Soitec Patente
🇫🇷 Frankreich
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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801 gesamt| Patent | |||
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30.10.2019
Verfahren zur Übertragung von Monokristallinen Pads
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.09.2019
Verfahren zur Herstellung einer Hybridstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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28.08.2019
Verfahren zum Verbessern der Qualität von Strukturen, die Halbleitermaterialien Umfassen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 13.11.2009
Erteilt am 28.08.2019
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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28.08.2019
Verbesserte Wärmekompensierte Oberflächenschallwellenvorrichtung und Herstellungsverfahren
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 21.03.2014
Erteilt am 28.08.2019
Vertretung
Fidal Innovation · Courbevoie
IP Trust · Paris
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15.08.2019
Method for manufacturing a semiconductor on insulator type structure by layer transfer
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.02.2019
Anhängig
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07.08.2019
Verfahren zur Herstellung eines Soi-Substrates mit einem Trägersubstrat mit Hohem Widerstand
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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31.07.2019
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements mit Hochwiderstandsfähigem Substrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
The invention concerns a method of fabrication of a semiconductor element, the method involving a step of rapid heat treatment exposing a substrate comprising a base having a resistivity greater than 1000 Ohm.cm to a peak temperature able to deteriorate the resistivity of the base. According to the invention, the step of rapid heat treatment is followed by a curing heat treatment exposing the substrate to a curing temperature between 800°C and 1250°C and having a cooldown rate less than 5°C/sec when the curing temperature is between 1250°C and 1150°C, less than 20°/sec when the curing temperature is between 1150°C and 1100°C, and less than 50°C/sec when the curing temperature is between 1100°C and 800°C. |
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22.05.2019
Verfahren zum Beschneiden einer mittels Montage Zweier Platten Erhaltenen Struktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.12.2005
Erteilt am 22.05.2019
Vertretung
Poulin, Gérard · Paris
Ahner, Philippe · Paris La Défense
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22.05.2019
Erweitertes Cpv-Solarzellenanordnungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.03.2014
Erteilt am 22.05.2019
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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27.02.2019
Festelektrolyt und Verfahren zur Herstellung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.03.2016
Erteilt am 27.02.2019
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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20.02.2019
Ätzzusammensetzungen, insbesondere für Gespannte oder Beanspruchte Siliciummaterialien, Verfahren zur Charakterisierung von Fehlern auf den Oberflächen Derartiger Materialien und Verfahren zur Behandlung Derartiger Oberflächen mit der Ätzzusammensetzung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 24.04.2009
Erteilt am 20.02.2019
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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20.02.2019
Herstellungsverfahren einer Lichterkennungsvorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 25.02.2004
Erteilt am 20.02.2019
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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30.01.2019
Verfahren zur Behandlung einer Struktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 25.02.2014
Erteilt am 30.01.2019
Vertretung
IP Trust · Paris
Fidal Innovation · Courbevoie
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30.01.2019
Verfahren zur Überführung einer Schicht von Schaltungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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09.01.2019
Mehrfachsolarzelle mit spannungsangepassten Teilzellen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.04.2010
Erteilt am 09.01.2019
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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02.01.2019
Elektronische Vorrichtung für Radiofrequenz- oder Leistungsanwendungen und Verfahren zur Herstellung Dieser Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.01.2019
Verfahren zur Trennung von mindestens Zwei Substraten Entlang einer Bestimmten Schnittstelle
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.09.2013
Erteilt am 02.01.2019
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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02.01.2019
Verfahren, Stapel und Anordnung zur Trennung einer Struktur von einem Substrat durch Elektromagnetische Strahlung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.12.2018
Verfahren zur Dickenvariationsmessung in einer Schicht einer Mehrschichtigen Halbleiterstruktur
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
