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Soitec Patente

🇫🇷 Frankreich

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

801
Patente
2000–2025
Anmeldejahre
26
Aktive Jahre

Patente nach Anmeldejahr

Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.

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801 gesamt
Patent
14.04.2010
Ladungsreservoirstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.04.2010
Epitaktische Verfahren und damit Gezüchtete Templates
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
10.03.2010
Verfahren zur Herstellung eines lokal passivierten Germanium-on-Insulator-Substrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
10.02.2010
Passivierung von geätzten Halbleiterstrukturen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
13.01.2010
Verbesserter Prozess zum Herstellen Gereinigter Oberflächen aus Verspanntem Silizium
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
13.01.2010
Prozess zur Herstellung eines Zusammengesetzten Substrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
06.01.2010
Verfahren zur Übertragung einer Epitaktischen Schicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
30.12.2009
Verfahren zum Herstellen eines Hybridsubstrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
23.12.2009
Strukturiertes Dünnes Soi
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
23.12.2009
Verfahren zur Herstellung von zusammengesetzten Wafern
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
18.11.2009
Verfahren zur Reinigung von Heterostrukturen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
28.10.2009
Mehrschichtige Struktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
21.10.2009
Verfahren zur Herstellung von Stark Wärmeableitenden Substraten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
21.10.2009
Verfahren zur Formung und Steuerung Rauer Oberflächen
21.10.2009
Oberflächenaufrauungsverfahren
23.09.2009
Verfahren zum Herstellen eines Gemischten Substrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
02.09.2009
Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Auf-Isolator-Struktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
19.08.2009
Verfahren zur Wiederverwendung eines temporären epitaxialen Substrates
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
19.08.2009
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitersubstratoberfläche
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
12.08.2009
Verfahren zur Justierung der Beanspruchung eines Substrats in einem Halbleitermaterial
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
05.08.2009
Verbesserter Prozess zur Übertragung einer in einem Substrat mit Leerclustern Gebildeten Dünnschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
24.06.2009
Verfahren zur Behandlung von Germaniumoberflächen und dabei verwendete Lösungen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
17.06.2009
Prozess zum Herstellen eines Gan-Substrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
17.06.2009
Verfahren zur Herstellung einer Struktur für Epitaxie ohne Ausschlusszone
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
29.04.2009
Entfernung einer Kante einer SOI-Transferhalbleiterscheibe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
18.03.2009
Mehrfach-Gate Feldeffekttransistorstruktur und zugehöriges Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
11.02.2009
Verfahren und Vorrichtung zum Durchbrechen eines Verbundssubstrats mittels einer brüchigen Trennebene
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
12.11.2008
Verfahren zur Herstellung von Partiellen Soi-Strukturen mit Zonen, die eine Oberflächenschicht und ein Substrat Verbinden
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
29.10.2008
Herstellungsverfahren für Wafer aus Verbundmaterial und entsprechender Wafer aus Verbundmaterial
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
24.09.2008
(110)-ausgerichtetes Siliziumsubstrat und gebondetes Substratpaar mit diesem (110)-ausgerichteten Siliziumsubstrat sowie entsprechende Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
30.07.2008
Behandlung einer an ein Substrat Gebondeten Germaniumschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
28.05.2008
Chromfreie Ätzlösung für Si-Substrate und SiGe-Substrate, Verfahren zum Präparieren von Defekten diese Ätzlösung verwendend und Verfahren zum Behandeln von Si-Substraten und SiGe-Substraten diese Ätzlösung verwendend
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
28.05.2008
Verfahren zum Verbessern der Oberfläche eines Halbleitersubstrats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
16.01.2008
Wärmebehandlung zur Stabilisierung einer Klebeschnittstelle
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
05.12.2007
Verfahren zur Herstellung einer Heterostruktur mit mindestens einer Dicken Schicht aus Halbleitermaterial
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
21.11.2007
Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermaterial-auf-Isolator Wafer und Halbleitermaterial-auf-Isolator Wafer
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.11.2007
Verfahren zum Reduzieren der Trap-Dichte in einem Halbleiterwafer
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
24.10.2007
Relaxation einer Verspannten Schicht unter Verwendung einer Geschmolzenen Schicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
03.10.2007
Bildung und Behandlung einer Sige-Struktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
19.09.2007
Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilms
Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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