterstrukturen und Bauelemente
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 24.09.2010
Erteilt am 04.03.2020
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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15.01.2020
Relaxation und Übertragung von Spannungsschichten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.08.2008
Erteilt am 15.01.2020
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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08.01.2020
Verfahren zur Herstellung einer Struktur zur Anschliessenden Trennung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.09.2013
Erteilt am 08.01.2020
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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01.01.2020
Molekulare Verbindung mit Reduzierten Overlay Fehlausrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 02.08.2011
Erteilt am 01.01.2020
Vertretung
Breesé, Pierre · Levallois-Perret
Desormiere, Pierre-Louis · Paris
Fidal Innovation · Courbevoie
IP Trust · Paris
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01.01.2020
Verfahren zur Molekularen Verbindung von Silizium- und Glass-Substraten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.10.2011
Erteilt am 01.01.2020
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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18.12.2019
Verfahren zur Herstellung eines Gestreckten Halbleiter-Auf-Isolator-Substrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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11.12.2019
Verfahren zur Herstellung eines Zweidimensionalen Films aus Hexagonaler Kristalliner Struktur
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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13.11.2019
Verfahren zur Glättung der Oberfläche einer Struktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
The invention relates to a process for smoothing a silicon-on-insulator structure comprising the exposure of a surface of the structure to an inert or reducing gas flow and to a high temperature during a heat treatment, the process comprising: • a first heat treatment step at a first temperature and under a first gas flow defined by a first flow rate; the process being noteworthy in that it comprises: • a second heat treatment step at a second temperature lower than the first temperature and under a second gas flow defined by a second flow rate lower than the first flow rate. |
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13.11.2019
Bondingverfahren mit Molekularem Bonden
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.06.2010
Erteilt am 13.11.2019
Vertretung
Breesé, Pierre · Levallois-Perret
Desormiere, Pierre-Louis · Paris
IP Trust · Paris
Fidal Innovation · Courbevoie
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Wer vertritt Soitec?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Soitec vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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