The invention relates to a method for measuring thickness variations in a first layer (1) of a multilayer semiconductor structure (S), comprising: - acquiring, with an image acquisition system, an image of at least one zone of the surface of said structure, said image being obtained by reflecting a quasi-monochromatic light flux on said zone of the surface of said structure, - processing said acquired image so as to determine, from intensity variations of the light reflected by said zone of the surface, a map of the thickness variations of said first layer (1), said treatment comprising comparing the intensity of each pixel of the image with a predetermined calibration curve defining a relationship between the intensity of a pixel of the acquired image and a local thickness of the first layer (1), said calibration curve being determined for a given thickness of a second layer (2) of the structure different from the first layer (1), wherein the wavelength of said quasi-monochromatic light flux is selected so as to correspond to a minimum of the sensitivity of the reflectivity with respect to said second layer (2), said method being characterized in that it further comprises: - measuring the thickness of the second layer (2) in said at least one zone of the surface of the structure, - if said measured thickness is different from the thickness of the second layer (2) considered in the calibration curve, applying a correction curve to the map of the thickness variations, wherein said correction curve defines, for said measured thickness of the second layer (2), a relationship between a thickness of the first layer (1) and a correction factor to apply to the map of the thickness variations of the first layer (1), so as to determine a corrected map of thickness variations of the first layer. |
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26.12.2018
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements mit einer Schicht zum Einfangen von Ladungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.12.2018
Verfahren zum Herstellen eines Mems Bauteils mit Beweglichen Teilen Unterschiedlicher Dicke
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21.11.2018
Verfahren zum Nachweis von Oberflächendefekten auf einem Substrat und Vorrichtung unter Verwendung des Verfahrens
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 27.03.2008
Erteilt am 21.11.2018
Vertretung
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31.10.2018
Verfahren zur Herstellung einer Monokristallinen Piezoelektrischen Schicht und Mikroelektronische, Fotonische oder Optische Vorrichtung mit Solch einer Schicht
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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31.10.2018
Verfahren zur Herstellung einer Einkristallschicht, insbesondere einer Piezoelektrischen Schicht
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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17.10.2018
Iii-V-Halbleiterstrukturen und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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04.10.2018
Oxidation Furnace
Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 29.03.2018
Anhängig
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03.10.2018
Photodetektierende Anordnung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 25.02.2004
Erteilt am 03.10.2018
Vertretung
Texier, Christian · Paris
Regimbeau · Rennes
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19.09.2018
Verfahren zum Zusammenfügen von Substraten durch Verbinden von Indiumphosphidflächen
Farben, Klebstoffe & Brennstoffe
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01.08.2018
Sige Spannungsfreie Halbleiterpufferstrukturen
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 09.04.2007
Erteilt am 01.08.2018
Vertretung
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01.08.2018
Verfahren zur Herstellung Hybrider Bauteile
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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01.08.2018
Verfahren zur Herstellung von Strukturen aus Leds oder Solarzellen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.06.2013
Erteilt am 01.08.2018
Vertretung
IP Trust · Paris
Fidal Innovation · Courbevoie
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16.05.2018
Verfahren zum Glätten der Oberfläche eines Halbleiterwafers
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.02.2012
Erteilt am 16.05.2018
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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19.04.2018
Vertical oven with device for trapping contaminants
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.09.2017
Anhängig
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19.04.2018
Method for dissolving a buried oxide in a silicon-on-insulator wafer
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 29.09.2017
Anhängig
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18.04.2018
Behandlungsverfahren einer Struktur, um einen Inneren Raum Herzustellen
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Status
Angemeldet am 04.12.2003
Erteilt am 18.04.2018
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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20.12.2017
Verspannte Schichten in Halbleiterpufferstrukturen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.06.2007
Erteilt am 20.12.2017
Vertretung
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07.12.2017
Method for fabrication of a semiconductor structure including an interposer free from any through via
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 24.05.2017
Anhängig
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11.10.2017
Verfahren zum Übertragen einer monokristallinen Halbleiterschicht auf ein Trägersubstrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.10.2017
Semiconductor on insulator substrate for rf applications
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.03.2017
Anhängig
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08.09.2017
Method for determining a suitable energy for implantation in a donor substrate and process for fabricating a semiconductor-on-insulator structure
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 02.03.2017
Anhängig
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Wer vertritt Soitec?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Soitec vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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